جزئیات محصولات

صفحه اصلی محصولات

ویفر سیلیکون کاربید

ویفر سیلیکون کاربید SIC 4H - نوع N برای دستگاه MOS 2 اینچی Dia50.6mm

تمام دسته ها

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

با ما تماس بگیرید

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

اکنون تماس بگیرید

تمام دسته ها

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

ویفر سیلیکون کاربید SIC 4H - نوع N برای دستگاه MOS 2 اینچی Dia50.6mm

نام تجاری:	ZMKJ
شماره مدل:	ویفرهای 2 اینچی SiC
مقدار تولیدی:	25 عدد
قیمت:	by case
جزئیات بسته بندی:	بسته بندی ویفر یک نفره در اتاق نظافت 100 درجه
شرایط پرداخت:	T/T، Western Union، MoneyGram

اطلاعات دقیق

توضیحات محصول

اطلاعات دقیق

محل منبع:

چین

مواد:

SiC تک کریستال 4h-N

مقطع تحصیلی:

درجه تولید

ضخیم:

0.4 میلی متر

سطح:

لپ خورده

کاربرد:

برای تست پولیش

قطر:

2 اینچ

رنگ:

سبز

MPD:

<2cm-2

قابلیت ارائه:

5000 عدد در ماه

برجسته کردن:

ویفر 6 میلی متری SIC

نوع 4H-N کاربید سیلیکون SIC

دستگاه MOS ویفر سیلیکون کاربید

توضیحات محصول

ویفر بذر 2 اینچی 4/6 اینچ 50.6 میلی‌متر سیک با ضخامت 1 میلی‌متر برای رشد شمش

اندازه سفارشی/شمش 2 اینچ/3 اینچ/4 اینچ/6 اینچ 6H-N/4H-SEMI/ شمش 4H-N SIC/خلوص بالا 4H-N 4اینچ 6 اینچ ویفرهای تک کریستال کاربید سیلیکون (sic) با قطر 150 میلی مترS/ تولید ویفرهای sic به صورت سفارشیویفرهای 4 اینچی 4H-N 1.5mm SIC برای کریستال بذر

ویفر 6 اینچی SIC 4H-N نوع تولید ویفر اپیتاکسیال sic لایه GaN روی sic

در مورد کریستال سیلیکون کاربید (SiC).

کاربید سیلیکون (SiC) که با نام کربوراندوم نیز شناخته می شود، نیمه هادی حاوی سیلیکون و کربن با فرمول شیمیایی SiC است.SiC در دستگاه‌های الکترونیک نیمه‌رسانا که در دماهای بالا یا ولتاژ بالا یا هر دو کار می‌کنند استفاده می‌شود. SiC همچنین یکی از اجزای مهم LED است، این یک بستر محبوب برای رشد دستگاه‌های GaN است و همچنین به عنوان پخش‌کننده گرما در موارد بالا عمل می‌کند. LED های قدرت

برنامه SiC

1 دستگاه الکترونیکی با فرکانس بالا و قدرت بالا دیودهای شاتکی، JFET، BJT، پین،
دیود، IGBT، ماسفت
2 دستگاه اپتوالکترونیک: عمدتاً در مواد زیرلایه LED آبی GaN/SiC (GaN/SiC) LED استفاده می شود

