 |
رنگ روشن ساختار کریستالی 4H-SiC 6H-SiC نیمه عایق SiC سخت بودن مکانیکی بالا
جزئیات محصول:
| محل منبع: | چین |
| نام تجاری: | ZMSH |
| شماره مدل: | SiC نیمه عایق |
پرداخت:
| مقدار حداقل تعداد سفارش: | 5 |
|---|---|
| زمان تحویل: | 2-4 هفته |
| شرایط پرداخت: | T/T |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| چند تایپ: | 4 ساعت 6 ساعت | مقاومت (RT) زبری سطح: | > 1E5 Ω.cm |
|---|---|---|---|
| زبری سطح: | 0.5 نانومتر (Si-face CMP Epi-ready) | FWHM: | A<30 ثانیه قوس |
| TTV: | 25 میلی متر | تعظیم: | 25 میلی متر |
| پیچ و تاب: | 25 میلی متر | جهت گیری مسطح اولیه: | <11-20>+5.0 درجه |
| پوشش سطح: | تک یا دو صورت جلا داده شده | منطقه قابل استفاده: | ≥ 90٪ |
| برجسته: | سختي ميكانيكي بالا سي سي نيمه عایق,ساختار کریستالی 4H-SiC,وافرهای سی سی نیمه عایق کننده,Crystal Structure 4H-SiC,Semi-Insulating SiC Wafers |
||
توضیحات محصول
خلاصه
4-Hسی سی نیمه عایق کنندهسبسترات یک ماده نیمه هادی با عملکرد بالا با طیف گسترده ای از برنامه های کاربردی است. نام آن از رشد آن بر روی ساختار کریستالی 4H گرفته شده است.این بستر دارای ویژگی های الکتریکی استثنایی است، از جمله مقاومت بالا و غلظت حامل پایین، آن را انتخاب ایده آل برای فرکانس رادیویی (RF) ، مایکروویو و دستگاه های الکترونیکی قدرت می کند.
ویژگی های اصلی 4-Hسی سی نیمه عایق کنندهزیربنای دارای خواص الکتریکی بسیار یکنواخت، غلظت کم ناخالصی و ثبات حرارتی برجسته است.این ویژگی ها آن را مناسب برای ساخت دستگاه های قدرت RF با فرکانس بالا، حسگرهای الکترونیک درجه حرارت بالا و تجهیزات الکترونیک مایکروویو.قدرت میدان تجزیه بالا و رسانایی حرارتی عالی نیز آن را به عنوان بستر مورد علاقه برای دستگاه های با قدرت بالا قرار می دهد.
علاوه بر این، 4-Hسی سی نیمه عایق کنندهزیربنای نشان می دهد ثبات شیمیایی عالی، اجازه می دهد تا آن را به کار در محیط های خوردنی و گسترش طیف وسیعی از برنامه های کاربردی.نقش مهمی در صنایع مانند تولید نیمه هادی دارد.، مخابرات، دفاع و آزمایشات فیزیک انرژی بالا.
به طور خلاصه، 4-Hسی سی نیمه عایق کنندهزیربنایی با خواص الکتریکی و حرارتی برجسته آن،در زمینه نیمه هادی ها امیدوار کننده است و یک پایه قابل اعتماد برای تولید دستگاه های الکترونیکی با عملکرد بالا فراهم می کند.
خواص
دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا:سی سی نیمه عایق کنندهبرای دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا و فرکانس بالا به دلیل ولتاژ شکستن بالا و رسانایی حرارتی بالا ایده آل است. در MOSFET های قدرت، دیودها و IGBT استفاده می شود.
دستگاه های RF: به دلیل رسانایی حرارتی بالا و از دست دادن کم،سی سی نیمه عایق کنندهدر دستگاه های RF مانند تقویت کننده های قدرت مایکروویو و ترانزیستورهای RF استفاده می شود.
دستگاه های اپتو الکترونیک:سی سی نیمه عایق کنندههمچنین دارای خواص اپتوالکترونیکی عالی است، که آن را برای تولید LED ها، لیزرها و فتودتکتورها مناسب می کند.
دستگاه های الکترونیکی در محیط های با دمای بالا: نقطه ذوب بالایی و پایداری شیمیایی عالی این ماده باعث می شودسی سی نیمه عایق کنندهبه طور گسترده در دستگاه های الکترونیکی که در محیط های با دمای بالا کار می کنند، مانند کنترل فرآیند هوافضا، خودرو و صنعتی استفاده می شود.
