 |
12 اینچ سی سی وافر 300 میلی متر سیلیکون کربید وافر رسانا نمک درجه N-نوع درجه تحقیق
جزئیات محصول:
| محل منبع: | چین |
| نام تجاری: | ZMSH |
| شماره مدل: | ویفر یاقوت کبود |
پرداخت:
| مقدار حداقل تعداد سفارش: | 25 |
|---|---|
| زمان تحویل: | 4-6 هفته |
| شرایط پرداخت: | T/T |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| مواد: | ویفر سیلیکون کاربید | Thickness: | 3mm(other Thickness Ok) |
|---|---|---|---|
| Surface: | DSP | TTV: | 15 میلی متر |
| BOW: | ＜20um | پیچ و تاب: | 30 میلی متر |
| Dia: | 12inch 300mm | ||
| برجسته کردن: | وافرهاي سي سي 12 اينچي,سی سی وافرهایی که در درجه ساختگی هدایت می شوند,Conductive Dummy Grade SiC Wafer |
||
توضیحات محصول
12 اینچ سی سی وافر 300 میلی متر سیلیکون کربید وافر رسانا نمک درجه N-نوع درجه تحقیق
خلاصه
کربید سیلیکون (SiC) ، به عنوان یک ماده نیمه هادی باند گپ بزرگ نسل سوم، خواص برتر مانند قدرت میدان تجزیه بالا (> 30 MV / cm) ، رسانایی حرارتی عالی (> 1،500 W/m·K)این ویژگی ها SiC را برای کاربردهای پیشرفته در 5G، وسایل نقلیه الکتریکی (EV) و انرژی های تجدید پذیر بسیار مهم می کند.تصویبوافرهای SiC 12 اینچی(همچنین به عنوانوافرهای سی سی سی 300 میلی متر) نقش مهمی در افزایش تولید و کاهش هزینه ها دارد.وایل های SiC قطر بزرگنه تنها از بهره وری دستگاه های بالاتر و عملکرد بهبود یافته پشتیبانی می کند بلکه همچنین امکانکاهش 15 تا 20 درصد هزینه های سالانه(بر اساس داده های یول) ، تسریع در تجاری سازی راه حل های مبتنی بر SiC.
مزیت های اصلی:
- کارایی 12 اینچی سی سی: دستگاه های مبتنی بر سی سی مصرف انرژی را تا 70٪ در مقایسه با سیلیکون در برنامه های ولتاژ بالا / جریان کاهش می دهند.
- وافرهاي سي سي 12 اينچيمدیریت حرارتی: به طور پایدار در ** 200 °C + ** در محیط های خودرو و هوافضا کار می کند.
- وافرهاي سي سي 12 اينچيیکپارچه سازی سیستم: باعث می شود تا 50٪ تا 80٪ از فاکتورهای فرم کوچکتر برای ماژول های قدرت، فضای اضافی برای اجزای اضافی آزاد شود.
معرفی شرکت
شرکت ما، ZMSH، برای بیش از یک دهه یک بازیکن برجسته در صنعت نیمه هادی بوده است، با داشتن یک تیم حرفه ای از کارشناسان کارخانه و کارکنان فروش.ما متخصص در ارائه سفارشینانوچه ی سفیرووافرهای SiCراه حل ها، از جملهوافرهاي سي سي 12 اينچيووافرهای سی سی سی 300 میلی متر، برای پاسخگویی به نیازهای متنوع مشتریان در سراسر بخش های فن آوری بالا.محصولات وافرهای SiC با کیفیت بالابا قیمت رقابتی و عملکرد قابل اعتماد.ما متعهد به اطمینان از رضایت مشتری در هر مرحله هستیم و از شما دعوت می کنیم برای اطلاعات بیشتر یا برای بحث در مورد نیازهای خاص خود با ما تماس بگیرید.
