ویفر مربعی 6H-SiC با عملکرد بالا برای کاربردهای قدرت و فرکانس بالا 1. بررسی اجمالی محصول The زیرلایه مربعی سیلیکون کاربید (SiC) 6H از خلوص بالا تولید می شود مواد تک کریستالی 6H-SiC و با دقت به شکل مرب...بیشتر ببینید
پیام های بازدید کنندهپيغام بذاريد
هنوز اظهارات عمومی وجود ندارد
ویفر زیرلایه مربعی کاربید سیلیکون (SiC) 6H برای توان و فرکانس بالا