 |
لنزهای کارفید سیلیکون شفاف و بی رنگ شفاف
جزئیات محصول:
| محل منبع: | چين |
| نام تجاری: | ZMKJ |
| شماره مدل: | خلوص بالا 4 اینچ |
پرداخت:
| مقدار حداقل تعداد سفارش: | 1pcs |
|---|---|
| جزئیات بسته بندی: | بسته ویفر یک نفره در اتاق تمیز کردن 100 طبقه |
| زمان تحویل: | 1-6 هفته |
| شرایط پرداخت: | T/T، وسترن یونیون، MoneyGram |
| قابلیت ارائه: | 1-50 قطعه در ماه |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| مواد: | SiC بلور تک 4H-N نوع | مقطع تحصیلی: | ساختگی / تحقیق / درجه تولید |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 350um یا 500um | فضای اضافی: | CMP / MP |
| کاربرد: | تست پولیش سازنده دستگاه | قطر: | 100 ± 0.3 میلی متر |
| برجسته: | بستر کاربید سیلیکون,ویفر سیلیک |
||
توضیحات محصول
لنزهای ویفر سیلیکون کاربید SiC با خلوص بالا و خلوص بالا 2 و 3/3/4/6 اینچ بدون مقاومت
لنزهای ویفر سیلیکون کاربید SiC با خلوص بالا 2/3/4/6 اینچ با خلوص بالا شفاف است خلوص بالا 4H-N 4 اینچ 6 اینچ دیا 150 میلی متر کاربید سیلیکون تک کریستال (sic) بستر ویفر ، شمش کریستال سیسیک بسترهای نیمه هادی sic ،ویفر کریستال سیلیکون کاربید / ویفرهای برش sic سفارشی
درباره کریستال سیلیکون کاربید (SiC)
Silicon carbide (SiC), also known as carborundum, is a semiconductor containing silicon and carbon with chemical formula SiC. کاربید سیلیکون (SiC) که به عنوان carborundum نیز شناخته می شود ، یک نیمه هادی است که حاوی سیلیکون و کربن با فرمول شیمیایی SiC است. SiC is used in semiconductor electronics devices that operate at high temperatures or high voltages, or both.SiC is also one of the important LED components, it is a popular substrate for growing GaN devices, and it also serves as a heat spreader in high-power LEDs. SiC در وسایل الکترونیکی نیمه هادی که در دماهای بالا یا ولتاژهای بالا کار می کنند ، استفاده می شود. چراغ های برق
ویژگی های تک بلور 4H-SiC
- پارامترهای مشبک: a = 3.073Å c = 10.053Å
- دنباله جمع آوری: ABCB
- سختی محص: 9.2 پوند
- تراکم: 3.21 گرم در سانتی متر مربع
- Therm. گرما Expansion Coefficient: 4-5×10-6/K ضریب انبساط: 4/5 × 10-6 / K
- فهرست شکست: no = 2.61 ne = 2.66
- دی الکتریک ثابت: 9.6
- رسانایی حرارتی: a 4.2 W / cm · K @ 298K
- (نوع N ، 0.02 اهم. cm) c 7 3.7 W / cm · K @ 298K
- رسانایی حرارتی: 4.9 پوند W / cm · K @ 298K
- (نیمه عایق) c 3.9 W / cm · K @ 298K
- Band-gap: 3.23 eV Band-gap: 3.02 eV
- میدان الکتریکی شکستنی: 5 3-5 5 6 6V / m
- سرعت اشباع Drift: 2.0 × 105m /
مشخصات بستر سیلیکون کاربید با قطر 4 اینچ با خلوص بالا
مشخصات 4/4 اینچ قطر با کیفیت بالا 4 درجه خلوص سیلیکون کاربید
|
مالکیت متعارف |
درجه تولید |
درجه تحقیق |
درجه ساختگی |
|
قطر |
100.0 میلی متر+0.0 / -0.5 میلی متر |
||
|
جهت یابی سطح |
01 0001} ± 0.2 ° |
||
|
جهت گیری مسطح اولیه |
<11-20> ± 5.0 |
||
|
جهت گیری مسطح ثانویه |
CW 90.0 from از اولیه 5.0 5.0 ̊ ، سیلیکون رو به بالا |
||
|
طول مسطح اولیه |
32.5 میلی متر ± 2.0 میلی متر |
||
|
طول تخت ثانویه |
18.0 میلی متر ± 2.0 میلی متر |
||
|
ویفر لبه |
چمبر |
||
|
تراکم میکروپیپ |
5 میکروپیپس بر سانتی متر2 |
≤10 میکروپیپس در سانتی متر2 |
50 پوند میکروپیپس بر سانتی متر2 |
|
نواحی Polytype توسط نور با شدت زیاد |
هیچ یک مجاز نیست |
≤مساحت 10٪ |
|
|
مقاومت |
≥1E5 · cm |
(مساحت 75٪)E1E5 · cm |
|
|
ضخامت |
350.0 میکرومتر ± 25.0 میکرومتر یا 50μ 0.0 .0 .0.0.0 |
||
|
TTV |
≦10μm |
≦15 میکرومتر |
|
|
تعظیم(قدر مطلق) |
≦25 میکرومتر |
≦30 میکرومتر |
|
|
تار |
≦45 میکرومتر |
||
|
سطح نهایی |