دستگاه های مقاوم به تشعشعات:سی سی نیمه عایق کنندهبه شدت در برابر تشعشعات مقاوم است، که آن را مناسب برای دستگاه های الکترونیکی تشعشعات در راکتورهای هسته ای و کاربردهای فضایی می کند.
حسگرها: خواص منحصر به فردسی سی نیمه عایق کنندهمواد آن را برای تولید انواع مختلف سنسورها مانند سنسورهای دمایی، سنسورهای فشار و سنسورهای شیمیایی مناسب می کند.
ویژگی ها:
مقاومت بالا:سی سی نیمه عایق کنندهدارای مقاومت بسیار بالا است، به این معنی که می تواند به طور موثر مانع از جریان جریان الکتریکی شود، که آن را برای استفاده به عنوان یک لایه عایق در دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا مناسب می کند
رسانایی حرارتی بالا:SiCمواد دارای رسانایی حرارتی بسیار بالا هستند، که به سرعت و به طور کارآمد به تبعید گرما از دستگاه ها کمک می کند و در نتیجه عملکرد و قابلیت اطمینان دستگاه را افزایش می دهد.
ولتاژ قطع بالا:سی سی نیمه عایق کنندهولتاژ قطع بسیار بالا دارد، به این معنی که می تواند در کاربردهای ولتاژ بالا بدون تجربه قطع برق کار کند.
ثبات شیمیایی عالی:SiCاز نظر شیمیایی در طیف گسترده ای از دمای پایدار است و در برابر اکثر اسیدهای و قواعد بسیار مقاوم است.
نقطه ذوب بالا:SiCدارای نقطه ذوب بسیار بالا، تقریباً 2730 درجه سانتیگراد (4946 درجه فارنهایت) است، که به آن اجازه می دهد در محیط های با دمای بسیار بالا ثبات خود را حفظ کند.
تحمل تشعشعات: نیمه عایقSiCنشان دهنده تحمل بالایی نسبت به تشعشعات است، که باعث می شود در رآکتورهای هسته ای و برنامه های فضایی عملکردی عالی داشته باشد.
خواص مکانیکی عالی:SiCیک ماده بسیار سخت است، که مقاومت بسیار عالی در برابر فرسایش و قدرت بالایی دارد.
نیمه هادی باند گپ وسیع:SiCیک نیمه هادی با باند گپ گسترده است که دارای تحرک الکترون بالا و جریان نشت کم است که منجر به عملکرد برجسته در دستگاه های الکترونیکی با دمای بالا و فرکانس بالا می شود.
| مالکیت | توضیحات |
| مقاومت بالا | دارای مقاومت الکتریکی بسیار بالا است که به عنوان یک عایق موثر در دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا عمل می کند. |
| رسانایی حرارتی بالا | به سرعت و به طور کارآمد گرمایی را از بین می برد و عملکرد و قابلیت اطمینان دستگاه را افزایش می دهد. |
| ولتاژ قطع بالا | می تواند در شرایط ولتاژ بالا بدون شکست الکتریکی کار کند. |
| ثبات شیمیایی عالی | در طیف گسترده ای از دماها پایدار باقی می ماند و در برابر اکثر اسید ها و قواعد بسیار مقاوم است. |
| نقطه ذوب بالا | ثبات در محیط های با دمای بالا و نقطه ذوب در حدود 2 برقرار می کند.730زندانی شدنC (4) ،946زندانی شدنF). |
| تحمل تشعشعات | مقاومت بالایی در برابر تشعشعات دارد و برای استفاده در راکتورهای هسته ای و برنامه های فضایی مناسب است. |
| خواص مکانیکی عالی | مواد بسیار سخت، مقاومت قابل توجهی در برابر فرسایش و قدرت بالا را فراهم می کند. |
| نیمه هادی باند گپ گسترده | عملکرد خوبی در کاربردهای با دمای بالا و فرکانس بالا به دلیل تحرک الکترون بالا و جریان نشت کم دارد. |
بسته بندی و حمل:
سیلیکون کاربید (SiC) وافرهایی تکه های نازک از مواد نیمه هادی هستند که عمدتا برای الکترونیک قدرت استفاده می شوند.مهم است که دستورالعمل های بسته بندی و حمل و نقل مناسب را دنبال کنید..
بسته بندی
- وافرها باید در بسته بندی امن ESD ارسال شوند.
- هر وافر باید با مواد ایمن ESD مانند فوم ESD یا پوشش حباب بسته شود.
- بسته بندی باید با نوار ایمنی ESD مهر و موم شود.
- بسته بندی باید با نماد امن ESD و برچسب "Fragile" برچسب گذاری شود.