پارامترهای فنی وافرهای سیلیکونی
| پارامتر | مشخصات | ارزش معمولی | یادداشت ها |
|---|---|---|---|
| قطر | ۳۰۰ میلی متر ± ۵۰ میکرومتر | استاندارد SEMI M10 | سازگار با ASML، AMAT، و ابزار epitaxial |
| نوع کریستال | 6H-SiC (اولی) / 4H-SiC | - | 6H بر برنامه های فرکانس بالا / ولتاژ بالا تسلط دارد |
| نوع دوپینگ | نوع N/نوع P | نوع N (1-5 mΩ·cm) | نوع P: 50-200 mΩ·cm (استفاده های تخصصی) |
| ضخامت | 1000 μm (استانداردی) | 1020 μm | گزینه های رقیق کردن تا 100 μm (MEMS) |
| کیفیت سطح | پاکسازی استاندارد RCA | ≤50 Å RMS | مناسب برای رشد اپیتاکسیال MOCVD |
| تراکم نقص | میکروپایپ ها/تغییرات | <1000 سانتی متر | ليزر لوله کشي نقص ها را کاهش مي دهد (درآمدي >85%) |
کاربردهای Wafer SiC
1. وسایل نقلیه الکتریکی
دستگاه های برق 12 اینچی مبتنی بر سی سی (SiC) طراحی EV را با پرداختن بهمحدودیت های کلیدی سیلیکون:
- بهره وری بیشتر: امکان حمل و نقل طولانی تر و شارژ سریع تر در شرایط شدید را فراهم می کند (به عنوان مثال، معماری های 800 ولت).
- ثبات حرارتی: عملکرد قابل اطمینان در محیط های خشن (به عنوان مثال، سیستم های مدیریت گرما باتری).
- بهینه سازی فضا: اندازه قطعات را تا ۵۰ درصد کاهش می دهد و فضای بیشتری برای سنسورها و سیستم های ایمنی پیشرفته ایجاد می کند.
2انرژی های تجدید پذیر
تکنولوژی سی سی سی ۳۰۰ میلی متری، استفاده ازانرژی خورشیدی و باد:
- اینورترهای خورشیدی: افزایش بهره وری یکپارچه سازی شبکه، کاهش تلفات انرژی در هنگام تبدیل برق.
- توربین های بادی: از تراکم قدرت بالاتر در سیستم های دریایی پشتیبانی می کند و هزینه های نصب در هر وات را کاهش می دهد.
35G و مخابرات
سی سی سی 300 میلی متری به چالش های مهم درراه اندازی شبکه 5G:
- عملیات فرکانس بالا: امکان انتقال اطلاعات فوق العاده سریع (به عنوان مثال، باند های ام.می.و) را با حداقل از دست دادن سیگنال فراهم می کند.
- بهره وری انرژی: مصرف برق در ایستگاه های پایه را تا 40٪ کاهش می دهد، مطابق با اهداف پایداری اپراتورهای مخابراتی.
4الکترونیک صنعتی و مصرفی
SiC باعث نوآوری در بخش های مختلف می شود:
- اتوماسیون صنعتی: قدرت موتورهای ولتاژ بالا و اینورترها در کارخانه ها، بهبود بهره وری و استفاده مجدد از انرژی.
- دستگاه های مصرفی: امکان شارژر های فشرده و با کارایی بالا و آداپتورهای برق را برای لپ تاپ ها و تلفن های هوشمند فراهم می کند.
نمایش محصول - ZMSH
سی سی وفرFAق
س: در مورد قابلیت اطمینان طولانی مدت، سی سی سی 12 اینچی با سیلیکون چگونه مقایسه می شود؟
الف:12 اينچ ثبات درجه حرارت بالا و مقاومت در برابر تشعشعات باعث می شود که در محیط های خشن (به عنوان مثال ، EV ، هوافضا) دوام بیشتری داشته باشد.ما از مشتریان با گواهینامه AEC-Q101 و آزمایش های مسرع برای اطمینان از انطباق با استانداردهای سختگیرانه قابلیت اطمینان پشتیبانی می کنیم.
سوال:چالش های اصلی در اتخاذ تکنولوژی SiC امروز چیست؟
الف: در حالی که SiC عملکرد برتر را ارائه می دهد، هزینه و بلوغ همچنان موانع برای پذیرش گسترده هستند.روند صنعت نشان می دهد کاهش هزینه های سالانه 15 تا 20 درصد (داده های یول) و افزایش تقاضا از سوی تولیدکنندگان خودرو و انرژی های تجدید پذیر، پذیرش را تسریع می کند.راه حل های ما از طریق تولید در مقیاس بالا و تأیید قابلیت اطمینان اثبات شده این چالش ها را حل می کند.
س: آیا SiC می تواند با سیستم های موجود مبتنی بر سیلیکون ادغام شود؟
الف:بله! دستگاه های SiC از بسته بندی سازگار (به عنوان مثال، TO-247) و پیکربندی های پین استفاده می کنند، که ارتقاء بی سیم را امکان پذیر می کند.طراحی های بهینه شده دروازه محرک مورد نیاز است تا به طور کامل از مزایای فرکانس بالا استفاده شود.