لنز نوری 4x-Semi Sic Silicon Carbon 5x5mmt با خلوص بالا

کاربرد SiC

کریستال SiC یک ماده نیمه هادی مهم با فاصله باند گسترده است.به دلیل هدایت حرارتی بالا، نرخ رانش الکترون بالا، قدرت میدان شکست بالا و خواص فیزیکی و شیمیایی پایدار، به طور گسترده در دماهای بالا، در دستگاه های الکترونیکی فرکانس بالا و توان بالا استفاده می شود.بیش از 200 نوع کریستال SiC وجود دارد که تاکنون کشف شده است.در میان آنها، کریستال های 4H- و 6H-SiC به صورت تجاری عرضه شده اند.همه آنها به گروه نقطه 6 میلی متری تعلق دارند و دارای اثر نوری غیرخطی درجه دوم هستند.کریستال های SiC نیمه عایق قابل مشاهده و متوسط ​​هستند.باند مادون قرمز گذرندگی بالاتری دارد.بنابراین، دستگاه‌های الکترونیک نوری مبتنی بر کریستال‌های SiC برای کاربرد در محیط‌های شدید مانند دمای بالا و فشار بالا بسیار مناسب هستند.ثابت شده است که کریستال نیمه عایق 4H-SiC نوع جدیدی از کریستال نوری غیرخطی مادون قرمز میانی است.در مقایسه با کریستال‌های نوری غیرخطی مادون قرمز میانی که معمولاً مورد استفاده قرار می‌گیرند، کریستال SiC به دلیل کریستال دارای یک شکاف باند وسیع (3.2eV) است.رسانایی حرارتی بالا (490W/m·K) و انرژی پیوند بزرگ (5eV) بین Si-C، به طوری که کریستال SiC آستانه آسیب لیزر بالایی دارد.بنابراین، کریستال نیمه عایق 4H-SiC به عنوان یک کریستال تبدیل فرکانس غیرخطی دارای مزایای آشکاری در خروجی لیزر پرقدرت مادون قرمز میانی است.بنابراین، در زمینه لیزرهای پرقدرت، کریستال SiC یک کریستال نوری غیرخطی با چشم انداز کاربردی گسترده است.با این حال، تحقیقات فعلی بر اساس خواص غیرخطی بلورهای SiC و کاربردهای مرتبط هنوز کامل نشده است.این کار خواص نوری غیرخطی کریستال‌های 4H- و 6H-SiC را به عنوان محتوای اصلی تحقیق در نظر می‌گیرد و هدف آن حل برخی مشکلات اساسی بلورهای SiC از نظر خواص نوری غیرخطی است تا کاربرد کریستال‌های SiC را در این زمینه ارتقا دهد. اپتیک غیر خطیمجموعه ای از کارهای مرتبط به صورت تئوری و تجربی انجام شده است و نتایج اصلی تحقیق به شرح زیر است: ابتدا خواص نوری غیرخطی پایه بلورهای SiC مورد مطالعه قرار می گیرد.شکست دمای متغیر کریستال‌های 4H- و 6H-SiC در باندهای مرئی و مادون قرمز میانی (404.7nm~2325.4nm) آزمایش شد و معادله سلمیر ضریب شکست دمای متغیر برازش شد.برای محاسبه پراکندگی ضریب نوری نوری از تئوری مدل تک نوسانگر استفاده شد.توضیح نظری داده شده است؛تأثیر اثر حرارتی بر روی تطبیق فاز بلورهای 4H- و 6H-SiC مورد مطالعه قرار گرفته است.نتایج نشان می‌دهد که تطبیق فاز کریستال‌های 4H-SiC تحت تأثیر دما قرار نمی‌گیرد، در حالی که کریستال‌های 6H-SiC هنوز نمی‌توانند به تطابق فاز دما دست یابند.وضعیت.علاوه بر این، ضریب دو برابری فرکانس کریستال نیمه عایق 4H-SiC با روش حاشیه ساز مورد آزمایش قرار گرفت.دوم، تولید پارامتر نوری فمتوثانیه و عملکرد تقویت کریستال 4H-SiC مورد مطالعه قرار گرفته است.تطابق فاز، تطبیق سرعت گروه، بهترین زاویه غیر خطی و بهترین طول کریستال کریستال 4H-SiC پمپ شده توسط لیزر فمتوثانیه 800 نانومتر به صورت تئوری تجزیه و تحلیل می‌شوند.با استفاده از لیزر فمتوثانیه با طول موج خروجی 800 نانومتر توسط لیزر Ti:Sapphire به عنوان منبع پمپ، با استفاده از فناوری تقویت پارامتریک نوری دو مرحله ای، با استفاده از کریستال نیمه عایق 4H-SiC به ضخامت 3.1 میلی متر به عنوان یک کریستال نوری غیرخطی، تحت تطابق فاز 90 درجه، برای اولین بار، یک لیزر مادون قرمز میانی با طول موج مرکزی 3750 نانومتر، انرژی تک پالس تا 17μJ و عرض پالس 70fs به صورت تجربی بدست آمد.لیزر فمتوثانیه 532 نانومتری به عنوان نور پمپ استفاده می شود و کریستال SiC 90 درجه منطبق با فاز برای تولید نور سیگنال با طول موج مرکز خروجی 603 ​​نانومتر از طریق پارامترهای نوری است.سوم، عملکرد گسترش طیفی کریستال نیمه عایق 4H-SiC به عنوان یک محیط نوری غیر خطی مورد مطالعه قرار می گیرد.نتایج تجربی نشان می‌دهد که عرض نیمه حداکثر طیف گسترده شده با طول کریستال و چگالی توان لیزری که بر روی کریستال فرو می‌رود افزایش می‌یابد.افزایش خطی را می توان با اصل مدولاسیون خود فاز توضیح داد که عمدتاً ناشی از تفاوت ضریب شکست کریستال با شدت نور فرودی است.در همان زمان، تحلیل می‌شود که در مقیاس زمانی فمتوثانیه، ضریب شکست غیرخطی کریستال SiC ممکن است عمدتاً به الکترون‌های محدود در کریستال و الکترون‌های آزاد در باند رسانایی نسبت داده شود.و فناوری z-scan برای مطالعه اولیه کریستال SiC تحت لیزر 532 نانومتری استفاده می شود.جذب غیر خطی و غیر

عملکرد ضریب شکست خطی

درباره شرکت ZMKJ

ZMKJ می تواند ویفر SiC تک کریستال (سیلیکون کاربید) با کیفیت بالا را برای صنایع الکترونیک و الکترونیک نوری فراهم کند.ویفر SiC یک ماده نیمه هادی نسل بعدی است، با خواص الکتریکی منحصر به فرد و خواص حرارتی عالی، در مقایسه با ویفر سیلیکونی و ویفر GaAs، ویفر SiC برای کاربرد دستگاه با دمای بالا و قدرت بالا مناسب تر است.ویفر SiC را می توان در قطر 2-6 اینچ، هر دو 4H و 6H SiC، نوع N، دوپ شده نیتروژن و نوع نیمه عایق موجود عرضه کرد.لطفا برای اطلاعات بیشتر محصول با ما تماس بگیرید.