Name: زیرلایه نیمه هادی ضخیم 350 um 2 اینچ تک کریستال InP
Uploaded: 2026-03-10CDT21:17:53-05:00
Duration: 5 s
Description: Discover the high-quality Single Crystal InP Indium Phosphide Wafers with thickness ranging from 350-650um. Ideal for high-frequency, high-speed, and high-power microwave devices, these wafers are precision-engineered for superior performance in electronics and optics.

گپ تماس با ما

زیرلایه نیمه هادی ضخیم 350 um 2 اینچ تک کریستال InP

ویدیوهای دیگر

February 20, 2023

کلمه کلیدی: بستر نیمه هادی

گپ تماس با ما

برچسب‌ها:

#substrate gasb #substrate wafer #ویفرهای فسفید ایندیوم تک کریستال

توضیحات ویدیو:

Discover the high-quality Single Crystal InP Indium Phosphide Wafers with thickness ranging from 350-650um. Ideal for high-frequency, high-speed, and high-power microwave devices, these wafers are precision-engineered for superior performance in electronics and optics.

ویدیو های مرتبط