 |
ویفر یا شمش دانه کریستال کاربید سیلیکون سی سی سی سی سی سی کریستالی تک کریستالی 153 میلی متری 153 میلی متر 0.5 میلی متر
جزئیات محصول:
| محل منبع: | چین |
| نام تجاری: | ZMKJ |
| شماره مدل: | شمش کریستالی بذر 6inchc sic |
پرداخت:
| مقدار حداقل تعداد سفارش: | 1 عدد |
|---|---|
| قیمت: | by case |
| جزئیات بسته بندی: | بسته ویفر یک نفره در اتاق تمیز کردن 100 طبقه |
| زمان تحویل: | 1-6 هفته |
| شرایط پرداخت: | T / T ، Western Union ، MoneyGram |
| قابلیت ارائه: | 1-50 قطعه در ماه |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| مواد: | تک کریستال SiC | سختی: | 9.4 |
|---|---|---|---|
| شکل: | سفارشی | تحمل: | ± 0.1 میلی متر |
| کاربرد: | ویفر دانه ای | تایپ کنید: | 4h-n |
| قطر: | 150-155 میلی متر خوب | ضخامت: | 10-15 میلی متر خوب |
| مقاومت: | 0.015~0.025Ω.cm | ||
| برجسته: | ویفر کاربید سیلیکون ویفر,ویفر کاربید سیلیکون 6 اینچ,ویفر بذر تک بلوری SiC |
||
توضیحات محصول
شمش‌های 2 اینچ/3 اینچ/4 اینچ/6 اینچ 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC/خلوص بالا 4H-N 4اینچ 6 اینچ با قطر 150 میلی‌متر کاربید سیلیکون تک کریستال (sic) ویفر،
شمش کریستال سیک بسترهای نیمه هادی سیک،ویفر کریستال کاربید سیلیکون/ویفر بذر شمش با قطر 6 اینچ 153 میلی متر سی سی سیلیس کاربید ویفر کریستالی
درباره کریستال سیلیکون کاربید (SiC)
کاربید سیلیکون (SiC) که با نام کربوراندوم نیز شناخته می شود، نیمه هادی حاوی سیلیکون و کربن با فرمول شیمیایی SiC است.SiC در دستگاه های الکترونیکی نیمه هادی که در دماهای بالا یا ولتاژ بالا یا هر دو کار می کنند استفاده می شود. SiC همچنین یکی از اجزای مهم LED است، این یک بستر محبوب برای رشد دستگاه های GaN است و همچنین به عنوان پخش کننده حرارت در موارد بالا عمل می کند. LED های قدرت
| ویژگی | 4H-SiC، تک کریستال | 6H-SiC، تک کریستال |
| پارامترهای شبکه | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| توالی انباشته شدن | ABCB | ABCACB |
| سختی Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| تراکم | 3.21 گرم بر سانتی متر مکعب | 3.21 گرم بر سانتی متر مکعب |
| حرارتضریب انبساط | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| ضریب شکست @750nm |
نه = 2.61 ne = 2.66 |
نه = 2.60 ne = 2.65 |
| ثابت دی الکتریک | c~9.66 | c~9.66 |
| رسانایی حرارتی (نوع N، 0.02 اهم. سانتی متر) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
| هدایت حرارتی (نیمه عایق) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| باند شکاف | 3.23 ولت | 3.02 eV |
| خرابی میدان الکتریکی | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| سرعت رانش اشباع | 2.0×105 متر بر ثانیه | 2.0×105 متر بر ثانیه |
کاربرد SiC در صنعت برق
در مقایسه با دستگاه های سیلیکونی، دستگاه های قدرت کاربید سیلیکون (SiC) می توانند به طور موثری به راندمان بالا، کوچک سازی و وزن سبک سیستم های الکترونیکی قدرت دست یابند.اتلاف انرژی دستگاه های قدرت SiC تنها 50 درصد دستگاه های Si است و تولید گرما تنها 50 درصد دستگاه های سیلیکونی است، SiC نیز چگالی جریان بالاتری دارد.در همان سطح توان، حجم ماژول های قدرت SiC به طور قابل توجهی کمتر از ماژول های قدرت سیلیکونی است.با در نظر گرفتن ماژول هوشمند قدرت IPM به عنوان مثال، با استفاده از دستگاه های قدرت SiC، حجم ماژول را می توان به 1/3 تا 2/3 ماژول های قدرت سیلیکونی کاهش داد.
سه نوع دیود قدرت SiC وجود دارد: دیودهای شاتکی (SBD)، دیودهای پین و دیودهای شاتکی کنترل شده با مانع اتصال (JBS).به دلیل وجود مانع شاتکی، SBD دارای ارتفاع مانع اتصال کمتر است، بنابراین SBD از مزیت ولتاژ رو به جلو پایین برخوردار است.ظهور SiC SBD دامنه کاربرد SBD را از 250 ولت به 1200 ولت افزایش داده است.علاوه بر این، ویژگی های آن در دمای بالا خوب است، جریان نشتی معکوس از دمای اتاق به 175 درجه سانتی گراد افزایش نمی یابد. در زمینه کاربرد یکسو کننده های بالای 3 کیلو ولت، دیودهای SiC PiN و SiC JBS به دلیل ولتاژ شکست بالاتر مورد توجه قرار گرفته اند. ، سرعت سوئیچینگ سریع تر، اندازه کوچکتر و وزن سبک تر از یکسو کننده های سیلیکونی.
دستگاه های ماسفت قدرت SiC دارای مقاومت گیت ایده آل، عملکرد سوئیچینگ با سرعت بالا، مقاومت روشن کم و پایداری بالا هستند.این دستگاه ترجیح داده شده در زمینه دستگاه های برق زیر 300 ولت است.گزارش هایی وجود دارد که یک ماسفت کاربید سیلیکون با ولتاژ مسدود کننده 10 کیلو ولت با موفقیت ساخته شده است.محققان بر این باورند که ماسفت های SiC در زمینه ولتاژ 3 تا 5 کیلو ولت موقعیت سودمندی خواهند داشت.
