صفحه اصلی

درباره ما

نمایه شرکت

تور کارخانه

کنترل کیفیت

محصولات

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

ویفر گالیم نیترویید

راه حل ها

وبلاگ

با ما تماس بگیرید

نقل قول

این ویدئوها را برای شما توصیه می کنم

بازپخش

ویدیوی بعدی

نیمه عایق سازی سیلیکون کربید Wafer SiC Substrate Orientation 0001 Bow/Warp ≤50um

ویفر سیلیکون کاربید

2023-10-10

933 نظرات

الان چت کن

به اشتراک بگذارید

#بستر کاربید سیلیکون #ویفر سیلیک,سیلیکون روی ویفر یاقوت کبود #ویفر sic

توضیحات محصول: ZMSH - تولید کننده و تامین کننده نوآورانه ویفرهای بستر SiC ZMSH به عنوان تولید کننده و تامین کننده پیشرو ویفر بستر SiC (سیلیکون کاربید)، نه تنها بهترین قیمت در بازار را برای ویفرهای زیر... بیشتر ببینید

پیام های بازدید کننده پيغام بذاريد

نیمه عایق سازی سیلیکون کربید Wafer SiC Substrate Orientation 0001 Bow/Warp ≤50um

نیمه عایق سازی سیلیکون کربید Wafer SiC Substrate Orientation 0001 Bow/Warp ≤50um

الان چت کن

بیشتر بدانید

ویدیو های مرتبط

ویفر زیرلایه مربعی کاربید سیلیکون (SiC) 6H برای توان و فرکانس بالا

ویفر زیرلایه مربعی کاربید سیلیکون (SiC) 6H برای توان و فرکانس بالا

ویفر سیلیکون کاربید

شمش 4H-N/Semi نوع SiC و زیرلایه ساختگی صنعتی 2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ 6 اینچ

شمش 4H-N/Semi نوع SiC و زیرلایه ساختگی صنعتی 2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ 6 اینچ

ویفر سیلیکون کاربید

کربید سیلیکون (SiC) 10 × 10 میلی متر زیربنایی / تراشه مربع کوچک

کربید سیلیکون (SiC) 10 × 10 میلی متر زیربنایی / تراشه مربع کوچک

ویفر سیلیکون کاربید

پودر SiC HPSI نیمه عایق کننده با خلوص بالا / 99.9999٪ رشد کریستال خالص

پودر SiC HPSI نیمه عایق کننده با خلوص بالا / 99.9999٪ رشد کریستال خالص

ویفر سیلیکون کاربید

ویفرهای اپی‌تاکسیال 4H-SiC برای MOSFETهای ولتاژ فوق‌العاده بالا (100–500 میکرومتر، 6 اینچ)

ویفرهای اپی‌تاکسیال 4H-SiC برای MOSFETهای ولتاژ فوق‌العاده بالا (100–500 میکرومتر، 6 اینچ)

ویفر سیلیکون کاربید

ویفر تک سرامیک کاربید سیلیکون 2 اینچ 4 اینچ Dummy Prime SiC بستر مقاوم در برابر شوک حرارتی

ویفر تک سرامیک کاربید سیلیکون 2 اینچ 4 اینچ Dummy Prime SiC بستر مقاوم در برابر شوک حرارتی

ویفر سیلیکون کاربید

10 x 10 x 0.5 میلی‌متر ویفر سیلیکون کاربید 4H - تراشه‌های کریستال N SiC

10 x 10 x 0.5 میلی‌متر ویفر سیلیکون کاربید 4H - تراشه‌های کریستال N SiC

ویفر سیلیکون کاربید

پولیش استوانه ای توخالی سیلیکون کاربید ویفر سرامیکی نوری SiC

پولیش استوانه ای توخالی سیلیکون کاربید ویفر سرامیکی نوری SiC

ویفر سیلیکون کاربید

سی سی سی نیمه عایق 3 اینچ 76.2mm 4H نوع سی سی برای نیمه هادی

سی سی سی نیمه عایق 3 اینچ 76.2mm 4H نوع سی سی برای نیمه هادی

ویفر سیلیکون کاربید

بستر ویفر کاربید سیلیکون تک کریستالی SiC با درجه ساختگی قطر 153 میلی متر 156 میلی متر 159 میلی متر

بستر ویفر کاربید سیلیکون تک کریستالی SiC با درجه ساختگی قطر 153 میلی متر 156 میلی متر 159 میلی متر

ویفر سیلیکون کاربید

میله روبی (میله روبی تک کریستالی)

میله روبی (میله روبی تک کریستالی)

لوله یاقوت کبود

لنز سیلیکون (Si) با عملکرد بالا با پوشش ضد انعکاس IR برای برنامه های MWIR

لنز سیلیکون (Si) با عملکرد بالا با پوشش ضد انعکاس IR برای برنامه های MWIR

ویندوز ایکس پی

Custom Sapphire Through-Hole Plate (Shaped Multi-Hole Sapphire Window)

Custom Sapphire Through-Hole Plate (Shaped Multi-Hole Sapphire Window)

ویندوز ایکس پی

سیستم برش الماس لیزر سبز برای مواد فوق سخت CVD، PCD، MCD، CBN

سیستم برش الماس لیزر سبز برای مواد فوق سخت CVD، PCD، MCD، CBN

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سیلیکون وافر با پوشش فلزی Ti/Cu (تایتانیوم/سنگ)

سیلیکون وافر با پوشش فلزی Ti/Cu (تایتانیوم/سنگ)

بستر نیمه هادی