logo
قیمت مناسب  آنلاین

جزئیات محصولات

Created with Pixso. صفحه اصلی Created with Pixso. محصولات Created with Pixso.
زیرکره ی Sapphire
Created with Pixso.

LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate

LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate

نام تجاری: ZMSH
شماره مدل: 2 "/3"/4 "/6"/8 "
مقدار تولیدی: 2
قیمت: 200 USD
جزئیات بسته بندی: کارتن های سفارشی
شرایط پرداخت: T/T
اطلاعات دقیق
محل منبع:
چین
مواد:
LiNbO3
قطر/اندازه:
2 "/3"/4 "/6"/8 "
زاویه برش:
x/y/z و غیره
TTV:
<3μm
تعظیم:
-30
پیچ و تاب:
<40μm
قابلیت ارائه:
در صورت
برجسته کردن:

2 اینچ لیتیوم نیوبات روی عایق,4 اینچ لیتیوم نیوبات روی عایق,8 اینچ لیتیوم نیوبات روی عایق

,

4 Inch Lithium Niobate on Insulator

,

8 Inch Lithium Niobate on Insulator

توضیحات محصول

ویفر LNOI (نیوبات لیتیوم روی عایق) 2/3/4/6/8 اینچ زیرلایه Si/LN

معرفیویفرهای LNOI چه تفاوتی با ویفرهای SOI دارند؟
ویفرهای LNOI (نیوبات لیتیوم روی عایق) یک ماده پیشرفته هستند که در توسعه دستگاه‌های فوتونیک و کوانتومی پیشرفته استفاده می‌شوند. این ویفرها با پیوند دادن یک لایه نازک از نیوبات لیتیوم (LiNbO₃) بر روی یک زیرلایه عایق، معمولاً سیلیکون، از طریق فرآیندهای تخصصی مانند کاشت یون و پیوند ویفر ساخته می‌شوند. ویفرهای LNOI خواص نوری و پیزوالکتریک استثنایی نیوبات لیتیوم را به ارث می‌برند و آنها را برای کاربردهای با کارایی بالا در اپتیک یکپارچه، مخابرات و فناوری‌های کوانتومی ضروری می‌سازد. این مقاله اصول اساسی، کاربردهای کلیدی و سوالات متداول در مورد ویفرهای LNOI را بررسی می‌کند.

 

LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate 0LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate 1

 


 

اصل ساخت ویفر LNOI:
فرآیند ایجاد ویفرهای LNOI پیچیده است و شامل چندین مرحله حیاتی برای اطمینان از کیفیت و عملکرد بالای محصول نهایی است. در اینجا یک تجزیه از مراحل کلیدی آورده شده است:

 

LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate 2

 

 

  1. کاشت یون:
    فرآیند ساخت با یک کریستال نیوبات لیتیوم حجیم شروع می‌شود. یون‌های هلیوم (He) با انرژی بالا در سطح کریستال کاشته می‌شوند. انرژی و عمق یون‌ها ضخامت لایه نیوبات لیتیوم را تعیین می‌کنند. این کاشت یون یک صفحه شکننده در داخل کریستال ایجاد می‌کند که می‌تواند در مراحل بعدی فرآیند جدا شود تا یک فیلم نازک و با کیفیت بالا از نیوبات لیتیوم به دست آید.

  2. پیوند به زیرلایه:
    هنگامی که فرآیند کاشت یون کامل شد، لایه نیوبات لیتیوم (که توسط یون‌ها ضعیف شده است) به یک زیرلایه عایق، معمولاً سیلیکون، متصل می‌شود. این کار با استفاده از تکنیک‌های پیوند مستقیم ویفر انجام می‌شود، جایی که سطوح با فشار و دمای بالا به هم فشرده می‌شوند. پیوند حاصل یک رابط پایدار بین لایه نازک نیوبات لیتیوم و زیرلایه پشتیبان ایجاد می‌کند.

