جزئیات محصولات

صفحه اصلی محصولات

بستر نیمه هادی

ویفر نانوذرات گالیم آرسناید GaAs برای مایکروویو / HEMT / PHEMT

تمام دسته ها

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

با ما تماس بگیرید

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

اکنون تماس بگیرید

تمام دسته ها

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

ویفر نانوذرات گالیم آرسناید GaAs برای مایکروویو / HEMT / PHEMT

نام تجاری:	zmkj
شماره مدل:	SCN 6 اینچ
مقدار تولیدی:	5pcs
قیمت:	by case
جزئیات بسته بندی:	ویفر تک در 6 "جعبه پلاستیکی تحت N2 بسته بندی شده است
شرایط پرداخت:	T/T، وسترن یونیون، MoneyGram

اطلاعات دقیق

توضیحات محصول

اطلاعات دقیق

محل منبع:

چين

ماده:

کریستال تک GaAs

اندازه:

6INCH

ضخامت:

650um یا customzied

از نوع:

نکته یا تخت

گرایش:

(100) 2 درجه خاموش

سطحی:

DSP

روش رشد:

VFG

قابلیت ارائه:

500pcs در هر ماه

برجسته کردن:

substrate gasb

wafer نیمه هادی

توضیحات محصول

بادبند GaAs با گاز گالیم آرسنید 2 سیلندر / 3 اینچ / 4 اینچ / 6 اینچ SCN نوع

توضیحات محصول

( GaAs ) وفلس گالیم آرسنید

PWAM توسعه و تولید بستر های نیمه هادی ترکیب شده - کریستال آرسنید گالیم و ویفر. ما از فن آوری رشد کریستال پیشرفته، تکنولوژی پردازش عمودی شیب عمودی (VGF) و GaAs استفاده کردیم، خط تولید را از رشد کریستال، برش، سنگ زنی به پردازش پرداخت و ساخت یک اتاق تمیز 100 درجه ای برای تمیز کردن و بسته بندی ویفر. ویفر GaAs ما شامل شمع / ویفر 2 تا 6 اینچ برای برنامه های LED، LD و Microelectronics می باشد. ما همیشه برای بهبود کیفیت مواد موجود در حال حاضر و توسعه زیربناهای بزرگ اندازه گیری می کنیم.

(GaAs) وفلس گالیم آرسنید برای برنامه های کاربردی LED

1. عمدتا در الکترونیک، آلیاژهای کم دما، گالیم آرسناید استفاده می شود.
2. ترکیب شیمیایی اصلی گالیم در الکترونیک، در مدارهای مایکروویو، مدارهای سوئیچینگ با سرعت بالا و مدارهای مادون قرمز استفاده می شود.
3. گالیم نیترید و نیترویید هندیم گالیم برای استفاده های نیمه هادی، تولید دیودهای آبی و بنفش نور (LED) و لیزر دیود تولید می کنند.

توضیحات محصول

مشخصات - 6 اینچ SI-Dopant N-Type SSP / DSP LED / LD گالیم Arsenide wafer
روش رشد	VGF
گرایش	<100>
قطر	150.0+ / 0.3 میلی متر
ضخامت	650um +/- 25um
لهستانی	یکپارچه جلا (SSP)
زبری سطح	جلا
TTV / Bow	<10um / <10um
Dopant	سی
نوع هدایت	نوع N
مقاومت (در RT)	(1.2 ~ 9.9) * 10 -3 اهم سانتی متر
تراکم پیت اتش (EPD)	LED <5000 / cm 2 ؛ LD <500 / cm2
تحرک	LED> 1000 cm2 / vs؛ LD> 1500 cm2 / vs
غلظت حامل	LED> (0.4-4) * 10 18 / cm 3 ؛ LD> (0.4-2.5) * 10 18 / cm3

