ویفرهای فسفید ایندیوم تک کریستال InP 350 - 650 میلی متر ضخامت
جزئیات محصول:
محل منبع: | چین |
نام تجاری: | zmkj |
شماره مدل: | InP |
پرداخت:
مقدار حداقل تعداد سفارش: | 3 عدد |
---|---|
قیمت: | by case |
جزئیات بسته بندی: | بسته بندی تک ویفر در اتاق نظافت 1000 درجه |
زمان تحویل: | 2-4 هفته |
شرایط پرداخت: | T/T، وسترن یونیون |
قابلیت ارائه: | 500 عدد |
اطلاعات تکمیلی |
|||
مواد: | InP | روش رشد: | vFG |
---|---|---|---|
اندازه: | 2 ~ 4 اینچ | ضخامت: | 350-650 میلی متر |
کاربرد: | مواد نیمه هادی باندگپ مستقیم III-V | سطح: | ssp/dsp |
بسته بندی: | جعبه ویفر تک | ||
برجسته: | ویفرهای فسفید ایندیوم تک کریستال,ویفرهای فسفید ایندیوم 650 میلیمتری,ویفرهای زیر لایه نیمه هادی InP |
توضیحات محصول
ویفرهای 2 اینچی InP 3 اینچ 4 اینچ N/P TYPE InP زیرلایه نیمه هادی ویفرهای دوپ شده S+/ Zn+ /Fe + ایندیوم بر پایه فسفید اپیتاکسیال ویفر تک کریستال ویفر ایندیوم فسفید ویفر InP ویفر 2 اینچ/3 اینچ/4 اینچ دوپیم 3505 لایه
اندازه (میلی متر)
|
Dia50.8x0.5mm، 10×10×0.5mm، 10×5×0.5mm می تواند سفارشی شود
|
Ra
|
زبری سطح (Ra):<=5A
|
لهستانی
|
تک یا دو طرف جلا داده شده
|
بسته
|
100 یک یا دو طرف پولیش
|
این دارای مزایای سرعت رانش محدود الکترونیکی بالا، مقاومت در برابر تشعشع خوب و هدایت گرما خوب است.مناسب برای
ساخت دستگاه های مایکروویو و مدارهای مجتمع با فرکانس بالا، سرعت بالا و توان بالا.
ویژگی های Inp Wafer
کارایی.
2. با استفاده از ابزار جهت گیری اشعه ایکس برای جهت گیری دقیق، انحراف جهت کریستال تنها 0.5 ± درجه است.
3. ویفر توسط فناوری پرداخت مکانیکی شیمیایی (CMP) با زبری سطح <0.5nm جلا داده می شود.
4. برای رسیدن به "جعبه باز آماده برای استفاده" الزامات
5. با توجه به نیاز کاربر، مشخصات ویژه پردازش محصول
قطر ویفر (میلی متر)
|
0.3±50.8
|
0.3±76.2
|
100±0.3
|
ضخامت (اوم)
|
25±350
|
25±625
|
25±625
|
TTV-P/P(um)
|
≤10
|
≤10
|
≤10
|
TTv-P/E(um)
|
≤10
|
≤15
|
≤15
|
WARP(ام)
|
≤15
|
≤15
|
≤15
|
OF(mm)
|
1±17
|
1±22
|
1±32.5
|
OF/IF (mm)
|
7±1
|
1±12
|
11±18
|
شرح | کاربرد | محدوده طول موج |
ویفر Epi مبتنی بر InP | لیزر FP | ~ 1310 نانومتر؛~ 1550 نانومتر؛ ~ 1900 نانومتر |
لیزر DFB | 1270nm ~ 1630nm | |
تشخیص عکس بهمن | 1250nm ~ 1600nm | |
ردیاب عکس | 1250nm~1600nm/>2.0um (لایه جذبی InGaAs)؛ <1.4μm (لایه جذبی InGaAsP) |
نام محصول |
ورق بستر پلی کریستالی ایندوم فسفید با خلوص بالا |
کریستال فسفید ایندیم دوپ شده با آهن |
کریستال فسفید ایندیم نوع N و نوع P |
شمش تک کریستال فسفید ایندیوم 4 اینچ |
ویفر اپیتاکسیال مبتنی بر فسفید ایندیم |
بستر کریستال نیمه هادی فسفید ایندیم |
بستر تک کریستال فسفید ایندیم |
بستر تک کریستال آنتیموناید ایندیوم |
بستر تک کریستال آرسنیک ایندیوم |
--- سوالات متداول -
س: آیا شما یک شرکت تجاری یا سازنده هستید؟
پاسخ: zmkj یک شرکت بازرگانی است اما یک تولید کننده یاقوت کبود دارد
به عنوان تامین کننده ویفرهای مواد نیمه هادی برای گستره وسیعی از کاربردها.
س: زمان تحویل شما چقدر است؟
A: به طور کلی 5-10 روز اگر کالا در انبار باشد.یا اگر کالا نباشد 15-20 روز است
در انبار، با توجه به مقدار است.