بستر ویفر آرسنید گالیم نیمه عایق برای روشنایی LED 2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ

روش رشد

VGF

دوپانت

نوع p: Zn

نوع n: Si

شکل ویفر

گرد ( قطر: 2، 3، 4، 6 اینچ)

جهت سطح *

(100)±0.5 درجه

* جهت گیری های دیگر ممکن است در صورت درخواست در دسترس باشد

دوپانت

Si (نوع n)

روی (نوع p)

غلظت حامل (cm-3)

( 0.8-4) × 1018

(0.5-5) × 1019

تحرک (cm2/VS)

( 1-2.5) × 103

50-120

چگالی گام اچ (cm2)

100-5000

3000-5000

قطر ویفر (میلی متر)

0.3±50.8

0.3±76.2

100±0.3

ضخامت (μm)

25±350

25±625

25±625

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

WARP (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

از (میلی متر)

1±17

1±22

1±32.5

OF / IF (میلی متر)

7±1

1±12

1±18

لهستانی*

E/E،
پلی اتیلن،
P/P

E/E،
پلی اتیلن،
P/P

E/E،
پلی اتیلن،
P/P

روش رشد

VGF

دوپانت

نوع SI: کربن

شکل ویفر

دور (DIA: 2، 3، 4، 6")

جهت سطح *

(100)±0.5 درجه

* جهت گیری های دیگر ممکن است در صورت درخواست در دسترس باشد

مقاومت (Ω.cm)

≥ 1 × 107

≥ 1 × 108

تحرک (cm2/VS)

≥ 5000

≥ 4000

چگالی گام اچ (cm2)

1500-5000

1500-5000

قطر ویفر (میلی متر)

0.3±50.8

0.3±76.2

100±0.3

0.3±150

ضخامت (μm)

25±350

25±625

25±625

25±675

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 10

WARP (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 15

از (میلی متر)

1±17

1±22

1±32.5

NOTCH

OF / IF (میلی متر)

7±1

1±12

1±18

N/A

لهستانی*

E/E،
پلی اتیلن،
P/P

E/E،
پلی اتیلن،
P/P

E/E،
پلی اتیلن،
P/P

E/E،
پلی اتیلن،
P/P