SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD 86--15801942596 Eric-wang@sapphire-substrate.com
BAW Devices Dia 50.8mm 1 Inch  AlN Aluminum Nitride Wafer

ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW

  • برجسته

    ویفر نیترید آلومینیوم AlN

    ,

    ویفر نیترید آلومینیوم 50.8 میلی متر

    ,

    ویفر AlN Devices BAW

  • مواد
    کریستال AlN
  • ضخامت
    400 میلی متر
  • گرایش
    0001
  • کاربرد
    دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا/فرکانس بالا
  • برنامه 2
    دستگاه‌های اره/BAW 5G
  • Ra
    0.5 نانومتر
  • سطح جلا داده شده
    Al face cmp، N-face mp
  • نوع کریستالی
    2 ساعت
  • محل منبع
    چین
  • نام تجاری
    ZMKJ
  • شماره مدل
    تک کریستال UTI-AlN-1 اینچ
  • مقدار حداقل تعداد سفارش
    1 عدد
  • قیمت
    by case
  • جزئیات بسته بندی
    ظرف ویفر تک در اتاق نظافت
  • زمان تحویل
    در 30days
  • شرایط پرداخت
    T / T ، Western Union ، پی پال
  • قابلیت ارائه
    10 قطعه / ماه

ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW

دیا 50.8 میلی متر 2 اینچ بستر AlN 1 اینچی / ویفر تک کریستال AlN

ویفرهای تک کریستالی AlN 10x10mm یا قطر 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, dia50.8mm AlN زیر لایه

 

کاربردهای قالب AlN
 
ما مجموعه‌ای از فرآیندها و فناوری‌های اختصاصی را برای ساخت ایجاد کرده‌ایم
قالب های AlN با کیفیت بالادر حال حاضر، OEM ما تنها شرکتی در سراسر جهان است که می تواند 2-6 اینچ AlN تولید کند
قالب در مقیاس بزرگ با قابلیت تولید صنعتی با ظرفیت 300000 قطعه در سال 2020 برای مقابله با مواد منفجره
تقاضای بازار از UVC-LED، ارتباطات بی سیم 5G، آشکارسازها و حسگرهای UV و غیره
 
ما در حال حاضر نیتروژن با کیفیت بالا 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm استاندارد شده را به مشتریان ارائه می کنیم.
محصولات بستر تک کریستال آلومینیومی، و همچنین می توانند 10-20 میلی متر غیر قطبی را به مشتریان ارائه دهند.
بستر تک کریستال نیترید آلومینیومی M-plane یا سفارشی کردن غیر استاندارد 5mm-50.8mm برای مشتریان
زیرلایه تک کریستال نیترید آلومینیوم صیقلی.این محصول به طور گسترده ای به عنوان یک ماده سطح بالا استفاده می شود
مورد استفاده در تراشه های UVC-LED، آشکارسازهای UV، لیزرهای UV، و انواع مختلف با قدرت بالا
میدان دستگاه الکترونیکی /درجه حرارت بالا/فرکانس بالا.
 
 
مشخصات مشخصه
  • مدلUTI-AlN-10x10B-تک کریستال
  • قطر 10x10±0.5mm; یا dia10mm، dia25.4mm، یا dia30mm، یا dia45mm.
  • ضخامت بستر (µm) 40050 ±
  • گرایشمحور C [0001] +/- 0.5 درجه

درجه کیفیت درجه S (فوق العاده) درجه P (تولید) درجه R (تحقیق)

  • ترک هاهیچکدام <3 میلی متر
  • FWHM-2θXRD@(0002) <150<300 <500
  • FWHM-HRXRD@(10-12) <100<200 <400
  • زبری سطح [5×5µm] (nm)Al-face CMP <0.5nm.N-face (سطح پشت) MP <1.2um;
  • منطقه قابل استفاده 90%
  • جذب <50 <70 <100>
  • جهت گیری طولی اول {10-10} ± 5 درجه.
  • TTV (μm)≤30
  • کمان (μm)≤30
  • پیچ و تاب (μm)-30 تا 30
  • توجه: این نتایج مشخص‌سازی ممکن است بسته به تجهیزات و/یا نرم‌افزار مورد استفاده کمی متفاوت باشد
ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW 0

ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW 1

ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW 2

 

ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW 3

ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW 4

 
عنصر ناخالصی CO Si B Na WPS Ti Fe
PPMW27 90 5.4 0.92 0.23 <0.1 <0.1 <0.5 0.46 <0.5
 
 
ساختار کریستالی

Wurtzite

ثابت شبکه (Å) a=3.112، c=4.982
نوع نوار رسانایی فاصله باند مستقیم
چگالی (g/cm3) 3.23
ریزسختی سطح (تست Knoop) 800
نقطه ذوب (℃) 2750 (10-100 بار در N2)
هدایت حرارتی (W/m·K) 320
انرژی شکاف باند (eV) 6.28
تحرک الکترون (V·s/cm2) 1100
میدان شکست الکتریکی (MV/cm) 11.7

ویفر نیترید آلومینیومی AlN با قطر 50.8 میلی متری دستگاه های BAW 5