 
|
ویفر تک سرامیک کاربید سیلیکون 2 اینچ 4 اینچ Dummy Prime SiC بستر مقاوم در برابر شوک حرارتی
جزئیات محصول:
| محل منبع: | چین |
| نام تجاری: | ZMKJ |
| شماره مدل: | 2 اینچ * 0.43 میلی متر |
پرداخت:
| مقدار حداقل تعداد سفارش: | 3 عدد |
|---|---|
| قیمت: | by case |
| جزئیات بسته بندی: | بسته بندی ویفر یک نفره در اتاق نظافت 100 درجه |
| زمان تحویل: | 2 هفته |
| شرایط پرداخت: | T/T، Western Union، MoneyGram |
| قابلیت ارائه: | 1000 عدد در ماه |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| مواد: | SiC تک کریستال نوع 4H-N | مقطع تحصیلی: | ساختگی / درجه تولید / پرایم |
|---|---|---|---|
| ضخیم: | 0.43 میلی متر | سطح: | جلا داده شده |
| کاربرد: | تست بلبرینگ | قطر: | 2 اینچ * 0.43 میلی متر |
| رنگ: | چای سبز | ||
| برجسته: | بستر SiC ساختگی Prime,بستر SiC 4 اینچی,تک کریستال SiC مقاوم در برابر شوک حرارتی |
||
توضیحات محصول
اندازه سفارشی 2 اینچ / 3 اینچ / 4 اینچ / 6 اینچ 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N شمش SIC / خلوص بالا 4H-N 4 اینچ 6 اینچ با قطر 150 میلی متر سیلیکون کاربید تک کریستال (sic) بسترهای ویفر /زیرلایه های SIC 4 اینچی 4h-N 0.35 میلی متر DSP Prime Zero Grade Silicon Carbide Wafer
درباره کریستال سیلیکون کاربید (SiC)
کاربید سیلیکون (SiC) که با نام کربوراندوم نیز شناخته می شود، نیمه هادی حاوی سیلیکون و کربن با فرمول شیمیایی SiC است.SiC در دستگاه‌های الکترونیک نیمه‌رسانا که در دماهای بالا یا ولتاژ بالا یا هر دو کار می‌کنند استفاده می‌شود. SiC همچنین یکی از اجزای مهم LED است، این یک بستر محبوب برای رشد دستگاه‌های GaN است و همچنین به عنوان پخش‌کننده گرما در موارد بالا عمل می‌کند. LED های قدرت
| ویژگی | 4H-SiC، تک کریستال | 6H-SiC، تک کریستال |
| پارامترهای شبکه | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| توالی انباشته شدن | ABCB | ABCACB |
| سختی Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| تراکم | 3.21 گرم بر سانتی متر مکعب | 3.21 گرم بر سانتی متر مکعب |
| حرارتضریب انبساط | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| ضریب شکست @750nm |
نه = 2.61 |
نه = 2.60 |
| ثابت دی الکتریک | c~9.66 | c~9.66 |
| رسانایی حرارتی (نوع N، 0.02 اهم. سانتی متر) |
a~4.2 W/cm·K@298K |
|
| هدایت حرارتی (نیمه عایق) |
a~4.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K |
| باند شکاف | 3.23 ولت | 3.02 eV |
| خرابی میدان الکتریکی | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| سرعت رانش اشباع | 2.0×105 متر بر ثانیه | 2.0×105 متر بر ثانیه |
مشخصات زیرلایه کاربید سیلیکون (SiC) با قطر 4 اینچ با خلوص بالا
|
ویفر/شمش 4H-N نوع / با خلوص بالا SiC
ویفر/شمش 2 اینچی 4H نوع N SiC
ویفر 3 اینچی 4H نوع N SiC ویفر/شمش 4 اینچی 4H نوع N SiC ویفر/شمش 6 اینچی 4H نوع N SiC |
ویفر 2 اینچی 4H نیمه عایق SiC
ویفر 3 اینچی 4H نیمه عایق SiC ویفر 4 اینچی 4H نیمه عایق SiC ویفر SiC 6 اینچی 4H نیمه عایق |
|
ویفر SiC 6H نوع N
ویفر/شمش 2 اینچی 6H نوع N SiC |
اندازه سفارشی برای 2-6 اینچ
|
درباره شرکت ZMKJ
ZMKJ می تواند ویفر SiC تک کریستال (سیلیکون کاربید) با کیفیت بالا را برای صنایع الکترونیک و الکترونیک نوری فراهم کند.ویفر SiC یک ماده نیمه هادی نسل بعدی است، با خواص الکتریکی منحصر به فرد و خواص حرارتی عالی، در مقایسه با ویفر سیلیکونی و ویفر GaAs، ویفر SiC برای کاربرد دستگاه با دمای بالا و قدرت بالا مناسب تر است.ویفر SiC را می توان در قطر 2-6 اینچ، هر دو 4H و 6H SiC، نوع N، دوپ شده نیتروژن و نوع نیمه عایق موجود عرضه کرد.لطفا برای اطلاعات بیشتر محصول با ما تماس بگیرید.
محصولات ارتباطی ما
ویفر یاقوت کبود ＆ لنز / کریستال LiTaO3 / ویفر SiC / LaAlO3 / SrTiO3 / ویفر / یاقوت سرخ
سوالات متداول
س: روش حمل و نقل و هزینه چیست؟
A: (1) ما DHL، Fedex، EMS و غیره را می پذیریم.
(2) خوب است اگر حساب اکسپرس خود را دارید، اگر نه، ما می توانیم به شما کمک کنیم آنها را ارسال کنید و
حمل و نقل مطابق با تسویه حساب واقعی است.
س: چگونه پرداخت کنیم؟
A: T/T 100٪ سپرده قبل از تحویل.
س: MOQ شما چیست؟
A: (1) برای موجودی، MOQ 1 عدد است.اگر 2-5 عدد بهتر است.
(2) برای محصولات کامن سفارشی، MOQ 10 عدد است.
س: زمان تحویل چقدر است؟
A: (1) برای محصولات استاندارد
برای موجودی: تحویل 5 روز کاری پس از ثبت سفارش است.
برای محصولات سفارشی: تحویل 2 تا 4 هفته پس از تماس با سفارش است.
س: آیا محصولات استاندارد دارید؟
A: محصولات استاندارد ما در انبار.مانند بسترهای 4 اینچی 0.35 میلی متر.