اپی آماده 4 اینچ InP وافرهای نوع N-نوع p-EPF <1000cm^2 با ضخامت 325um±50um

خلاصه محصول

محصول ما، "فوسفید ایندیوم با طهارت بالا" در خط مقدم نوآوری نیمه هادی قرار دارد.یک نیمه هادی دوگانه که به دلیل سرعت برتر الکترون مشهور است، وافر ما عملکرد بی نظیر در کاربردهای اپتو الکترونیک، ترانزیستورهای سریع و دیودهای تونل ساز رزونانس ارائه می دهد.با کاربرد گسترده در دستگاه های الکترونیکی فرکانس بالا و قدرت بالا، وافر ما سنگ بنای تکنولوژی نسل بعدی است. مهارت آن در ارتباطات فیبر نوری با سرعت بالا،اهمیت آن را در ارتباطات مدرن تقویت می کند.به عنوان یک بستر برای لیزر و فوتودیود در کاربردهای Datacom و Telecom، وافر ما به طور یکپارچه به زیرساخت های حیاتی ادغام می شود.محصول ما به عنوان سنگ بنای،توصيلات فيبر نوري ،شبكه هاي دسترسی به حلقات مترو و مراکز داده در سراسر جهان را تسهيل ميدهپیشرفت های تکنولوژیکی را به آینده سوق می دهد.

خواص محصول

1. سرعت الکترون برتر:از فوسفید ایندیوم مشتق شده است، وافرهای ما دارای سرعت الکترونی استثنایی هستند، که از نیمه هادی های معمولی مانند سیلیکون فراتر می رود.این ویژگی بر اثربخشی آنها در کاربردهای اپتو الکترونیک تأکید دارد.، ترانزیستورهای سریع، و دیودهای تونل سازی رزونانس.

2. عملکرد فرکانس بالا:وافرهای ما در دستگاه های الکترونیکی با فرکانس بالا و قدرت بالا استفاده گسترده ای دارند و توانایی آنها را برای پشتیبانی از الزامات عملیاتی سخت با سهولت نشان می دهند.

3. بهره وری نوری:با ظرفیت انتشار و تشخیص طول موج بالاتر از 1000 نانومتر، وافرهای ما در سیستم های ارتباطی فیبر نوری با سرعت بالا برجسته هستند و انتقال قابل اعتماد داده ها را در شبکه های متنوع تضمین می کنند.

4. زیربنای همه کاره:به عنوان یک بستر برای لیزر و فوتودیود در کاربردهای Datacom و Telecom، وافرهای ما به راحتی در زیرساخت های مختلف تکنولوژیکی ادغام می شوند،تسهیل عملکرد قوی و مقیاس پذیری.

5. خلوص و امنيت:با ارائه طهارت 99.99٪، وافرهای فوسفید ایندیوم ما عملکرد ثابت و دوام را تضمین می کنند، پاسخگویی به خواسته های سختگیرانه فن آوری های مخابرات و داده های مدرن.

6. طراحی ضدعفونی کننده:در خط مقدم نوآوری نیمه هادی ها قرار دارند، وافرهای ما نیازهای فن آوری های نوظهور را پیش بینی می کنند، و آنها را اجزای ضروری برای اتصالات فیبر نوری،شبکه های دسترسی حلقوی مترو، و مراکز داده در میان انقلاب 5G قریب الوقوع.

7. مشخصات:

    

   مواد	InP یک کریستال	جهت گیری	<100>
   اندازه ((ملی متر)	قطر 50.8×0.35mm، 10×10×0.35mm 10×5×0.35 میلی متر	خشکی سطح	Ra:≤5A
   پولیش کردن	SSP (یک سطح پولیش شده) یا DSP (پلیش سطح دوگانه)

    

   خواص شیمیایی کریستال InP:

   کریستال تک	مواد مخدر	نوع هدایت	غلظت حامل	نسبت تحرک	تراکم انحلال	اندازه استاندارد
   این پی	/	N	(0.4-2) × 1016	(3.5-4) ×103	5×104	Φ2"×0.35 میلی متر Φ3 × 0.35mm
   این پی	S	N	(0.8-3) ×1018 (4-6) ×1018	(2.0-2.4) ×103 (1.3-1.6) ×103	3×104 2×103	Φ2"×0.35 میلی متر Φ3 × 0.35mm
   این پی	Zn	P	(0.6-2) ×1018	70-90	2×104	Φ2"×0.35 میلی متر Φ3 × 0.35mm
   این پی	Fe	N	107-108	≥2000	3×104	Φ2"×0.35 میلی متر Φ3 × 0.35mm

