جزئیات محصولات

صفحه اصلی محصولات

بستر نیمه هادی

ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW

تمام دسته ها

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

با ما تماس بگیرید

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

اکنون تماس بگیرید

تمام دسته ها

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW

نام تجاری:	ZMKJ
شماره مدل:	تک کریستال UTI-AlN-1 اینچ
مقدار تولیدی:	1 عدد
قیمت:	by case
جزئیات بسته بندی:	ظرف ویفر تک در اتاق نظافت
شرایط پرداخت:	T / T ، Western Union ، پی پال

اطلاعات دقیق

توضیحات محصول

اطلاعات دقیق

محل منبع:

چین

مواد:

کریستال AlN

ضخامت:

400 میلی متر

گرایش:

0001

کاربرد:

دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا/فرکانس بالا

برنامه 2:

دستگاه‌های اره/BAW 5G

Ra:

0.5 نانومتر

سطح جلا داده شده:

Al face cmp، N-face mp

نوع کریستالی:

2 ساعت

قابلیت ارائه:

10 قطعه / ماه

برجسته کردن:

ویفر نیترید آلومینیوم AlN

ویفر نیترید آلومینیوم 50.8 میلی متر

ویفر AlN Devices BAW

توضیحات محصول

دیا 50.8 میلی متر 2 اینچ بستر AlN 1 اینچی / ویفر تک کریستال AlN

ویفرهای تک کریستالی AlN 10x10mm یا قطر 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, dia50.8mm AlN زیر لایه

کاربردهای قالب AlN

ما مجموعه‌ای از فرآیندها و فناوری‌های اختصاصی را برای ساخت ایجاد کرده‌ایم

قالب های AlN با کیفیت بالادر حال حاضر، OEM ما تنها شرکتی در سراسر جهان است که می تواند 2-6 اینچ AlN تولید کند

قالب در مقیاس بزرگ با قابلیت تولید صنعتی با ظرفیت 300000 قطعه در سال 2020 برای مقابله با مواد منفجره

تقاضای بازار از UVC-LED، ارتباطات بی سیم 5G، آشکارسازها و حسگرهای UV و غیره

ما در حال حاضر نیتروژن با کیفیت بالا 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm استاندارد شده را به مشتریان ارائه می کنیم.
محصولات بستر تک کریستال آلومینیومی، و همچنین می توانند 10-20 میلی متر غیر قطبی را به مشتریان ارائه دهند.
بستر تک کریستال نیترید آلومینیومی M-plane یا سفارشی کردن غیر استاندارد 5mm-50.8mm برای مشتریان
زیرلایه تک کریستال نیترید آلومینیوم صیقلی.این محصول به طور گسترده ای به عنوان یک ماده سطح بالا استفاده می شود
مورد استفاده در تراشه های UVC-LED، آشکارسازهای UV، لیزرهای UV، و انواع مختلف با قدرت بالا
میدان دستگاه الکترونیکی /درجه حرارت بالا/فرکانس بالا.

مشخصات مشخصه

مدلUTI-AlN-10x10B-تک کریستال
قطر 10x10±0.5mm； یا dia10mm، dia25.4mm، یا dia30mm، یا dia45mm.
ضخامت بستر (µm) 40050 ±
گرایشمحور C [0001] +/- 0.5 درجه

درجه کیفیت درجه S (فوق العاده) درجه P (تولید) درجه R (تحقیق)

ترک هاهیچکدام <3 میلی متر
FWHM-2θXRD@(0002) <150<300 <500
FWHM-HRXRD@(10-12) <100<200 <400
زبری سطح [5×5µm] (nm)Al-face CMP <0.5nm.N-face (سطح پشت) MP <1.2um;
منطقه قابل استفاده 90%
جذب <50 <70 <100>
جهت گیری طولی اول {10-10} ± 5 درجه.
TTV (μm)≤30
کمان (μm)≤30
پیچ و تاب (μm)-30 تا 30
توجه: این نتایج مشخص‌سازی ممکن است بسته به تجهیزات و/یا نرم‌افزار مورد استفاده کمی متفاوت باشد

ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW 1

ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW 2

ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW 3

ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW 4

عنصر ناخالصی CO Si B Na WPS Ti Fe

PPMW27 90 5.4 0.92 0.23 <0.1 <0.1 <0.5 0.46 <0.5

ساختار کریستالی	Wurtzite
ثابت شبکه (Å)	a=3.112، c=4.982
نوع نوار رسانایی	فاصله باند مستقیم
چگالی (g/cm3)	3.23
ریزسختی سطح (تست Knoop)	800
نقطه ذوب (℃)	2750 (10-100 بار در N2)
هدایت حرارتی (W/m·K)	320
انرژی شکاف باند (eV)	6.28
تحرک الکترون (V·s/cm2)	1100
میدان شکست الکتریکی (MV/cm)	11.7

ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW 5

برچسب‌ها:

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

جزئیات محصولات

ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW

ویفر نیترید آلومینیوم AlN

ویفر نیترید آلومینیوم 50.8 میلی متر

ویفر AlN Devices BAW