Double Side Polish، Si Face CMP(پولیش شیمیایی) |
||
|
زبری سطح |
CMP Si Face Ra≤0.5 نانومتر |
N / A |
|
|
ترک های ناشی از نور شدید |
هیچ یک مجاز نیست |
||
|
تراشه ها / شاخک ها را با استفاده از نور منتشر کنید |
هیچ یک مجاز نیست |
Qty.2 <عرض و عمق 1.0 میلی متر |
Qty.2 <عرض و عمق 1.0 میلی متر |
|
مساحت قابل استفاده |
90 ≥ |
80 ≥ |
N / A |
* مشخصات دیگر با توجه به مشتری قابل تنظیم است"الزامات
مشخصات 6 عیار نیمه عایق 4H-SiC با خلوص بالا
|
ویژگی |
درجه (فوق العاده) درجه |
پ(تولید)مقطع تحصیلی |
ر(پژوهش)مقطع تحصیلی |
د(آدمک)مقطع تحصیلی |
|
قطر |
150.0 میلی متر ± 0.25 میلی متر |
|||
|
جهت یابی سطح |
01 0001} ± 0.2 ° |
|||
|
جهت گیری مسطح اولیه |
<11-20> ± 5.0 |
|||
|
جهت گیری مسطح ثانویه |
N / A |
|||
|
طول مسطح اولیه |
47.5 میلی متر ± 1.5 میلی متر |
|||
|
طول مسطح ثانویه |
هیچ یک |
|||
|
ویفر لبه |
چمبر |
|||
|
تراکم میکروپیپ |
≤1 / cm2 |
/ 5 / سانتی متر2 |
≤10 / cm2 |
≤50 / cm2 |
|
منطقه Polytype توسط شدت نور زیاد |
هیچ یک |
٪ 10٪ |
||
|
مقاومت |
E1E7 Ω · سانتی متر |
(مساحت 75٪)E1E7 Ω · سانتی متر |
||
|
ضخامت |
350.0 میکرومتر ± 25.0 میکرومتر یا 500.0 میکرومتر ± 25.0 میکرومتر |
|||
|
TTV |
≦10 میکرومتر |
|||
|
کمان (مقدار مطلق) |
≦40 میکرومتر |
|||
|
تار |
≦60 میکرومتر |
|||
|
سطح نهایی |
C- صورت: جلا نوری ، صورت Si: CMP |
|||
|
ناهمواری (10μم×10μم) |
CMP Si-Ra Ra<0.5 نانومتر |
N / A |
||
|
کرک توسط نور با شدت بالا |
هیچ یک |
|||
|
تراشه های لبه / شاخه های نورپردازی Diffuse |
هیچ یک |
Qty≤2 ، طول و عرض هر کدام<1 میلی متر |
||
|
منطقه موثر |
90 ≥ |
80 ≥ |
N / A |
|
* Defects limits apply to entire wafer surface except for the edge exclusion area. * محدودیت های نقص در کل سطح ویفر به جز منطقه خارج شدن لبه اعمال می شود. # The scratches should be checked on Si face only. # خراش ها را باید فقط در صورت Si بررسی کرد.
|
ویفر / شمش قلمی SiC نوع / خلوص بالا نوع 4H-N
ویفر / شمش 2 اینچی 4H N-Type SiC
ویفر 3 اینچی 4H N-Type SiC ویفر / شمش 4 اینچ 4H N-Type SiC ویفر / شمش 6 اینچی 4H N-Type SiC |
4H نیمه عایق / خلوص بالا ویفر SiC ویفر نیمه عایق 2 اینچ 4H نیمه عایق SiC
ویفر نیمه عایق 4 اینچ 4H نیمه عایق SiC ویفر نیمه عایق 4C 4H 4C ویفر نیمه عایق 6 اینچی 4H 4 عیار SiC |
|
ویفر 6C N-Type SiC
ویفر / شمش 2 اینچی 6H N-Type SiC |
اندازه سفارشی شده برای 2-6 اینچ
|
فروش و خدمات مشتری
خرید مواد
The materials purchasing department is responsible to gather all the raw materials needed to produce your product. بخش خرید مواد وظیفه دارد کلیه مواد اولیه مورد نیاز برای تولید محصول شما را جمع آوری کند. Complete traceability of all products and materials, including chemical and physical analysis are always available. قابلیت ردیابی کامل کلیه محصولات و مواد از جمله تجزیه و تحلیل شیمیایی و فیزیکی همیشه در دسترس است.
کیفیت
در حین و بعد از تولید یا ماشینکاری محصولات شما ، بخش کنترل کیفیت در اطمینان از این که کلیه مواد و مدارا با مشخصات شما مطابقت دارد یا بیش از آن است ، دخیل است.
سرویس
We pride ourselves in having sales engineering staff with over 5 years experiences in the semiconductor industry. ما به داشتن پرسنل مهندسی فروش با بیش از 5 سال تجربه در صنعت نیمه هادی افتخار می کنیم. They are trained to answer technical questions as well as provide timely quotations for your needs. آنها آموزش داده شده اند تا به سؤالات فنی پاسخ دهند و همچنین برای نیازهای شما نقل قول های به موقع ارائه دهند.
ما هر زمان که مشکل دارید در کنار شما هستیم و آن را در 10 ساعت حل و فصل می کنیم.