مشخصات نیمه رسانای GaAs wafer

روش رشد	VGF
Dopant	نوع p: Zn		n-type: Si
شکل ویفر	گرد (DIA: 2 "، 3"، 4 "، 6")
جهت گیری سطح *	(100) ± 0.5 درجه
* جهت های دیگر ممکن است بر اساس درخواست موجود باشد
Dopant	سی (n-type)		Zn (نوع p)
غلظت حامل (cm-3)	(0.8-4) × 1018		(0.5-5) × 1019
تحرک (cm2 / VS)	(1-2.5) × 103		50-120
تراکم قهوه ای (cm2)	100-5000		3000-5000
قطر ویفر (میلی متر)	50.8 ± 0.3	0.3 ± 76.2		100 ± 0.3
ضخامت (μm)	25 ± 350	255 ± 625		255 ± 625
TTV [P / P] (μm)	≤ 4	≤ 4		≤ 4
TTV [P / E] (μm)	≤ 10	≤ 10		≤ 10
WARP (μm)	≤ 10	≤ 10		≤ 10
OF (mm)	17 ± 1	22 ± 1		1/32 ± 1/32
OF / IF (میلی متر)	7 ± 1	12 ± 1		18 ± 1
لهستانی*	E / E پلی اتیلن، P / P	E / E پلی اتیلن، P / P		E / E پلی اتیلن، P / P

مشخصات نیمه هادی ویفر GaAs

روش رشد	VGF
Dopant	SI نوع: کربن
شکل ویفر	گرد (DIA: 2 "، 3"، 4 "، 6")
جهت گیری سطح *	(100) ± 0.5 درجه
* جهت های دیگر ممکن است بر اساس درخواست موجود باشد
مقاومت (Ω.cm)	≥ 1 × 107		≥ 1 × 108
تحرک (cm2 / VS)	≥ 5000		≥ 4،000
تراکم قهوه ای (cm2)	1،500-5،000		1،500-5،000
قطر ویفر (میلی متر)	50.8 ± 0.3	0.3 ± 76.2	100 ± 0.3	150 ± 0.3
ضخامت (μm)	25 ± 350	255 ± 625	255 ± 625	255 ± 675
TTV [P / P] (μm)	≤ 4	≤ 4	≤ 4	≤ 4
TTV [P / E] (μm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 10
WARP (μm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 15
OF (mm)	17 ± 1	22 ± 1	1/32 ± 1/32	نکات
OF / IF (میلی متر)	7 ± 1	12 ± 1	18 ± 1	N / A
لهستانی*	E / E پلی اتیلن، P / P	E / E پلی اتیلن، P / P	E / E پلی اتیلن، P / P	E / E پلی اتیلن، P / P

سوالات متداول
س: چه چیزی شما می توانید تدارکات و هزینه را تامین کنید؟
(1) ما DHL، فدرال اکسپرس، TNT، UPS، EMS، SF و غیره را قبول می کنیم.
(2) اگر شماره اکسل خود را داشته باشید، عالی است.
اگر نه، ما می توانیم به شما کمک کنیم تا تحویل دهید. حمل و نقل = USD25.0 (وزن اول) + USD12.0 / kg

س: زمان تحویل چیست؟
(1) برای محصولات استاندارد مانند لنز توپ، لنز پاور و لنز کولیماتور:
برای موجودی: تحویل 5 روز کاری پس از سفارش است.
برای محصولات سفارشی: تحویل 2 یا 3 هفته کاری بعد از سفارش است.
(2) برای محصولات غیر استاندارد، تحویل 2 یا 6 هفته کاری بعد از قرار دادن سفارش است.

س: چگونه می توان پرداخت کرد؟
T / T، پی پال، اتحاد غرب، MoneyGram، پرداخت امن و تضمین تجارت در Alibaba و غیره.

پرسش: MOQ چیست؟
(1) برای موجودی، MOQ 5pcs است.
(2) برای محصولات سفارشی، MOQ 5pcs-20pcs است.
این بستگی به مقدار و تکنیک دارد

س: آیا گزارش بازرسی برای مواد دارید؟
ما می توانیم گزارش جزئیات را برای محصولات ما عرضه کنیم.

بسته بندی - Logistcs
ما برای هر جزئیات بسته بندی، تمیز کردن، ضد استاتیک، درمان شوک توجه می کنیم. با توجه به مقدار و شکل محصول،

ما یک فرایند بسته بندی متفاوت خواهیم گرفت!

برچسب‌ها:

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

جزئیات محصولات

ویفر نانوذرات گالیم آرسناید GaAs برای مایکروویو / HEMT / PHEMT

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

ویفر نانوذرات گالیم آرسناید GaAs برای مایکروویو / HEMT / PHEMT

substrate gasb

wafer نیمه هادی

بادبند GaAs با گاز گالیم آرسنید 2 سیلندر / 3 اینچ / 4 اینچ / 6 اینچ SCN نوع

توضیحات محصول