SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD 86--15801942596 Eric-wang@sapphire-substrate.com
Dia 50.8mm Ge Wafers Semiconductor Substrate Ga Doped Substrate N Type 500um

Dia 50.8mm Ge Wafers Semiconductor Substrate Ga Doped Substrate N Type 500um

  • برجسته

    ویفر اپی نوع N GaAs

    ,

    بستر ویفر سیلیکونی دوپ شده Ga

    ,

    بستر سیلیکونی ویفرز Ge

  • مواد
    پنجره جنرال الکتریک تک کریستال Ge
  • کاربرد
    عناصر نوری مادون قرمز
  • تایپ کنید
    un-doped/ Ga-doped/ n-TYPE
  • مقاومت
    1-100 اهم
  • گرایش
    <100>
  • اندازه
    2 اینچ / 3 اینچ / 4 اینچ
  • سطح
    دو طرف جلا داده شده
  • OEM
    خوب
  • محل منبع
    چین
  • نام تجاری
    zmkj
  • گواهی
    ROHS
  • شماره مدل
    4 اینچ
  • مقدار حداقل تعداد سفارش
    5 عدد
  • قیمت
    by case
  • جزئیات بسته بندی
    ظرف ویفر تک یا جعبه ظرف سفارشی در زیر اتاق تمیز کردن
  • زمان تحویل
    2-4 هفته
  • شرایط پرداخت
    T/T، وسترن یونیون
  • قابلیت ارائه
    1000 عدد در ماه

Dia 50.8mm Ge Wafers Semiconductor Substrate Ga Doped Substrate N Type 500um

ویفرهای جنرال الکتریک با قطر 2 اینچ 50.8 میلی‌متر گالوانیزه دوپینگ، ویفرهای جنرال الکتریک 4 اینچی نوع N 500um

 

ویفر Ge برای کاربرد میکروالکترونیکی

ننوع،Sbدوپ شدهویفر Ge
ننوع،اصلاح نشده ویفر Ge
پنوع،GAدوپ شدهویفر Ge
اندازه موجود: 2-6 اینچ
جهت موجود: (100)، (111)، یا مشخصات سفارشی.
درجه موجود: درجه IR،درجه الکترونیکی و درجه سلولی
مقاومت:
نوع N: 0.007-30 اهم سانتی متر
P - نوع: 0.001-30 اهم سانتی متر
دوپ نشده: >=30 اهم سانتی متر
سطح: به عنوان برش، یک طرف جلا، دو طرف جلا
 
ویفر Ge برای درجه نوری:
SL.No مشخصات مواد:  
1 فرم کریستالی: پلی کریستال
2 نوع رسانایی: نوع n
3 ضریب جذب، در 25 درجه سانتی گراد حداکثر 0.035cm-1 @10.6μm
4 مقاومت معمولی: 3-40 اهم سانتی متر
5 تراکم: 5.3 گرم بر سی سی
6 سختی Mohs: 6.3
7 محتوای اکسیژن: < 0.03 ppm
8 سوراخ ها و اجزاء: <0.05 میلی متر
9 نسبت پواسون: 0.278
10 مدول یانگز (E): 100 Gpa
     
SL.No خواص نوری:  
1 dn/dt از 250-350 K : 4 × 10-4ک-1
2 انتقال در 25 درجه سانتی گراد @10.6 میکرومتر طول موج  
  برای نمونه بدون پوشش با ضخامت 10 میلی متر: حداکثر47 درصد یا بیشتر
3 ضریب شکست @ 10.8 میکرومتر: 4.00372471±0.0005
     
SL.No
خواص حرارتی  
1 نقطه ذوب (K): 1210.4
2 ظرفیت حرارتی @ 300K (J/kg.K): 322
3 رسانایی حرارتی @293 K : 59 وات متر-1ک-1
4 ضریب انبساط حرارتی @ (20 درجه سانتیگراد) (10-6 K): 5.8

ویفر ژرمانیوم جنرال الکتریک تک کریستالی dia25.4mm برای دستگاه نیمه هادی

 

توضیحات شرکت

ZMKJ یک تامین کننده جهانی لنزهای ژرمانیوم تک کریستال و شمش جنرال الکتریک تک کریستال است، ما در ارائه ویفر تک کریستال به صنایع میکرو الکترونیک و نوری الکترونیک در محدوده قطری از 2 اینچ تا 6 اینچ یک مزیت قوی داریم.

