2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ SiC SSP کاربید سیلیکون نیمه توهین آمیز
وب سایت:http://www.sapphire-substrate.com تلفن: +86-187-0175-6522 (واتساپ یا اسکایپ در دسترس است)200 میلی‌متر/8 اینچ درجه ساختگی SiC موجود در انبار با کیفیت 6 اینچ 4 اینچ 3 اینچ ویفر SIC زیرلایه ویفر SIC برای دستگاه همپای
SiC wafer
SiC substrate
SiC 8 اینچی
4H-N نیمه توهین آمیز
بستر کاربید سیلیکون
درجه تولید
درجه ساختگی 200 میلی متر SiC
-
بستر ویفر کاربید سیلیکون تک کریستالی SiC با درجه ساختگی قطر 153 میلی متر 156 میلی متر 159 میلی متر
اکنون تماس بگیرید -
6H-N نیمه عایق کننده SiC Substarte / Wafer برای MOSFETs、JFETs BJTs مقاومت بالا محدوده گسترده
اکنون تماس بگیرید -
نیمه عایق 3 اینچ سیلیکون کربید وفر 4H نوع N CVD جهت گیری 4.0 ° ± 0.5 °
اکنون تماس بگیرید -
9.4 سختی سیلیکون کربید وافر قطعات حامل تک کریستال شکل سفارشی
اکنون تماس بگیرید -
رنگ روشن ساختار کریستالی 4H-SiC 6H-SiC نیمه عایق SiC سخت بودن مکانیکی بالا
اکنون تماس بگیرید
ویدیو های مرتبط
Sapphire materials colorful sapphire ruby blue #5 doped Fe+, Ti+, Cr+, and undoped
ویدیوهای دیگر
August 03, 2022