    

   خواص اساسی:

   ساختار کریستالی	تترابیدری ((M4)	ثابت شبکه	a = 5.869 Å
   تراکم	4.81g/cm3	نقطه ذوب	1062 °C
   توده مولار	145.792 گرم/مول	ظاهر	کریستال های مکعب سیاه
   ثبات شیمیایی	کمی در اسیدها محلول است	تحرک الکترون ((@ 300K)	5400 سانتی متر2/ ((V·s)
   فاصله باند ((@ 300 K)	1.344eV	رسانایی حرارتی ((@ 300K)	0.68 W/ ((cm·K)
   شاخص انكسار	3.55 ((@632.8nm)

8. کاربرد محصولات

1. دستگاه های اپتو الکترونیک:وافرهای فوسفید ایندیوم ما به طور گسترده ای در کاربردهای اپتو الکترونیک، از جمله دیودهای تولید کننده نور (LED) ، دیود های لیزری و فتودتکتورها استفاده می شود.سرعت الکترون برتر و کارایی نوری آنها را برای تولید اجزای نوری الکترونیک با عملکرد بالا ایده آل می کند.

2. ترانزیستورهای با سرعت بالا:سرعت الکترون فوق العاده وافرهای ما امکان ساخت ترانزیستورهای با سرعت بالا را فراهم می کند که برای کاربردهایی که نیاز به پردازش سریع سیگنال و سرعت سوئیچ دارند ضروری است.این ترانزیستورها در ارتباطات استفاده می شوند، سیستم های کامپیوتری و رادار.

3. ارتباطات فیبر نوری:بادکنک های فسفید ایندیوم به دلیل توانایی آنها در انتشار و تشخیص طول موج بالاتر از 1000 نانومتر در سیستم های ارتباطی فیبر نوری با سرعت بالا ضروری هستند.آنها انتقال داده ها را در مسافت های طولانی با حداقل از دست دادن سیگنال امکان پذیر می کنند، که آنها را برای شبکه های مخابراتی و مراکز داده حیاتی می کند.

4. دیود های تونل ساز رزونانس:وافرهاي ما در توليد ديود هاي تونل سازي ريزانسي استفاده مي شوند که اثرات تونل سازي کوانتومي منحصر به فرد را نشان مي دهندتصویربرداری تراهرتز، و محاسبات کوانتومی.

5. الکترونیک فرکانس بالا:وافرهای InP معمولاً در دستگاه های الکترونیکی با فرکانس بالا و قدرت بالا ، از جمله تقویت کننده های مایکروویو ، سیستم های رادار و ارتباطات ماهواره ای استفاده می شوند.تحرک الکترونی بالا و قابلیت اطمینان آنها را برای کاربردهای سخت هوافضا و دفاع مناسب می کند.

6. زیرساخت های اطلاعات و مخابرات:وافرهای ما به عنوان زیربنای دیود های لیزری و فوتودیود ها، به توسعه زیرساخت های داده و مخابرات کمک می کنند.پشتیبانی از شبکه های انتقال داده و مخابرات با سرعت بالاآنها قطعات جدایی ناپذیر در گیرنده های نوری، سوئیچ های فیبر نوری و سیستم های چندگانه تقسیم طول موج هستند.

7. تکنولوژی های نوظهور:همانطور که فن آوری های نوظهور مانند 5G، اینترنت اشیاء (IoT) و وسایل نقلیه مستقل به تکامل خود ادامه می دهند، تقاضا برای وافرهای فسفید ایندیوم فقط افزایش خواهد یافت.این وافرها نقش مهمی در امکان نسل بعدی ارتباطات بی سیم خواهند داشت، شبکه های سنسور و دستگاه های هوشمند.

8. توصیه برای سایر محصولات ((بفرمایید بر روی تصویر کلیک کنید و به صفحه اصلی محصولات بروید)

9. 1، Epi - آماده DSP SSP زعفر سبسترات وافرهاي 4 اينچ 6 اينچ 8 اينچ 12 اينچ
10. 
11. 2،فنجان سفیر سفارشی، 2 اینچ سوراخ دایره ای برای استفاده پزشکی و نوری
12.