 |
2-4 اینچ N / P TYPE نیمه هادی بستر InAs مونو کریستالی کریستال زیره ویفر
جزئیات محصول:
| محل منبع: | چين |
| نام تجاری: | zmkj |
| شماره مدل: | آرسنید هندوانه (InAs) |
پرداخت:
| مقدار حداقل تعداد سفارش: | 3pcs |
|---|---|
| قیمت: | by case |
| جزئیات بسته بندی: | بسته بندی ویفر تک در اتاق تمیز کردن 1000 درجه |
| زمان تحویل: | 2-4 هفته |
| شرایط پرداخت: | T/T, وسترن یونیون |
| قابلیت ارائه: | 500PCS |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| مواد: | آرسنید ایندیم (InAs) کریستال تک رنگ | روش رشد: | vFG |
|---|---|---|---|
| اندازه: | 2-4INCH | ضخامت: | 300-800um |
| کاربرد: | مواد نیمه هادی باند مستقیم III-V | سطح: | ssp / dsp |
| بسته بندی: | جعبه ویفر تک | ||
| برجسته: | substrate gasb,substrate wafer |
||
توضیحات محصول
2-4 اینچ گلییم آنتی مونیدید GaSb بستر تک کریستالی تک قطبی برای نیمه هادی
InAsSb / In-AsPSb ، InNAsSb و سایر مواد هترواكسشن را می توان در بلورهای منفرد InAs به عنوان بستر پرورش داد و یك دستگاه تابش نور مادون قرمز با طول موج 2 تا 14 میکرومتر ساخته می شود.همچنین می توان با استفاده از بستر کریستالی InAs ، ماده سازه superlattice AlGaSb را به صورت اپیلاکسی رشد داد.لیزر آبشار کوانتومی مادون قرمزاین دستگاه های مادون قرمز چشم انداز کاربردهای خوبی در زمینه های نظارت بر گاز ، ارتباط فیبر کم اتلاف و غیره دارند. علاوه بر این ، بلورهای منفرد InAS از تحرک الکترون بالایی برخوردار هستند و مواد ایده آل برای ساخت دستگاه های هال هستند.
برنامه های کاربردی:
کریستال تک InAs می تواند به عنوان یک ماده بستر برای رشد یک ماده زیر ساختاری مانند InAsSb / InAsPSb یا InAsPSb برای تولید یک دستگاه مادون قرمز ساطع شده با طول موج 2-12 میکرومتر استفاده شود.همچنین می توان با استفاده از بستر کریستالی InAs ، یک ساختار لیزری آبشار کوانتومی با مادون قرمز مادون قرمز تولید کرد.این دستگاه های مادون قرمز چشم انداز کاربردهای خوبی در زمینه تشخیص بنزین و ارتباط فیبر کم ضرر دارند.علاوه بر این ، بلورهای تک InAs از تحرک الکترون بالایی برخوردار هستند و ماده ای ایده آل برای ساخت دستگاه های هال هستند.
امکانات:
1. بلور با استفاده از فن آوری رسم مایع مهر و موم شده (LEC) ، با فناوری بالغ و عملکرد الکتریکی پایدار رشد می کند.
2 ، با استفاده از ابزار جهت یابی اشعه ایکس جهت جهت گیری دقیق ، انحراف جهت کریستال تنها 0.5 ± درجه است
3 ، ویفر با استفاده از تکنولوژی شیمیایی پرداخت مکانیکی (CMP) ، زبری سطح <0.5nm جلا داده می شود
4 ، برای رسیدن به "جعبه باز آماده برای استفاده" مورد نیاز
5 ، با توجه به نیاز کاربر ، مشخصات خاص پردازش محصول
| کریستال | پیش بینی کردن | نوع |
غلظت حامل یون cm-3 |
تحرک (cm2 / Vs) | MPD (cm-2) | اندازه | |
| InAs | دونفره | ن | 5 * 1016 | ³2 * 104 | <5 * 104 |
Φ2 × 0.5 میلی متر Φ3 × 0.5 میلی متر |
|
| InAs | اسن | ن | (5-20) * 1017 | > 2000 | <5 * 104 |
Φ2 × 0.5 میلی متر Φ3 × 0.5 میلی متر |
|
| InAs | روی | پ | (1-20) * 1017 | 100-300 | <5 * 104 |
Φ2 × 0.5 میلی متر Φ3 × 0.5 میلی متر |
|
| InAs | س | ن | (1-10) * 1017 | > 2000 | <5 * 104 |
Φ2 × 0.5 میلی متر Φ3 × 0.5 میلی متر |
|
| اندازه (میلی متر) | Dia50.8x0.5mm ، 10 × 10 × 0.5 میلی متر ، 5 10 5 0.5 میلی متر قابل تنظیم است | ||||||
| را | زبری سطح (Ra): <= 5A | ||||||
| لهستانی | یک یا دو طرف جلا | ||||||
| بسته | کیسه پلاستیکی 100 درجه تمیز در 1000 اتاق تمیز کردن | ||||||
--- سؤالات متداول -
س: آیا شما شرکت تجاری یا تولید کننده هستید؟
A: zmkj یک شرکت بازرگانی است اما تولید کننده یاقوت کبود دارد
به عنوان تأمین کننده ویفر مواد نیمه هادی برای طیف گسترده ای از برنامه ها.
س: مدت زمان تحویل شما چقدر است؟
پاسخ: اگر کالا در انبار باشد ، معمولاً 5-10 روز است.یا اگر کالا نباشد 15-20 روز است
در انبار ، مطابق با مقدار است