حداکثر 5 پرونده ، هر اندازه 10 میلیون پشتیبانی می شود. خوب
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD 86--15801942596 Eric-wang@sapphire-substrate.com
قیمت دریافت کنید
描述
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean Arabic Hindi Turkish Indonesian Vietnamese Thai Bengali Persian Polish
描述

ویفر سیلیکون کاربید

قیمت دریافت کنید
کیفیت ویفر سیلیکون کاربید سرویس
خانه - دسته بندی ها - ویفر سیلیکون کاربید
دسته بندی ها

زیرکره ی Sapphire

کریستال یاقوت کبود

ویندوز ایکس پی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

لوله یاقوت کبود

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

ویفر سیلیکون کاربید

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

پیام بگذارید

1 2 3 آخر جمع 3 صفحات
آخرین محصولات

محصولات ما در سراسر جهان فروخته می شود. شما می توانید از کل روند محصولات ما اطمینان داشته باشید.

  • چین ویفر سیلیکون کاربید SIC 4H - نوع N برای دستگاه MOS 8 اینچ Dia200mm

    ویفر سیلیکون کاربید SIC 4H - نوع N برای دستگاه MOS 8 اینچ Dia200mm

  • چین 2 3 4 6 اینچ سیک ویفر سیلیکون کاربید 4H-N/Semi نوع شمش SiC صنعتی

    2 3 4 6 اینچ سیک ویفر سیلیکون کاربید 4H-N/Semi نوع شمش SiC صنعتی

  • چین بازتابنده نوری فلزی آینه کروی SiC با کیفیت بالا و با کیفیت بالا

    بازتابنده نوری فلزی آینه کروی SiC با کیفیت بالا و با کیفیت بالا

  • چین 8 اینچ 200 میلی متر پولیش شمش کاربید سیلیکون زیرلایه تراشه Sic نیمه هادی

    8 اینچ 200 میلی متر پولیش شمش کاربید سیلیکون زیرلایه تراشه Sic نیمه هادی

  • چین لنز سیلیکونی مونوکریستال زیرلایه ویفر ویندوز سیلیکونی تک کریستال سفارشی

    لنز سیلیکونی مونوکریستال زیرلایه ویفر ویندوز سیلیکونی تک کریستال سفارشی

  • چین ویفر تک سرامیک کاربید سیلیکون 4 اینچی Dummy Prime SiC بستر مقاوم در برابر شوک حرارتی

    ویفر تک سرامیک کاربید سیلیکون 4 اینچی Dummy Prime SiC بستر مقاوم در برابر شوک حرارتی

  • چین 8 اینچ 200 میلی‌متر سیلیکون کاربید ویفر کریستال نوع N زیرلایه SiC

    8 اینچ 200 میلی‌متر سیلیکون کاربید ویفر کریستال نوع N زیرلایه SiC

  • چین 10 x 10 x 0.5 میلی‌متر ویفر سیلیکون کاربید 4H - تراشه‌های کریستال N SiC

    10 x 10 x 0.5 میلی‌متر ویفر سیلیکون کاربید 4H - تراشه‌های کریستال N SiC

  • چین ویفر سیلیکون کاربید SIC 4H - نوع N برای دستگاه MOS 2 اینچی Dia50.6mm

    ویفر سیلیکون کاربید SIC 4H - نوع N برای دستگاه MOS 2 اینچی Dia50.6mm

  • چین ویفر سیلیکون کاربید سیلیکون سفارشی پنجره تک کریستال 60 × 10 × 0.5 میلی متر

    ویفر سیلیکون کاربید سیلیکون سفارشی پنجره تک کریستال 60 × 10 × 0.5 میلی متر

  • چین پولیش استوانه ای توخالی سیلیکون کاربید ویفر سرامیکی نوری SiC

    پولیش استوانه ای توخالی سیلیکون کاربید ویفر سرامیکی نوری SiC

  • چین ویفرهای 2 اینچی کاربید سیلیکون 6H-N/ 4H-N ساختگی سی سی سی سی ویفر برای تست دستگاه

    ویفرهای 2 اینچی کاربید سیلیکون 6H-N/ 4H-N ساختگی سی سی سی سی ویفر برای تست دستگاه

  • چین سفارشی Sic Wafer SiC Single Crystal 4H-N نوع دو طرف سطح جلا

    سفارشی Sic Wafer SiC Single Crystal 4H-N نوع دو طرف سطح جلا

  • چین ویفر سیلیکون کاربید 1.5 میلی متری 4h-N 4H-SEMI SIC برای اپیتاکسیال

    ویفر سیلیکون کاربید 1.5 میلی متری 4h-N 4H-SEMI SIC برای اپیتاکسیال

  • چین ویفر درجه اول سیلیکون کاربید 4 اینچ درجه 4H-N 1.5 میلی متری

    ویفر درجه اول سیلیکون کاربید 4 اینچ درجه 4H-N 1.5 میلی متری

  • چین بستر 6 اینچی با قطر 150 میلی متر SIC ویفر 4H-N نوع Sic برای دستگاه MOS

    بستر 6 اینچی با قطر 150 میلی متر SIC ویفر 4H-N نوع Sic برای دستگاه MOS