مشخصات زیرلایه کاربید سیلیکون (SiC) با قطر 2 اینچ

مقطع تحصیلی	درجه MPD صفر	درجه تولید	درجه تحقیق	درجه ساختگی
قطر	50.6mm±0.2mm
ضخامت	1000±25um یا ضخامت سفارشی دیگر
جهت گیری ویفر	خارج از محور: 4.0 درجه به سمت <1120> 0.5 ± درجه برای 4H-N/4H-SI در محور: <0001>±0.5 درجه برای 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI
تراکم میکرولوله	≤0 سانتی متر-2	≤2 سانتی متر-2	≤5 سانتی متر-2	≤30 سانتی متر-2
مقاومت 4H-N	0.015~0.028 Ω•cm
مقاومت 4/6H-SI	≥1E7 Ω·cm
تخت اولیه	{10-10}±5.0 درجه یا شکل گرد
طول تخت اولیه	18.5 میلی متر ± 2.0 میلی متر یا شکل گرد
طول تخت ثانویه	10.0mm±2.0mm
جهت گیری تخت ثانویه	سیلیکون رو به بالا: 90 درجه سانتی‌وات.از تخت نخست ± 5.0 درجه
حذف لبه	1 میلی متر
TTV / کمان / تار	≤10μm /≤10μm /≤15μm
خشونت	لهستانی Ra≤1 نانومتر / CMP Ra≤0.5 نانومتر
ترک توسط نور با شدت بالا	هیچ یک		1 مجاز، ≤2 میلی متر	طول تجمعی ≤ 10mm، طول تک≤2mm
صفحات شش گوش با نور با شدت بالا	سطح تجمعی ≤1٪		سطح تجمعی ≤1٪	سطح تجمعی ≤3٪
مناطق پلی تایپ توسط نور با شدت بالا	هیچ یک		سطح تجمعی ≤2٪	سطح تجمعی ≤5٪
با نور با شدت بالا خراشیده می شود	3 خراش تا 1× قطر ویفر طول تجمعی		5 خراش تا 1× قطر ویفر طول تجمعی	5 خراش تا 1× قطر ویفر طول تجمعی
تراشه لبه	هیچ یک		3 عدد مجاز، هر کدام ≤0.5 میلی متر	5 عدد مجاز، هر کدام ≤1 میلی متر

نمایش محصول

ویفر سیلیکون کاربید SIC 4H - نوع N برای دستگاه MOS 2 اینچی Dia50.6mm 0

SiC ApplicationCatalohue اندازه مشترک در سهام ما

ویفر/شمش 4H-N نوع / با خلوص بالا SiC ویفر/شمش 2 اینچی 4H نوع N SiC ویفر 3 اینچی 4H نوع N SiC ویفر/شمش 4 اینچی 4H نوع N SiC ویفر/شمش 6 اینچی 4H نوع N SiC	4H نیمه عایق / خلوص بالاویفر SiC ویفر 2 اینچی 4H نیمه عایق SiC ویفر 3 اینچی 4H نیمه عایق SiC ویفر 4 اینچی 4H نیمه عایق SiC ویفر SiC 6 اینچی 4H نیمه عایق
ویفر SiC 6H نوع N ویفر/شمش 2 اینچی 6H نوع N SiC	اندازه سفارشی برای 2-6 اینچ

ما در پردازش انواع مواد به ویفرها، بسترها و قطعات شیشه نوری سفارشی شده تخصص داریم.ما همچنین با بسیاری از دانشگاه ها، موسسات تحقیقاتی و شرکت های داخلی و خارجی همکاری نزدیک داشته ایم و محصولات و خدمات سفارشی را برای پروژه های تحقیق و توسعه آنها ارائه می دهیم.
این چشم انداز ما برای حفظ یک رابطه خوب همکاری با همه مشتریان خود با شهرت خوب ما است.

س: روش حمل و نقل و هزینه چیست؟
(1) ما DHL، Fedex، TNT، UPS، EMS، SF و غیره را می پذیریم.
(2) اگر حساب اکسپرس خود را دارید، عالی است.
س: چگونه پرداخت کنیم؟
(1) T/T، PayPal، West Union، MoneyGram و
پرداخت تضمینی علی بابا و غیره.
(2) کارمزد بانکی: West Union≤1000.00 USD)،
T/T -: بیش از 1000 دلار، لطفا با t/t
س: زمان تحویل چقدر است؟
(1) برای موجودی: زمان تحویل 5 روز کاری است.
(2) برای محصولات سفارشی: زمان تحویل 7 تا 25 روز کاری است.با توجه به مقدار.
س: آیا می توانم محصولات را بر اساس نیاز خود سفارشی کنم؟
بله، ما می توانیم مواد، مشخصات و پوشش نوری را برای اجزای نوری شما بر اساس نیاز شما سفارشی کنیم.

برچسب‌ها:

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

جزئیات محصولات

ویفر سیلیکون کاربید SIC 4H - نوع N برای دستگاه MOS 2 اینچی Dia50.6mm

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

ویفر سیلیکون کاربید SIC 4H - نوع N برای دستگاه MOS 2 اینچی Dia50.6mm

ویفر 6 میلی متری SIC

نوع 4H-N کاربید سیلیکون SIC

دستگاه MOS ویفر سیلیکون کاربید