  3. بازپخت و جداسازی لایه:
    پس از پیوند، ویفر تحت یک فرآیند بازپخت قرار می‌گیرد که به ترمیم هرگونه آسیب ناشی از کاشت یون کمک می‌کند. مرحله بازپخت همچنین جداسازی لایه بالایی نیوبات لیتیوم از کریستال حجیم را ارتقا می‌دهد. این امر منجر به ایجاد یک لایه نازک نیوبات لیتیوم با کیفیت بالا بر روی زیرلایه می‌شود که برای استفاده در کاربردهای مختلف فوتونیک و کوانتومی ضروری است.

  4. پرداخت مکانیکی شیمیایی (CMP):
    برای دستیابی به کیفیت و صافی سطح مورد نظر، ویفر تحت پرداخت مکانیکی شیمیایی (CMP) قرار می‌گیرد. CMP هرگونه زبری روی سطح را صاف می‌کند و اطمینان حاصل می‌کند که ویفر نهایی الزامات سختگیرانه برای استفاده در دستگاه‌های فوتونیک با کارایی بالا را برآورده می‌کند. این مرحله برای اطمینان از عملکرد نوری بهینه و کاهش نقص‌ها بسیار مهم است.


 

مشخصات ویفرهای LNOI از یک لایه نازک نیوبات لیتیوم (LiNbO₃) تشکیل شده‌اند که به یک زیرلایه عایق، معمولاً سیلیکون، متصل شده است. لایه نیوبات لیتیوم خواص نوری و پیزوالکتریک عالی را ارائه می‌دهد و آن را برای کاربردهای مختلف با کارایی بالا ایده‌آل می‌کند.ویفرهای LNOI چه تفاوتی با ویفرهای SOI دارند؟

 

 

نوری Mg/Fe/Zn/MgO و غیره برای درجه نوری LN LiNbO3 ویفرها دمای کوری
1142±0.7℃ برش زاویه
X/Y/Z و غیره قطر/اندازه 2”/3”/4”/6"/8”
تلرانس(±) <0.20 میلی‌متر ±0.005 میلی‌متر
ضخامت 0.18~0.5 میلی‌متر یا بیشتر
اولیه تخت
16 میلی‌متر/22 میلی‌متر/32 میلی‌متر سطح <3μ;m
کمانش -30
<کمانش<30 تاب<40μm
جهت‌گیری تخت
همه موجود است سطح نوع
شاخص شکست پرداخت شده طرف
Ra <0.5 نانومتر S/D 20/10
لبه معیارها
R=0.2mm نوع C یا Bullnose No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm طول موج/روش کوپلر منشور. عاری از ترک (حباب و ناخالصی)
نوری دوپ شده
Mg/Fe/Zn/MgO و غیره برای درجه نوری LN < ویفر در هر درخواست ویفرسطح
معیارها شاخص شکست No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm طول موج/روش کوپلر منشور. آلودگی، هیچ
ذرات بدون ترک لبه، خراش، علامت اره، لکه
m <=30 خراش، لب پریدگی هیچ
نقص بدون ترک لبه، خراش، علامت اره، لکه
بسته بندی تعداد/جعبه ویفر
25 عدد در هر جعبه کاربردهای ویفرهای LNOI: ویفرهای LNOI در زمینه‌های مختلف، به ویژه آنهایی که به خواص مواد پیشرفته برای کاربردهای فوتونیک، کوانتومی و پرسرعت نیاز دارند، استفاده می‌شوند. در زیر حوزه‌های کلیدی که در آن ویفرهای LNOI ضروری هستند، آورده شده است:

 


 

اپتیک یکپارچه:
ویفرهای LNOI به طور گسترده در اپتیک یکپارچه استفاده می‌شوند، جایی که به عنوان پایه ای برای دستگاه‌های فوتونیک مانند مدولاتورها، موجبرها و تشدیدگرها عمل می‌کنند. این دستگاه‌ها برای دستکاری نور در سطح مدار مجتمع بسیار مهم هستند و امکان انتقال داده‌ها با سرعت بالا، پردازش سیگنال و کاربردهای نوری پیشرفته را فراهم می‌کنند.

