نام تجاری:	ZMKJ
شماره مدل:	UTI-AlN-100
مقدار تولیدی:	3PCS
قیمت:	by case
جزئیات بسته بندی:	ظرف ویفر تک در اتاق نظافت
شرایط پرداخت:	T / T ، Western Union ، پی پال

اطلاعات دقیق

توضیحات محصول

اطلاعات دقیق

محل منبع:

چین

لایه:

ویفر سیلیکونی

لایه:

قالب AlN

ضخامت لایه:

200-1000 نانومتر

نوع هدایت:

N/P

گرایش:

0001

کاربرد:

دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا/فرکانس بالا

برنامه 2:

دستگاه‌های اره/BAW 5G

ضخامت سیلیکون:

525um/625um/725um

قابلیت ارائه:

50PCS / ماه

برجسته کردن:

زیرلایه نیمه هادی فیلم AlN

بستر نیترید آلومینیوم AlN

ویفر نیترید آلومینیوم 1000 نانومتر

توضیحات محصول

قالب های 4 اینچی 6 اینچی AlN مبتنی بر سیلیکون، فیلم 500 نانومتری AlN روی بستر سیلیکونی

کاربردهای قالب AlN

فن آوری نیمه هادی مبتنی بر سیلیکون به محدودیت های خود رسیده است و نمی تواند نیازهای آینده را برآورده کند

لوازم برقی.به عنوان یک نوع معمولی از مواد نیمه هادی نسل 3/4، نیترید آلومینیوم (AlN) دارای

خواص فیزیکی و شیمیایی برتر مانند شکاف باند گسترده، هدایت حرارتی بالا، شکستگی بالا،

تحرک الکترونیکی بالا و مقاومت در برابر خوردگی / تشعشع، و یک بستر عالی برای دستگاه های الکترونیکی نوری است.

دستگاه‌های فرکانس رادیویی (RF)، دستگاه‌های الکترونیکی با توان/فرکانس بالا، و غیره. به ویژه، بستر AlN

بهترین نامزد برای UV-LED، آشکارسازهای UV، لیزرهای UV، دستگاه های RF با قدرت/فرکانس بالا 5G و 5G SAW/BAW

دستگاه هایی که می توانند به طور گسترده در حفاظت از محیط زیست، الکترونیک، ارتباطات بی سیم، چاپ،

زیست شناسی، مراقبت های بهداشتی، نظامی و زمینه های دیگر، مانند تصفیه / استریلیزاسیون UV، درمان اشعه ماوراء بنفش، فوتوکاتالیز، تعداد؟

تشخیص تقلب، ذخیره سازی با تراکم بالا، فتوتراپی پزشکی، کشف دارو، ارتباطات بی سیم و ایمن،

تشخیص هوافضا/عمیق فضا و سایر زمینه ها.

ما مجموعه‌ای از فرآیندها و فناوری‌های اختصاصی را برای ساخت ایجاد کرده‌ایم

قالب های AlN با کیفیت بالادر حال حاضر، OEM ما تنها شرکتی در سراسر جهان است که می تواند 2-6 اینچ AlN تولید کند

قالب در مقیاس بزرگ با قابلیت تولید صنعتی با ظرفیت 300000 قطعه در سال 2020 برای مقابله با مواد منفجره

تقاضای بازار از UVC-LED، ارتباطات بی سیم 5G، آشکارسازها و حسگرهای UV و غیره

Factroy یک شرکت نوآورانه با فناوری پیشرفته است که در سال 2016 توسط متخصصان مشهور چینی در خارج از کشور از صنعت نیمه رسانا تأسیس شد.

آنها تجارت اصلی خود را بر توسعه و تجاری سازی زیرلایه های نیمه هادی باندگپ فوق عریض AlN نسل سوم و چهارم متمرکز می کنند.

الگوهای AlN، راکتورهای رشد تمام اتوماتیک PVT و محصولات و خدمات مرتبط برای صنایع مختلف با فناوری پیشرفته.

به عنوان یک رهبر جهانی در این زمینه شناخته شده است.محصولات اصلی ما مواد استراتژی کلیدی هستند که در "ساخت چین" فهرست شده اند.

آنها مجموعه‌ای از فناوری‌های اختصاصی و راکتورهای رشد PVT و امکانات پیشرفته را توسعه داده‌اند.

ویفرهای تک کریستالی AlN با کیفیت بالا، قالب های AlN را در اندازه های مختلف بسازید.ما یکی از معدود افراد پیشرو در جهان هستیم

شرکت های با فناوری پیشرفته که دارای ظرفیت کامل ساخت AlN هستند؟

توانایی تولید بول‌ها و ویفرهای AlN با کیفیت بالا و ارائه خدمات حرفه‌ای و راه‌حل‌های کلیدی به مشتریان خود،

از طراحی راکتور رشد و منطقه داغ، مدل سازی و شبیه سازی، طراحی و بهینه سازی فرآیند، رشد کریستال،

ویفرینگ و خصوصیات مواد.تا آوریل 2019، آنها بیش از 27 اختراع (از جمله PCT) را اعمال کرده اند.

مشخصات

مشخصات مشخصه

مدلUTI-AlN-100S
نوع هدایتصفحه سی ویفر تک کریستال سی
مقاومت (Ω)2500-8000
ساختار AlN Wurtzite
قطر (اینچ) 4 اینچ
ضخامت بستر (µm)15 ± 525
ضخامت فیلم AlN (µm) 500 نانومتر
گرایشمحور C [0001] +/- 0.2 درجه
منطقه قابل استفاده≥95%
ترک هاهیچ یک
FWHM-2θXRD@(0002)≤0.22 درجه
FWHM-HRXRD@(0002)≤1.5 درجه
زبری سطح [5×5µm] (nm)RMS≤6.0
TTV (μm)≤7
کمان (μm)≤30
پیچ و تاب (μm)-30 تا 30
توجه: این نتایج مشخص‌سازی ممکن است بسته به تجهیزات و/یا نرم‌افزار مورد استفاده کمی متفاوت باشد

بستر نیمه هادی آلومینیوم نیترید آلومینیوم 2 اینچ 1000 نانومتری فیلم AlN 1

بستر نیمه هادی آلومینیوم نیترید آلومینیوم 2 اینچ 1000 نانومتری فیلم AlN 2

ساختار کریستالی	Wurtzite
ثابت شبکه (Å)	a=3.112، c=4.982
نوع نوار رسانایی	فاصله باند مستقیم
چگالی (g/cm3)	3.23
ریزسختی سطح (تست Knoop)	800
نقطه ذوب (℃)	2750 (10-100 بار در N2)
هدایت حرارتی (W/m·K)	320
انرژی شکاف باند (eV)	6.28
تحرک الکترون (V·s/cm2)	1100
میدان شکست الکتریکی (MV/cm)	11.7

بستر نیمه هادی آلومینیوم نیترید آلومینیوم 2 اینچ 1000 نانومتری فیلم AlN 4

برچسب‌ها: