 
|
اکسید حرارتی SiO2 ضخیم در سیلیکون برای سیستم ارتباطات نوری
جزئیات محصول:
| محل منبع: | چین |
| نام تجاری: | ZMSH |
| گواهی: | ROHS |
| شماره مدل: | ویفر SI |
پرداخت:
| مقدار حداقل تعداد سفارش: | 10 عدد |
|---|---|
| قیمت: | by quantites |
| جزئیات بسته بندی: | ظرف ویفر تک |
| زمان تحویل: | 2-4 هفته |
| شرایط پرداخت: | وسترن یونیون، T/T |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| مواد: | ویفر سیلیکونی و SiO2 | کاربرد: | جفت ستاره، اسپلیتر |
|---|---|---|---|
| ضخامت SiO2: | 25mm +/-6um | بسته بندی: | ظرف ویفر تک |
| برجسته: | سی سی او 2 اکسید سیلیکون سیلیکون,سیستم ارتباطات نوری سی او 2 وفر,سیلیکون نیمه هادی روی وافرهای سفیر,Optical Communication System SiO2 Wafer,Semiconductor Silicon On Sapphire Wafers |
||
توضیحات محصول
Sapphiآکسید حرارتی ضخامت بزرگ (SiO2) در سیلیکون های سیلیکون برای سیستم ارتباطات نوری
به طور کلی ضخامت لایه اکسید وافرهای سیلیکون عمدتاً زیر 3um متمرکز است.و کشورها و مناطق که می توانند به طور پایدار تولید لایه اکسید ضخیم با کیفیت بالا (بالاتر از 3um) وافل سیلیکون هنوز تحت سلطه ایالات متحده است، ژاپن، کره جنوبی و تایوان، چین. این پروژه با هدف شکستن بهره وری ساخت فیلم،محدودیت ضخامت فیلم و کیفیت ساخت فیلم فیلم اکسید (SiO) در فرآیند رشد لایه اکسید فعلی، و تولید حداکثر 25um ((+ 5٪) لایه اکسید فوق ضخیم سیلیکون با کیفیت بالا و بهره وری بالا در زمان نسبتا کوتاه.شاخص شکستگی 1550nm 1.4458+00001• به محلی سازی 5G و ارتباطات نوری کمک کنید.
دلايلیک روز ارتباطات نوری جایگزین ارتباطات سیم و مایکروویو می شود و جریان اصلی ارتباطات می شود
- دستگاه های ارتباطی نوری پایه ساخت سیستم ها و شبکه های ارتباطی نوری هستند
- دستگاه غیرفعال نوری بخشی مهم از تجهیزات ارتباطی فیبر نوری است و همچنین یک جزء ضروری از سایر کاربردهای فیبر نوری است.
- دستگاه غیرفعال نوری عملکرد اتصال، کاهش انرژی، عایق بندی معکوس یا شنت، نوسازی سیگنال و فیلتر در مسیر نوری را انجام می دهد
- در میان آنها، Splitter، Star coupler، Optical switch، Wavelength Division Multiplexer (WDM) ، array waveguide grating (AWG) و غیره،همه دستگاه های غیرفعال نوری بر اساس راه حل های فناوری موج هدایت نوری مسطح هستند..
- برای هدایت موج نوری، سیلیس (Sio) ، با خواص نوری و الکترومکانیکی خوب و ثبات حرارتی،به عنوان عملی ترین و امیدوار کننده ترین رویکرد فنی برای ادغام نوری منفعل در نظر گرفته می شود..
استفاده از اکسید حرارتی (SiO2) بر روی سیلیکون
- در زمینه توسعه سریع شبکه های 5G و ارتباطات نوری و همچنین افزایش نیازهای مردم برای انتقال و تبادل اطلاعات،تلاش برای سرعت بالا و تاخیر کم بی پایان است
- به عنوان یک حامل عالی مسیر نوری، دی اکسید سیلیکون (SiO2) همچنین الزامات بالاتر و بیشتر برای ضخامت و خلوص خود را مطرح کرده است.و لایه اکسید سیلیکون یک ماده ضروری برای پشتیبانی از دستگاه های ارتباطی نوری است..
- کشورها و مناطقی که می توانند لایه اکسید ضخیم (بیش از 3um) را با کیفیت بالا و ثبات تولید کنند هنوز عمدتا ایالات متحده، ژاپن، کره جنوبی و تایوان، چین هستند.
روش تولید
وافرهای سیلیکون از طریق لوله های کوره در حضور عوامل اکسید کننده در دماهای بالا لایه های سیلیکون را تشکیل می دهند، فرآیندی که به عنوان اکسیداسیون حرارتی شناخته می شود.محدوده دما از 900 تا 1 کنترل می شود،250°C؛ نسبت گاز اکسید کننده H2:O2 بین 1 است.5۱ و ۳:1با توجه به اندازه وافره سیلیکون، بدون ضخامت اکسیداسیون از دست دادن جریان متفاوت خواهد بود. ️ سفتر سیلیکون زیربنایی سیلیکون 6 "یا 8" تک کریستال با ضخامت لایه اکسید 0 است.1μm تا 25μm
مشخصات استاندارد
|
پست ها |
مشخصات |
| ضخامت لایه | 20٪ |
| یکنواختگی (در یک وافر) | 土0.5% |
| یکنواختگی (بین وافل ها) | 土0.5% |
| شاخص انكساری (@1550nm) | 1.4458+00001 |
| ذرات | ≤50متوسط اندازه گیری شده <10 |
جزئیات محصولات