 |
ویفر سفالی سیلیکون کاربید 10x10x0.5mm 4H-N SiC کریستال چیپس
جزئیات محصول:
| محل منبع: | چين |
| نام تجاری: | ZMKJ |
| شماره مدل: | 10x10x0.5mmt |
پرداخت:
| مقدار حداقل تعداد سفارش: | 1pcs |
|---|---|
| قیمت: | by case |
| جزئیات بسته بندی: | بسته بندی ویفر تک در اتاق تمیز کردن 100 درجه |
| زمان تحویل: | 1-6 هفته |
| شرایط پرداخت: | T/T، وسترن یونیون، MoneyGram |
| قابلیت ارائه: | 1-50 عدد / ماه |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| ماده: | SiC تک کریستال 4H-N نوع | مقطع تحصیلی: | ساختگی / درجه تولید |
|---|---|---|---|
| نانوذرات: | 0.5 میلی متر | Suraface: | جلا |
| کاربرد: | تست تحمل | قطر: | 10x10x0.5mmt |
| رنگ: | قهوه ای تیره | ||
| برجسته: | سیلیکون روی ویفر یاقوت کبود,ویفر sic |
||
توضیحات محصول
خواص خالص 4H-N 4inch 6inch dia 150mm سیلیکون کاربید کریستال کریستال (sic) ورق های S / Customzied به عنوان سفارشی / 10x10x0.5mmt / 2inch / 3inch / 4inch / 6inch 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N SIC وفل های SIC
درباره سیلیکون کاربید (SiC) کریستال
سیلیکون کاربید (SiC)، همچنین به عنوان کربوراندوم شناخته می شود، نیمه هادی حاوی سیلیکون و کربن با فرمول شیمیایی سی سی است. سی سی در دستگاه های الکترونیک نیمه هادی که در دماهای بالا یا ولتاژ بالا عمل می کنند یا هر دو از آنها استفاده می شود استفاده می شود. سی سی همچنین یکی از اجزای مهم ال.جی است، یک بستر محبوب برای افزایش دستگاه های GaN است و همچنین به عنوان یک پخش کننده گرما در بالا چراغ های قدرت
| ویژگی | 4H-SiC، کریستال تک | 6H-SiC، کریستال تک |
| پارامترهای شبکه | a = 3.076 Å c = 10.053 Å | a = 3.073 Å c = 15.117 Å |
| توالی انباشته | ABCB | ABCACB |
| سختی Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| تراکم | 3.21 g / cm3 | 3.21 g / cm3 |
| ترم ضریب انبساط | 4-5 × 10-6 / K | 4-5 × 10-6 / K |
| شاخص انعکاس @ 750 نانومتر | بدون = 2.61 | نه = 2.60 |
| ثابت دی الکتریک | c ~ 9.66 | c ~ 9.66 |
| هدایت حرارتی (N-type، 02.02 ohm.cm) | A 4.2 W / cm · K @ 298K | |
| هدایت حرارتی (نیمه عایق) | ~ 4.9 W / cm · K @ 298K | ~ 4.6 W / cm · K @ 298K |
| باند شکاف | 3.23 EV | 3.02 عدد |
| میدان الکتریکی شکست خورده | 3-5 × 106V / cm | 3-5 × 106V / cm |
| سرعت رانندگی اشباع | 2.0 × 105m / s | 2.0 × 105m / s |
خلوص بالا 4 اینچ قطر سیلیکون کاربید (SiC) مشخصات بستر
4H-N نوع / خلوص بالا SiC ویفر / شمش 2 اینچ 4H N-Type SiC ویفر / شمش 3 اینچ 4H N-Type SiC ویفر 4 اینچ 4H N-Type SiC ویفر / شمش ویفر 6 اینچ 4H N-Type سیلیکات / شمش |
2 اینچ 4H نیمه جداسازی ویفر سی سی 3 اینچ 4H نیمه جداسازی ویفر سی سی 4 اینچ 4H نیمه جداسازی ویفر سی سی 6 اینچ 4H نیمه جداسازی ویفر سی سی |
6H N-Type SiC wafer 2 اینچ 6H N-Type SiC ویفر / شمش | اندازه سفارشی برای 2-6 اینچ |
درباره شرکت ZMKJ
ZMKJ می تواند ویفر سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سیلیکون ویفر یک ماده نیمه رسانای نسل بعدی است که با خواص الکتریکی منحصر به فرد و خواص حرارتی عالی، در مقایسه با ویفر سیلیکونی و ویفر GaAs، ویفر سی سی برای دستگاه های با درجه حرارت بالا و کاربرد بالا مناسب است. ویفر سی سی را می توان در قطر 2-6 اینچ، هر دو 4H و 6H SiC، نوع N، نیتروژن دوده و نوع نیمه ایزوله در دسترس عرضه می شود. لطفا برای کسب اطلاعات بیشتر با ما تماس بگیرید.
محصولات ارتباطی ما
وفل سفال و لیزر / LiTaO3 کریستال / ویفر سی سی / LaAlO3 / SrTiO3 / ویفر / روبی توپ
