پیشینه ZMSH مدت ها پیشرو در فناوری وبر و بستر کربید سیلیکون (SiC) بوده است، و زیربناهای کریستالی 6H-SiC و 4H-SiC را برای تولید فرکانس بالا، قدرت بالا، درجه حرارت بالا،و دستگاه های الکترونیکی مقاوم در برابر تشعشعاتبه عنوان تقاضای بازار برای دستگاه های الکترونیکی با عملکرد بالاتر همچنان در حال رشد است...