ترانزیستورهای دوقطبی گیت عایق SiC (SiC BJT، SiC IGBT) و SiC Thyristor (SiC Thyristor)، دستگاه های IGBT نوع P SiC با ولتاژ مسدود کننده 12 کیلو ولت دارای قابلیت جریان رو به جلوی خوبی هستند.در مقایسه با ترانزیستورهای دوقطبی Si، ترانزیستورهای دوقطبی SiC 20 تا 50 برابر تلفات سوئیچینگ کمتر و افت ولتاژ روشن شدن کمتری دارند.SiC BJT عمدتاً به امیتر اپیتاکسیال BJT و امیتر کاشت یون BJT تقسیم می شود، افزایش جریان معمولی بین 10-50 است.
| خواص | واحد | سیلیکون | SiC | GaN |
| عرض باند گپ | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
| زمینه خرابی | MV/cm | 0.23 | 2.2 | 3.3 |
| تحرک الکترون | cm^2/در مقابل | 1400 | 950 | 1500 |
| ارزش رانش | 10^7 سانتی متر بر ثانیه | 1 | 2.7 | 2.5 |
| رسانایی گرمایی | W/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |
کاربرد SiC در صنعت LED
در حال حاضر، کریستال یاقوت کبود اولین انتخاب برای مواد بستر مورد استفاده در صنعت دستگاه‌های الکترونیک نوری است، اما یاقوت کبود دارای کاستی‌هایی است که نمی‌توان بر آنها فائق آمد، مانند عدم تطابق شبکه، عدم تطابق تنش حرارتی، مقاومت بالا به عنوان عایق و هدایت حرارتی ضعیف. .بنابراین، ویژگی‌های عالی زیرلایه‌های SiC توجه زیادی را به خود جلب کرده است و به عنوان مواد زیرلایه برای دیودهای ساطع نور مبتنی بر نیترید گالیوم (GaN) و دیودهای لیزری (LDs) مناسب‌تر هستند.داده‌های Cree نشان می‌دهد که استفاده از کاربید سیلیکون دستگاه LED بستر می‌تواند به عمر نگهداری نور ۷۰ درصد تا ۵۰۰۰۰ ساعت دست یابد.مزایای SiC به عنوان بستر LED:
* ثابت شبکه لایه همپای SiC و GaN مطابقت دارد و ویژگی های شیمیایی سازگار است.
* SiC دارای هدایت حرارتی عالی (بیش از 10 برابر بیشتر از یاقوت کبود) و نزدیک به ضریب انبساط حرارتی لایه همپای GaN است.
* SiC یک نیمه هادی رسانا است که می توان از آن برای ساخت دستگاه های ساختار عمودی استفاده کرد.دو الکترود در سطح و پایین دستگاه توزیع شده است، می تواند کاستی های مختلف ناشی از ساختار افقی بستر یاقوت کبود را برطرف کند.
* SiC نیازی به لایه انتشار جریان ندارد، نور توسط مواد لایه انتشار فعلی جذب نمی شود، که باعث بهبود راندمان استخراج نور می شود.
مشخصات زیرلایه کاربید سیلیکون (SiC) با قطر 4 اینچ با خلوص بالا
سطح سیلیکونی: چرخش در جهت عقربه های ساعت در جهت لبه موقعیت یابی اصلی چرخش: 90 درجه ± 5 درجه
سطح کربن: چرخش در خلاف جهت عقربه های ساعت در جهت لبه موقعیت یابی اصلی چرخش: 90 درجه ± 5 درجه
درباره شرکت ZMKJ
ZMKJ می تواند ویفر SiC تک کریستال (سیلیکون کاربید) با کیفیت بالا را برای صنایع الکترونیک و اپتوالکترونیک فراهم کند.ویفر SiC یک ماده نیمه هادی نسل بعدی است، با خواص الکتریکی منحصر به فرد و خواص حرارتی عالی، در مقایسه با ویفر سیلیکونی و ویفر GaAs، ویفر SiC برای کاربرد دستگاه با دمای بالا و قدرت بالا مناسب تر است.ویفر SiC را می توان در قطر 2-6 اینچ، هر دو 4H و 6H SiC، نوع N، دوپ شده نیتروژن و نوع نیمه عایق موجود عرضه کرد.لطفا برای اطلاعات بیشتر محصول با ما تماس بگیرید.
سوالات متداول:
س: روش حمل و نقل و هزینه چیست؟
A: (1) ما DHL، Fedex، EMS و غیره را می پذیریم.
(2) خوب است اگر حساب اکسپرس خود را دارید، اگر نه، ما می توانیم به شما کمک کنیم آنها را ارسال کنید و
باربری I استn مطابق با تسویه حساب واقعی
س: چگونه پرداخت کنیم؟
A: T/T 100٪ سپرده قبل از تحویل.
س: MOQ شما چیست؟
A: (1) برای موجودی، MOQ 1 عدد است.اگر 2-5 عدد بهتر است.
(2) برای محصولات کامن سفارشی، MOQ 10 عدد است.
س: زمان تحویل چقدر است؟
A: (1) برای محصولات استاندارد
برای موجودی: تحویل 5 روز کاری پس از ثبت سفارش است.
برای محصولات سفارشی: تحویل 2 تا 4 هفته پس از تماس با سفارش است.
س: آیا محصولات استاندارد دارید؟
A: محصولات استاندارد ما در انبار.مانند بسترهای 4 اینچی 0.35 میلی متر.