معرفی بازوی چنگال سرامیکی SiC

دربازوی چنگال سرامیکی SiC، همچنین به عنوان یکافکتور انتهای سرامیکی، یک قطعه رباتیک با عملکرد بالا است که برای کاربردهای بسیار تمیز و دقیق در تولید نیمه هادی طراحی شده است.سرامیک کربید سیلیکون (SiC)، این اثرگذار نهایی دارای قدرت مکانیکی برجسته، گسترش حرارتی کم و مقاومت شیمیایی عالی است که آن را برای محیط های فرآیند سخت مانند اتاق های خلاء ایده آل می کند.مناطق با دمای بالا، و اتمسفر گاز خوردگی.

بر خلاف افکتورهای سنتی فلزی یا کوارتزی، بازوی چنگال سرامیکی SiC تولید ذرات و تحریف حرارتی را به حداقل می رساند.ارائه قابلیت اطمینان طولانی مدت و تراز دقیق برای انتقال وافره، موقعیت گذاری و عملیات بارگیری/فرار

اصول تولیداز SiC Ceramic Fork Arm

درافکتور آخر سرامیکی SiCبا استفاده ازکربید سیلیکون مرتبط با واکنش (RB-SiC)یاکربید سیلیکون بدون فشار (SSiC)فرآیند تولید معمولا شامل:

1. فرآوری پودر: پودر SiC با خالصیت بالا با واسطه ها و افزودنی ها مخلوط می شود.

2. قالب گیری: استفاده از تکنیک هایی مانند فشرده سازی ایزواستاتیک سرد (CIP) یا قالب گذاری تزریقی برای شکل دادن به هندسه های پیچیده، از جمله بازوهای فلک نازک یا سازه های شاخه دار.

3. سینتر کردن: درمان گرمایی در دمای بالاتر از 2000 درجه سانتیگراد، ضخامت بالا، قدرت و یکسانی میکروسروکی را تضمین می کند.

4. ماشینکاری دقیق: آسیاب CNC و پولیش الماس برای دستیابی به تحمل ابعاد تا مایکرون و سطوح فوق العاده صاف استفاده می شود، به حداقل رساندن آسیب به وافرها.

5. بازرسی نهایی: آزمایش غیر مخرب (NDT) ، بررسی ابعاد و آزمایش خشکی سطح اطمینان حاصل می کند که هر اثربخشی سرامیکی پایانی با استانداردهای درجه نیمه هادی مطابقت دارد.

کل این فرآیند تضمین می کندافکتور پایانیسفتی عالی، خواص سبک وزن و عدم واکنش در محیط کار چالش برانگیز را حفظ می کند.

درخواست هااز SiC Ceramic Fork Arm

دربازوی چنگال سرامیکی SiCبه طور گسترده ای در زمینه های نیمه هادی، فتوولتائیک و میکروالکترونیک استفاده می شود. کاربردهای اصلی عبارتند از:

• سیستم های انتقال وافره: برای دستکاری وافرهای 6 تا 12 اینچی در طول ساخت IC.

• سلاح های رباتیک در اتاق های خلاء: برای انتخاب و قرار دادن در CVD، ALD، و فرآیندهای حکاکی خشک.

• پورت های بارگذاری FOUP/FOSB: ادغام در سیستم های رباتیک برای انتقال وافرهای بین حامل ها و ماژول های فرآیند.

• اتوماسیون اتاق تمیز: در خطوط تولید نیمه هادی با سرعت بالا که در آن دستکاری بسیار تمیز ضروری است.

• پردازش لیزر یا آنلی: جایی که مقاومت در برابر دمای بالا و عدم آلودگی حیاتی است.

اونافکتور پایانیعملکرد اطمینان از گرفتن ظریف اما محکم و بدون استرس مکانیکی و یا آلودگی.

مزایااز SiC Ceramic Fork Arm

• خالصیت بالا: مقاومت عالی در برابر آلودگی.

• ثبات حرارتی: سفتی و شکل را تحت چرخه حرارتی حفظ می کند.

• گسترش حرارتی کم: از تغییر شکل حرارتی جلوگیری می کند و تراز وافرها را بهبود می بخشد.

• مقاومت در برابر مواد شیمیایی: بی اثر در محیط گاز های خوردنی و پلاسمای.

• قدرت مکانیکی: مقاوم به شکستگی، شکستن و شکستن تحت بار مکانیکی.

• سطح صاف: سطوح تماس بسیار صاف خطر خراش وافره را کاهش می دهد.

مشخصاتاز SiC Ceramic Fork Arm

پرسش های عمومیاز SiC Ceramic Fork Arm

سوال 1: چرا یک اثرگر سرامیکی SiC را به جای کوارتز یا آلومینیوم انتخاب کنید؟
A1:سرامیک های SiC در مقایسه با مواد کوارتز یا فلزی مقاومت حرارتی برتر، قدرت مکانیکی و عمر طولانی تری دارند، به ویژه در محیط های پلاسما خشن یا دمای بالا.

س2: آیا می توان بازوهای چنگال سرامیکی را سفارشی کرد تا متناسب با اندازه ربات یا وفر من باشد؟
A2:آره، ما گزينه هاي توليدي کامل از هندسه ي بازو فورک، ابعاد سوراخ، و رابط هاي نصب براي تطابق با سيستم روباتيك و مشخصات وافره

س3: آیا این افکتورهای پایانی برای استفاده در سیستم های خلاء یا پلاسما ایمن هستند؟
A3:کاملاً. سرامیک های SiC به دلیل بی عمل بودن شیمیایی و انتشار کم گازهای خارج از هوا، کاملاً با محیط های خلاء فوق العاده بالا (UHV) ، حکاکی پلاسما و حکاکی یون واکنش پذیر (RIE) سازگار هستند.

سوال 4: بازوی چنگال سرامیکی SiC در صورت استفاده مکرر چقدر دوام دارد؟
A4:سختی و سفتی بالای SiC® آن را قادر می سازد تا بدون تخریب در چرخه های حرارتی مکرر و دستکاری مکانیکی مقاومت کند و آن را برای محیط های تولید مداوم ایده آل کند.

س5: آیا شما آزمایش یا صدور گواهینامه برای هر اثر آخر را ارائه می دهید؟
A5:بله، همه محصولات تحت بازرسی ابعاد دقیق، آزمایش سطح و تأیید مواد قرار می گیرند. گواهینامه های انطباق (CoC) و گزارش های آزمایش می توانند بر اساس درخواست ارائه شوند.

محصولات مرتبط

12 اینچ سی سی وافر 300 میلی متر سیلیکون کربید وافر رسانا نمک درجه N-نوع درجه تحقیق

4H/6H نوع P Sic Wafer 4 اینچ 6 اینچ Z درجه P درجه D درجه خارج از محور 2.0 °-4.0 ° به سمت نوع P Doping