جزئیات محصولات

صفحه اصلی محصولات

ویفر سیلیکون کاربید

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

تمام دسته ها

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

ویفر گالیم نیترویید

با ما تماس بگیرید

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

اکنون تماس بگیرید

تمام دسته ها

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

نام تجاری:	ZMSH
شماره مدل:	4 اینچ سی سی وفر
مقدار تولیدی:	10 عدد
جزئیات بسته بندی:	بسته مشترک
شرایط پرداخت:	T/T

اطلاعات دقیق

توضیحات محصول

اطلاعات دقیق

محل منبع:

چین

گواهی:

RoHS

تایپ کنید:

4h-n

درجه:

ساختگی / تحقیق / درجه تولید

ضخامت:

25±350 میکرومتر

پیچ و تاب:

≤40 میکرومتر

زبری:

Ra≤1 نانومتر

قطر:

4 اینچ، 99.5 میلی متر ~ 100.0 میلی متر

توضیحات محصول

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate 4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate What are Silicon Carbide (SiC) Wafers & Substrates? Silicon Carbide (SiC) wafers and substrates are specialized materials used in semiconductor technology made from silicon carbide, a compound known for its high thermal conductivity, excellent mechanical strength, and wide bandgap. Exceptionally hard and lightweight, SiC wafers and substrates provide a robust

برچسب‌ها:

بستر کاربید سیلیکون

ویفر سیلیک,سیلیکون روی ویفر یاقوت کبود

ویفر sic

محصولات مرتبط

8 اینچ 200 میلی متر پولیش شمش کاربید سیلیکون زیرلایه تراشه Sic نیمه هادی

بهترین قیمت را دریافت کنید

ویفر ساختگی 3C-SiC مکعبی کاربید سیلیکون برای پردازش نیمه هادی

بهترین قیمت را دریافت کنید

اجزای CVD SiC برای تجهیزات نیمه هادی SiC Ring SiC Electrode dry etch

بهترین قیمت را دریافت کنید

سی سی (SiC Dummy Wafer) (EPI) سیستم های epitaxy و MOCVD

بهترین قیمت را دریافت کنید

سیلیکون کاربید 8 اینچی (SiC Epi Wafer)

بهترین قیمت را دریافت کنید

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

ویفر گالیم نیترویید

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

ویفر گالیم نیترویید

جزئیات محصولات

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

ویفر گالیم نیترویید

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

ویفر گالیم نیترویید

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate