زیرلایه نیمه هادی AlN تک کریستال با قطر 10 میلی متر اره 5G

فن آوری نیمه هادی مبتنی بر سیلیکون به محدودیت های خود رسیده است و نمی تواند نیازهای آینده را برآورده کند

لوازم برقی.به عنوان یک نوع معمولی از مواد نیمه هادی نسل 3/4، نیترید آلومینیوم (AlN) دارای

خواص فیزیکی و شیمیایی برتر مانند شکاف باند گسترده، هدایت حرارتی بالا، شکستگی بالا،

تحرک الکترونیکی بالا و مقاومت در برابر خوردگی / تشعشع، و یک بستر عالی برای دستگاه های الکترونیکی نوری است.

دستگاه‌های فرکانس رادیویی (RF)، دستگاه‌های الکترونیکی با توان/فرکانس بالا، و غیره. به ویژه، بستر AlN

بهترین نامزد برای UV-LED، آشکارسازهای UV، لیزرهای UV، دستگاه های RF با قدرت/فرکانس بالا 5G و 5G SAW/BAW

دستگاه هایی که می توانند به طور گسترده در حفاظت از محیط زیست، الکترونیک، ارتباطات بی سیم، چاپ،

زیست شناسی، مراقبت های بهداشتی، نظامی و زمینه های دیگر، مانند تصفیه / استریلیزاسیون UV، درمان اشعه ماوراء بنفش، فوتوکاتالیز، تعداد؟

تشخیص تقلب، ذخیره سازی با تراکم بالا، فتوتراپی پزشکی، کشف دارو، ارتباطات بی سیم و ایمن،

تشخیص هوافضا/عمیق فضا و سایر زمینه ها.

ما مجموعه‌ای از فرآیندها و فناوری‌های اختصاصی را برای ساخت ایجاد کرده‌ایم

قالب های AlN با کیفیت بالادر حال حاضر، OEM ما تنها شرکتی در سراسر جهان است که می تواند 2-6 اینچ AlN تولید کند

قالب در مقیاس بزرگ با قابلیت تولید صنعتی با ظرفیت 300000 قطعه در سال 2020 برای مقابله با مواد منفجره

تقاضای بازار از UVC-LED، ارتباطات بی سیم 5G، آشکارسازها و حسگرهای UV و غیره

 

ما در حال حاضر نیتروژن با کیفیت بالا 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm استاندارد شده را به مشتریان ارائه می کنیم.
محصولات بستر تک کریستال آلومینیومی، و همچنین می توانند 10-20 میلی متر غیر قطبی را به مشتریان ارائه دهند.
بستر تک کریستال نیترید آلومینیومی M-plane یا سفارشی کردن غیر استاندارد 5mm-50.8mm برای مشتریان
زیرلایه تک کریستال نیترید آلومینیوم صیقلی.این محصول به طور گسترده ای به عنوان یک ماده سطح بالا استفاده می شود
مورد استفاده در تراشه های UVC-LED، آشکارسازهای UV، لیزرهای UV، و انواع مختلف با قدرت بالا
میدان دستگاه الکترونیکی /درجه حرارت بالا/فرکانس بالا.

 

 

• مدلUTI-AlN-10x10B-تک کریستال
• قطر 10x10±0.5mm；
• ضخامت بستر (µm) 40050 ±
• گرایشمحور C [0001] +/- 0.5 درجه

درجه کیفیت درجه S (فوق العاده) درجه P (تولید) درجه R (تحقیق)

• ترک هاهیچکدام <3 میلی متر
• FWHM-2θXRD@(0002) <150<300 <500
• FWHM-HRXRD@(10-12) <100<200 <400
• زبری سطح [5×5µm] (nm)Al-face CMP <0.5nm.N-face (سطح پشت) MP <1.2um;
• منطقه قابل استفاده 90%
• جذب <50 <70 <100>
• جهت گیری طولی اول {10-10} ± 5 درجه.
• TTV (μm)≤30
• کمان (μm)≤30
• پیچ و تاب (μm)-30 تا 30
• توجه: این نتایج مشخص‌سازی ممکن است بسته به تجهیزات و/یا نرم‌افزار مورد استفاده کمی متفاوت باشد