 

LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate 3

  1. مخابرات:
    ویفرهای LNOI نقش حیاتی در مخابرات، به ویژه در سیستم‌های ارتباط نوری ایفا می‌کنند. آنها برای ایجاد مدولاتورهای نوری استفاده می‌شوند که اجزای ضروری برای شبکه‌های فیبر نوری با سرعت بالا هستند. خواص الکترو-نوری استثنایی LNOI امکان مدولاسیون دقیق نور را با فرکانس‌های بالا فراهم می‌کند که برای سیستم‌های ارتباطی مدرن ضروری است.

  2. محاسبات کوانتومی:
    ویفرهای LNOI یک ماده ایده‌آل برای فناوری‌های کوانتومی هستند، زیرا توانایی آنها در تولید جفت فوتون‌های درهم تنیده که برای توزیع کلید کوانتومی (QKD) و رمزنگاری کوانتومی ضروری هستند. ادغام آنها در سیستم‌های محاسبات کوانتومی امکان توسعه مدارهای فوتونیک پیشرفته را فراهم می‌کند که برای آینده محاسبات و فناوری‌های ارتباطی کوانتومی بسیار مهم هستند.

  3. فناوری‌های حسگر:
    ویفرهای LNOI همچنین در کاربردهای حسگر نوری و صوتی استفاده می‌شوند. توانایی ویفرها در تعامل با نور و صدا، آنها را برای حسگرهای مورد استفاده در تشخیص پزشکی، نظارت بر محیط زیست و آزمایش صنعتی ارزشمند می‌کند. حساسیت و پایداری بالای آنها اندازه‌گیری‌های دقیقی را تضمین می‌کند و آنها را در این زمینه‌ها ضروری می‌سازد.

  4. سوالات متداول
    ویفر LNOI


 

ویفرهای LNOI از چه چیزی ساخته شده‌اند؟ ویفرهای LNOI از یک لایه نازک نیوبات لیتیوم (LiNbO₃) تشکیل شده‌اند که به یک زیرلایه عایق، معمولاً سیلیکون، متصل شده است. لایه نیوبات لیتیوم خواص نوری و پیزوالکتریک عالی را ارائه می‌دهد و آن را برای کاربردهای مختلف با کارایی بالا ایده‌آل می‌کند.ویفرهای LNOI چه تفاوتی با ویفرهای SOI دارند؟

  1. در حالی که هر دو ویفر LNOI و SOI از یک فیلم نازک متصل به یک زیرلایه عایق تشکیل شده‌اند، LNOI از نیوبات لیتیوم به عنوان ماده فیلم نازک استفاده می‌کند، در حالی که ویفرهای SOI از سیلیکون استفاده می‌کنند. نیوبات لیتیوم خواص نوری غیرخطی برتری را ارائه می‌دهد که ویفرهای LNOI را برای کاربردهایی مانند محاسبات کوانتومی و فوتونیک پیشرفته مناسب‌تر می‌کند.
    مزایای اصلی استفاده از ویفرهای LNOI چیست؟

  2. مزایای اصلی ویفرهای LNOI شامل ضریب‌های الکترو-نوری بالای آنها است که امکان مدولاسیون کارآمد نور را فراهم می‌کند، و همچنین استحکام مکانیکی آنها که پایداری را در حین عملکرد دستگاه تضمین می‌کند. این خواص ویفرهای LNOI را برای کاربردهای نوری و کوانتومی با سرعت بالا ایده‌آل می‌کند.
    محصولات مرتبط

  3. کریستال نیوبات لیتیوم (LiNbO3) اجزای EO/PO مخابرات دفاعی​ SAW با فرکانس بالا
    زیرلایه‌های SiC-on-Insulator SiCOI هدایت حرارتی بالا شکاف باند وسیع

 

 

LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate 4

 

LNOI Wafer Lithium Niobate On Insulator 2/3/4/6/8 Inch LN Substrate 5