ویفر جنرال الکتریک یک ماده نیمه هادی عنصری و محبوب است، به دلیل خواص کریستالوگرافی عالی و خواص الکتریکی منحصر به فرد، ویفر Ge به طور گسترده در کاربردهای حسگر، سلول خورشیدی و اپتیک مادون قرمز استفاده می شود.

ما می توانیم ویفرهای جنرال الکتریک با دررفتگی کم و آماده epi را برای برآورده کردن نیاز منحصر به فرد شما ارائه دهیم.ویفر Ge به صورت نیمه هادی با سیستم کنترل کیفیت خوب تولید می شود، ZMKJ به ارائه محصولات تمیز و باکیفیت جنرال الکتریک اختصاص دارد.

ما می‌توانیم ویفر Gee درجه‌الکترونیک و درجه IR را ارائه دهیم، لطفاً برای اطلاعات بیشتر درباره محصول جنرال الکتریک با ما تماس بگیرید.

 

در محدوده 2 تا 12 میکرومتر، ژرمانیوم رایج‌ترین ماده مورد استفاده برای تولید لنزهای کروی و پنجره‌های مادون قرمز با راندمان بالا در سیستم تصویربرداری است.ژرمانیوم دارای ضریب شکست بالایی است (حدود 4.0 تا باند 2-14μm)، معمولاً به دلیل انحراف رنگی کم آن در سیستم های تصویربرداری کم توان نیازی به اصلاح ندارد.

قابلیت ویفر ژرمانیوم تک کریستالی

ما می توانیم ویفر جنرال الکتریک و شمش جنرال الکتریک درجه الکترونیکی و مادون قرمز را ارائه دهیم، لطفا برای اطلاعات بیشتر درباره محصول جنرال الکتریک با ما تماس بگیرید.
 
رسانایی دوپانت مقاومت
(اهم-سانتی متر)
اندازه ویفر
NA دوپ نشده >= 30 تا 4 اینچ
نوع N Sb 0.001 ~ 30 تا 4 اینچ
نوع P GA 0.001 ~ 30 تا 4 اینچ

Dia 50.8mm Ge Wafers Semiconductor Substrate Ga Doped Substrate N Type 500um 0

Dia 50.8mm Ge Wafers Semiconductor Substrate Ga Doped Substrate N Type 500um 1

Dia 50.8mm Ge Wafers Semiconductor Substrate Ga Doped Substrate N Type 500um 2Dia 50.8mm Ge Wafers Semiconductor Substrate Ga Doped Substrate N Type 500um 3

Dia 50.8mm Ge Wafers Semiconductor Substrate Ga Doped Substrate N Type 500um 4

Dia 50.8mm Ge Wafers Semiconductor Substrate Ga Doped Substrate N Type 500um 5

Dia 50.8mm Ge Wafers Semiconductor Substrate Ga Doped Substrate N Type 500um 6

سوالات متداول
س:آیا شما نمونه ارائه می دهید؟رایگانه یا شارژی؟
·ما می خواهیم نمونه ها را به صورت رایگان در صورت موجود بودن در انبار عرضه کنیم، اما هزینه حمل و نقل را پرداخت نمی کنیم.
س:زمان تحویل شما چقدر است؟
·در مورد موجودی، 3 روز کاری است.
· برای سفارشی، حدود 15-25 روز کاری است که به مقدار دقیق و تاریخ سفارش بستگی دارد.
س:آیا امکان شخصی سازی لنز خاص وجود دارد؟
·بله، برای سفارشی کردن عنصر نوری و پوشش ویژه در اینجا موجود است.
س:نحوه پرداخت؟
·T/T، پرداخت تضمینی آنلاین Alibaba، MoneyGram، West Union، Paypal و غیره.
س:چگونه از امنیت پرداخت اطمینان حاصل کنیم؟
· ZMKJیک تامین کننده قابل اعتماد است، شهرت و کیفیت زندگی شرکت ما است و ما از تضمین تجارت علی بابا پشتیبانی می کنیم.
س: چگونه کالا را ارسال می کنید؟
·نمونه کم ارزش: EUB، E Express of China Post، که ارزان است.
·بسته وزن سبک: DHL، FedEx، TNT، UPS، EMS، SF Express، پست چین؛
·محموله سنگین: از طریق هوا یا دریا، کشتی بر روی پالت.
شرکت ما به دلیل همکاری طولانی مدت با شرکت پیک از تخفیف قابل توجهی برخوردار است.