 |
گپ وافر 2 اینچ نوع N بدون مواد مخدر S بدون مواد مخدر 100 DSP SSP CZ خالصیت بالا 5N 99.999%
جزئیات محصول:
| Place of Origin: | China |
| نام تجاری: | ZMSH |
پرداخت:
| زمان تحویل: | 2-4 هفته |
|---|---|
| شرایط پرداخت: | T/T |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| وزن مولکولی (گرم بر مول): | 100.697 | رنگ / ظاهر: | جامد نارنجی کم رنگ |
|---|---|---|---|
| خلوص: | ≥99.999٪، 5N | ماده نقطه ذوب (°C).: | 1,457 |
| باند گپ (eV)ent: | 2.24 | تحرک الکترون (cm2/(V·s)): | 300 |
| حساسیت مغناطیسی (χ) (cgs): | -13.8×10-6 | رسانایی حرارتی (W/(cm·K)): | 0.752 |
| برجسته کردن: | گلفر GaP نوع N,دو اینچ گاپ وفر,وفر گپ با خلوص بالا,2inch GaP Wafer,High Purity GaP Wafer |
||
توضیحات محصول
گپ وفر 2 اینچ N نوع بدون مواد مخدر S مواد مخدر 100 DSP SSP CZ خالصیت بالا 5N 99.999%
توضیحات Wafer GaP:
در نیمه هادی ها، فسفید گالیوم یک نیمه هادی ترکیبی نوع III-V است که دارای باند گسترده غیرمستقیم گالیوم فسفید (gap) Wafersgap است.ساختار بلوری این ترکیب مشابه سیلیکون استثابت شبکه آن 0.545 نانومتر است و تحرک الکترون و سوراخ آن به ترتیب تقریباً 100 و 75 cm2/V-s است. این ماده بی بو و در آب محلول نیست.از آن در ساخت بسیاری از دستگاه های الکترونیکی استفاده شده استاز جمله سوئیچ های CMOS و RF/V/A.
مواد زیربنایی اصلی برای LED ها فسفید گالیوم است و در برابر نور قرمز، زرد و نارنجی شفاف است. این ویژگی باعث می شود که فسفید گالیوم یک انتخاب برتر برای LED ها باشد.اين ديودها براي بيشتر نور شفاف هستندبا این حال، یک مشکل مرتبط با این ماده وجود دارد. اگر چه بسیار رسانا است،نور کافی برای استفاده از آن به عنوان منبع روشنایی تولید نمی کند.
ماهيت گافر گپ:
1فاصله باند: GaP دارای فاصله باند مستقیم حدود 2.26 eV در دمای اتاق است. این سطح انرژی فاصله باند باعث می شود که GaP برای کاربردهای اپتوالکترونیک، از جمله LED ها و فتودتکتورها مناسب باشد.
2خواص نوری: وافرهای GaP دارای خواص نوری بسیار خوبی مانند شفافیت بالا در طیف قابل مشاهده هستند.این شفافیت برای دستگاه های اپتو الکترونیک که در محدوده نور قابل مشاهده کار می کنند، سودمند است..
3خواص الکتریکی: GaP دارای خواص الکتریکی خوبی از جمله تحرک الکترون بالا و جریان تاریک کم است.که آن را برای دستگاه های الکترونیکی با سرعت بالا و دستگاه های اپتو الکترونیک کم سر و صدا مناسب می کند.
4خواص حرارتی: وافرهای GaP دارای رسانایی حرارتی نسبتاً خوب هستند و در از بین بردن گرما از دستگاه های الکترونیکی کمک می کنند.این ویژگی برای حفظ عملکرد و قابلیت اطمینان دستگاه مهم است.
5ساختار کریستالی: GaP دارای ساختار کریستالی زنکblende است که بر خواص الکترونیکی و نوری آن تأثیر می گذارد.ساختار کریستالی همچنین بر روند رشد و ساخت دستگاه های مبتنی بر GaP تأثیر می گذارد.
6دوپینگ: گافین های GaP می توانند با ناخالصی های مختلف دوپینگ شوند تا هدایت الکتریکی و خواص نوری آنها را تغییر دهند.این کنترل مواد تقویت کننده برای تنظیم دستگاه های GaP برای کاربردهای خاص ضروری است.
7سازگاری با ترکیبات III-V: GaP با دیگر نیمه هادی های ترکیبات III-V سازگار است.اجازه می دهد تا رشد هتروساختارهایی و ادغام مواد مختلف برای ایجاد دستگاه های پیشرفته.
شکل وافر GaP:
| ساختار کریستالی | مکعب. a =5.4505 | |
| روش رشد | CZ (LEC) | |
| تراکم | 4.13 گرم در سانتی متر | |
| نقطه ذوب | 1480 oC | |
| گسترش حرارتی | 5.3 x10-6 / oC | |
| مواد تقویت کننده | S مواد مخدر | بدون مواد مخدر |
| محور رشد کریستال | <111> یا <100> | <100> یا <111> |
| نوع لوله | N | N |
| غلظت حامل | 2 ~ 8 x1017 /cm3 | 4 ~ 6 x1016 /cm3 |
| مقاومت | ~ 0.03 W-cm | ~ 0.3 W-cm |
| EPD | < 3x105 | < 3x105 |
عکس فیزیکی گاپ وفر:
کاربردهای گافر گافر:
1دیودهای تابش نور (LED):
وافرهای GaP معمولاً در تولید LED ها برای کاربردهای مختلف روشنایی از جمله چراغ های شاخص ، نمایشگرها و روشنایی خودرو استفاده می شوند.
2دیود های لیزر:
وافرهای GaP در تولید دیود های لیزری برای کاربردهایی مانند ذخیره سازی داده های نوری، ارتباطات و دستگاه های پزشکی مورد استفاده قرار می گیرند.
3-فوتودتکتورها:
وافرهای GaP در فتودتکتورها برای کاربردهای سنجش نور، از جمله ارتباطات نوری، سیستم های تصویربرداری و نظارت بر محیط مورد استفاده قرار می گیرند.
4سلول های خورشیدی:
وافرهای GaP در توسعه سلول های خورشیدی با کارایی بالا، به ویژه در سازه های سلول های خورشیدی چند گره ای برای برنامه های فضایی و فتوولتائیک متمرکز زمینی استفاده می شود.
5دستگاه های اپتو الکترونیک:
وافرهای GaP جزء جدایی ناپذیر دستگاه های مختلف اپتوالکترونیک مانند مدارهای یکپارچه فوتونیک، سنسورهای نوری و ماژولاتورهای اپتوالکترونیک هستند.
6الکترونيک هاي سريع:
وافرهای GaP در دستگاه های الکترونیکی با سرعت بالا از جمله ترانزیستورهای فرکانس بالا، مدارهای یکپارچه مایکروویو و تقویت کننده های قدرت RF استفاده می شوند.
7ليزرهاي نيمه رسان:
وافرهای GaP در ساخت لیزرهای نیمه هادی مورد استفاده در کاربردهایی مانند ارتباطات نوری، اسکنرهای بارکد و تجهیزات پزشکی استفاده می شوند.
8فوتونیک:
وافرهای GaP نقش مهمی در کاربردهای فوتونیک، از جمله موج راهنماها، سوئیچ های نوری و کریستال های فوتونیک برای دستکاری نور در مقیاس نانو ایفا می کنند.
9تکنولوژی سنسور:
وافرهای GaP در توسعه سنسورها برای کاربردهای مختلف مانند حسگر گاز، نظارت بر محیط زیست و تشخیص زیست پزشکی استفاده می شود.
10دستگاه های هیتروژونکشن:
وافرهای GaP با دیگر نیمه هادی های ترکیبی III-V برای ایجاد دستگاه های هیتروجنکشن ادغام می شوند که قابلیت های پیشرفته را در سیستم های الکترونیکی و اپتو الکترونیک فراهم می کند.
عکس های کاربردی گافر گپ:
سوالات متداول:
1. س: گالیوم فسفید برای چه استفاده می شود؟
ج: گالیوم فسفید از دهه 1960 در تولید دیودهای کم هزینه قرمز، نارنجی و سبز با روشنایی پایین تا متوسط استفاده می شود.به تنهایی یا با آرسنید گالیوم استفاده می شود
توصیه محصول:
1.SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX لایه 0.4-3 جهت گیری بستر 100 111
2.8inch GaN-on-Si Epitaxy si substrate ((110 111 110) برای راکتورهای MOCVD یا کاربرد انرژی RF