 
|
| محل منبع: | چین |
| نام تجاری: | ZMKJ |
| شماره مدل: | dia2x10mmt دوپ نشده |
| مقدار حداقل تعداد سفارش: | 10 عدد |
|---|---|
| قیمت: | by case |
| جزئیات بسته بندی: | جعبه پلاستیکی و کاغذ عایق |
| زمان تحویل: | 2-3 هفته |
| شرایط پرداخت: | T/T، Western Union، MoneyGram |
| قابلیت ارائه: | 1-50 عدد در ماه |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| مواد: | کاربید سیلیکون پلی کریستالی | سختی: | 9.2-9.6 |
|---|---|---|---|
| شکل: | استوانه ای | تحمل: | ± 0.1 میلی متر |
| کاربرد: | نوری | تایپ کنید: | خلوص بالا 4 ساعت نیمه |
| مقاومت: | > 1E7 Ω | رنگ: | خاکستری تیره |
| سطح: | DSP | ||
| برجسته: | ویفر کاربید سیلیکون توخالی,ویفر کاربید سیلیکون پولیش,عنصر نوری سرامیکی SiC |
||
دوپینگ 4 ساعت نیمه خلوص بالا اندازه سفارشی میله کریستال سرامیکی Sic قطر لنز 2 میلی متر طول 10 میلی مترتوپ سرامیکی کاربید سیلیکون با دقت بالا 1 میلی متر 2 میلی متر 3 میلی متر 4 میلی متر 5 میلی متر 6 میلی متر 24 میلی متر و غیره برای بلبرینگ مهره های Sic صفحات سرامیکی کاربید سیلیکون سیاه SiC سفارشی شده
مشخصات زیرلایه های 4H-SiC نیمه عایق 6 اینچی با خلوص بالا
| ویژگی | UfUhni) درجه |درجه P (Produeben). | R (تحقیق) درجه | د (ساختگی〉مقطع تحصیلی | |
| قطر | 150.0 mmHJ.25 mm | |||
| Oncniation سطح | {0001} ± 0.2. | |||
| اورینتالیکن مسطح اولیه | <ll-20>±5.0# | |||
| کلاه ثانویه OrientaUen | N>A | |||
| طول تخت اولیه | 47.5 میلی متر ± 1.5 میلی متر | |||
| طول تخت ثانویه | هیچ یک | |||
| وا知حاشیه، غیرمتمرکز | چمفر | |||
| تراکم میکروپیپک | <1 knr <5 /cm2 | <10/cm2 | <50/cm2 | |
| منطقه Poljlypc توسط High-imcnsity Light | هیچ یک | <10% | ||
| مقاومت کردن!ویتامین)، | >lE7Hcm | (حوزه75 درصد>lE7D سانتی متر | ||
| ضخامت | 350.0 ± 25.0 جیم یا 500.0呻±ساعت 25.C بعد از ظهر | |||
| تی تی وی | ساعت 10 شب | |||
| Bou< ارزش مطلق) | =40 بعد از ظهر | |||
| پیچ و تاب | -60 بعد از ظهر | |||
| پایان سطح | C-focc: صیقلی نوری، Si-focc: CMP | |||
| Roughncss(lC UmXIOu m) | CMP Si-bee Ra<C,5nm | N/A | ||
| کرک توسط نور با شدت بالا | هیچ یک | |||
| Edge Chips/lndcnts توسط Diffuse Lighting | هیچ یک | Qly<2، طول و عرض tbc هر V 1 میلی متر | ||
| منطقه موثر | >90% | > 8C٪ | N/A | |
درباره شرکت ZMKJ
ZMKJ می تواند ویفر SiC تک کریستال (سیلیکون کاربید) با کیفیت بالا را برای صنایع الکترونیک و الکترونیک نوری فراهم کند.ویفر SiC یک ماده نیمه هادی نسل بعدی است، با خواص الکتریکی منحصر به فرد و خواص حرارتی عالی، در مقایسه با ویفر سیلیکونی و ویفر GaAs، ویفر SiC برای کاربرد دستگاه با دمای بالا و قدرت بالا مناسب تر است.ویفر SiC را می توان در قطر 2-6 اینچ، هر دو 4H و 6H SiC، نوع N، دوپ شده نیتروژن و نوع نیمه عایق موجود عرضه کرد.لطفا برای اطلاعات بیشتر محصول با ما تماس بگیرید.
