 |
لیزر 2 اینچ 3 اینچ InP اپیتاکسیال Wafer Indium Phosphide epi Wafer نیمه هادی سفارشی FP دیود لیزر
جزئیات محصول:
| Place of Origin: | China |
| نام تجاری: | ZMSH |
| Model Number: | InP Laser Epitaxial Wafe |
پرداخت:
| Delivery Time: | 2-4weeks |
|---|---|
| Payment Terms: | T/T |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| Substrate: | InP Laser Epitaxial Wafe | Polishing: | DSP SSP |
|---|---|---|---|
| PL Wavelength Control:: | Better Than 3nm | PL Wavelength Uniformity:: | Std. Dev Better Than 1nm @inner 42mm |
| P-InP Doping (cm-3):: | Zn Doped; 5e17 To 2e18 | N-InP Doping (cm-3):: | Si Doped; 5e17 To 3e18 |
| برجسته کردن: | دو اينچ ليزر ايپاتاكسيال وفر,3 اینچ InP لیزر اپیتاکسیال وفر,سیمکاندکتور InP لیزر epitaxial Wafer,3inch InP Laser Epitaxial Wafer,Semiconductor InP Laser Epitaxial Wafer |
||
توضیحات محصول
لیزر 2 اینچ 3 اینچ InP اپیتاکسیال Wafer Indium Phosphide epi Wafer نیمه هادی سفارشی FP دیود لیزر
توضیحات InP Laser Epitaxial Wafer:
فوسفید ایندیوم (InP) یک ماده نیمه هادی کلیدی است که سیستم های نوری را قادر می سازد تا عملکرد مورد نیاز برای مرکز داده، backhaul تلفن همراه، مترو و کاربردهای طولانی مدت را ارائه دهند.فوتودیودها و موج های ساخته شده بر روی وافرهای اپیتاسیال inP در پنجره انتقال بهینه فیبر شیشه ای کار می کنند.، که امکان ارتباطات فیبر کارآمد را فراهم می کند.
نردبان اپیتاکسیال لیزر InP یک بستر نیمه هادی تخصصی است که شامل چندین لایه از مواد مختلف است که در یک نردبان فسفید ایندیوم (InP) از طریق تکنیک های رشد اپیتاکسیال رشد می کند.این لایه های اضافی با دقت طراحی شده اند تا ساختاری مناسب برای کاربردهای لیزر ایجاد کنند.
وافرهای اپیتاکسیال لیزر InP اجزای حیاتی در ساخت لیزرهای نیمه هادی از جمله لیزرهای پرت کننده لبه و لیزرهای پرت کننده سطح عمودی هستند.لایه های اپیتاکسیال با خواص خاص نوری و الکتریکی طراحی شده اند تا انتشار و تقویت نور کارآمد را امکان پذیر کنند، که آنها را در دستگاه های مختلف اپتوالکترونیک برای مخابرات، سنجش و سایر کاربردهایی که نیاز به تکنولوژی لیزر دارند ضروری می کند.
شخصیت InP Laser Epitaxial Wafer:
خواص نوری:
طول موج انتشار: طول موج انتشار قابل تنظیم در طیف مادون قرمز.
کارایی کوانتومی بالا: انتشار نور و خواص تقویت کارآمد.
ضریب جذب پایین: اجازه می دهد تا از دست دادن نوری در مواد کم باشد.
خواص ساختاری:
ساختار Epitaxial لایه دار: متشکل از لایه های متعدد از مواد نیمه هادی مختلف که در یک بستر InP رشد می کنند.
سطح صاف: سطح یکنواخت و بدون نقص برای عملکرد لیزر بسیار مهم است.
ضخامت کنترل شده: ضخامت هر لایه برای خواص خاص نوری و الکتریکی به دقت کنترل می شود.
خواص الکتریکی:
تحرک حامل: تحرک حامل بالا برای حمل و نقل بار کارآمد.
تراکم نقص کم: نقص های کم کریستالی برای عملکرد الکترونیکی بهبود یافته.
تشکیل گره های P-N: توانایی تشکیل گره های P-N برای کار لیزر.
خواص حرارتی:
رسانایی حرارتی بالا: از بین بردن گرمای تولید شده در طول کار لیزر.
ثبات حرارتی: حفظ یکپارچگی ساختاری در شرایط عملیاتی متفاوت.
قابلیت تولید:
سازگاری: سازگاری با فرآیندهای تولید نیمه هادی استاندارد.
یکنواخت: خواص سازگار در سراسر وافر برای تولید انبوه.
قابلیت سفارشی سازی: طرح های اپیتاکسیال متناسب با کاربردهای خاص لیزر.
شکل لیزر InP epitaxial wafer:
| پارامترهای محصول | وافرهای اپیتاکسیال DFB | وفر اپیتاکسیال DFB با قدرت بالا | سیلیکون فوتونیکس اپیتاکسیال وفر |
| نرخ | 10G/25G/50G | / | / |
| طول موج | 1310nm | ||
| اندازه | 2/3 اينچ | ||
| ویژگی های محصول | CWDM 4/PAM 4 | تکنولوژی BH | PQ /AlQ DFB |
| کنترل طول موج | بهتر از 3 نانومتر | ||
| lPL یکسانی طول موج | Std.Dev بهتر از 1nm @inner | ||
| کنترل ضخامت | 42ميلي متر بهتر از 3 درصد | ||
| یکسانی ضخامت | بهتر از +3% @ 42mm داخلی | ||
| کنترل دوپینگ | بهتر از 10 درصد | ||
| دوپینگ P-lnP (cm-3) | Zn doped؛ 5e17 تا 2e18 | ||
| استفاده از N-InP (cm-3) | Si؛ 5e17 تا 3e18 | ||
عکس فیزیکی لیزر اپیتاکسیال InP:
ساختار پیش فرض لایه EPl از InP Laser Epitaxial Wafe:
استفاده از InP Laser Epitaxial Wafer:
دیود لیزر: مناسب برای لیزرهای emitting edge و VCSELs است.
مخابرات: برای سیستم های ارتباطی نوری ضروری است.
سنجش و تصویربرداری: در حسگرهای نوری و برنامه های تصویربرداری استفاده می شود.
دستگاه های پزشکی: در سیستم های لیزری پزشکی استفاده می شود.
تصویر استفاده از InP Laser Epitaxial Wafer:
سوالات متداول:
1.س: یک وافر اپیتاکسیال چیست؟
A: یک پنل اپیتاکسیال (همچنین به آن پنل اپی، اپی-وفر یا اپی-وفر نیز گفته می شود) یک پنل از مواد نیمه هادی است که با رشد اپیتاکسیال (اپیتاکسی) برای استفاده در فوتونیک، میکروالکترونیک، اسپینترونیک،یا خورشیدی.
2.س:مزیت های InP چیست؟
A:مزیت های متمایز Wafers InP ارائه:تحرک الکترون بالا: InP نشان می دهد تحرک الکترون نزدیک به ده برابر بیشتر از سیلیکون،که آن را برای ترانزیستورها و تقویت کننده های با سرعت بالا در سیستم های مخابراتی و رادار مناسب می کند.
توصیه محصول:
1.8inch GaN-on-Si Epitaxy Si Substrate 110 111 110 برای راکتورهای MOCVD یا برنامه انرژی RF
2. InP وافر 2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ VGF نوع P نوع N نوع Depant Zn S Fe درجه آزمایشی درجه آزمایشی
کلمه کلیدی: لزوما لیزر اپیتاسیالاین پی