 |
ویفر یاقوت کبود با تخته مدار متالیزاسیون
جزئیات محصول:
| محل منبع: | چین |
| نام تجاری: | ZMKJ |
پرداخت:
| مقدار حداقل تعداد سفارش: | 5 عدد |
|---|---|
| قیمت: | by case |
| جزئیات بسته بندی: | ظرف ویفر تک در اتاق نظافت |
| زمان تحویل: | در 30 روز |
| شرایط پرداخت: | T/T، Western Union، Paypal |
| قابلیت ارائه: | 50 عدد در ماه |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| لایه: | ویفر یاقوت کبود با متالیزاسیون | لایه: | قالب یاقوت کبود |
|---|---|---|---|
| ضخامت لایه: | 1-5 میلی متر | نوع هدایت: | N/P |
| گرایش: | 0001 | کاربرد: | دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا/فرکانس بالا |
| برنامه 2: | دستگاه های اره/BAW 5G | ضخامت سیلیکون: | 525um/625um/725um |
| برجسته: | تخته مدار ویفر یاقوت کبود,ویفر یاقوت کبود فلزی,بستر نیمه هادی یاقوت کبود |
||
توضیحات محصول
قالب‌های GaN بر پایه یاقوت کبود ۲ اینچی ۴ اینچی ۴ اینچی فیلم GaN روی بستر یاقوت کبود
خواص شیمیایی GaN
1) در دمای اتاق، GaN در آب، اسید و قلیایی نامحلول است.
2) در محلول قلیایی داغ با سرعت بسیار کم حل می شود.
3) NaOH، H2SO4 و H3PO4 می توانند به سرعت کیفیت ضعیف GaN را خراب کنند، می توان برای این تشخیص نقص کریستال GaN با کیفیت پایین استفاده کرد.
4) GaN در HCL یا هیدروژن، در دمای بالا ویژگی های ناپایدار را نشان می دهد.
5) GaN در زیر نیتروژن پایدارترین است.
خواص الکتریکی GaN
1) خواص الکتریکی GaN مهمترین عوامل موثر بر دستگاه است.
2) GaN بدون دوپینگ در همه موارد n بود و غلظت الکترون بهترین نمونه حدود 4*(10^16)/c㎡ بود.
3) به طور کلی، نمونه های P آماده شده بسیار جبران می شود.
خواص نوری GaN
1) مواد نیمه هادی ترکیبی باند گسترده با پهنای باند بالا (2.3 ~ 6.2eV)، می تواند طیف سبز زرد قرمز، آبی، بنفش و ماوراء بنفش را پوشش دهد، تا کنون هیچ ماده نیمه هادی دیگری قادر به دستیابی نیست.
2) عمدتا در دستگاه ساطع نور آبی و بنفش استفاده می شود.
خواص مواد GaN
1) خاصیت فرکانس بالا، به 300G هرتز می رسد.(Si 10G و GaAs 80G است)
2) خاصیت دمای بالا، کار معمولی در 300 ℃، بسیار مناسب برای هوا فضا، نظامی و سایر محیط های با دمای بالا.
3) رانش الکترون دارای سرعت اشباع بالا، ثابت دی الکتریک پایین و هدایت حرارتی خوب است.
4) مقاومت اسید و قلیایی، مقاومت در برابر خوردگی، می تواند در محیط سخت استفاده شود.
5) ویژگی های ولتاژ بالا، مقاومت در برابر ضربه، قابلیت اطمینان بالا.
6) قدرت بزرگ، تجهیزات ارتباطی بسیار مشتاق است.
کاربرد اصلی GaN:
1) دیودهای ساطع نور، LED
2) ترانزیستورهای اثر میدانی، FET
3) دیودهای لیزر، LD
مشخصات مشخصه
سایر مشخصات قالب 4INCH GaN
| بسترهای GaN/Al2O3 (4 اینچ) 4 اینچ | |||
| مورد | دوپ نشده | نوع N |
دوپینگ بالا نوع N |
| اندازه (میلی متر) | Φ100.0±0.5 (4 اینچ) | ||
| ساختار بستر | GaN در Sapphire (0001) | ||
| سطح تمام شد | (استاندارد: گزینه SSP: DSP) | ||
| ضخامت (μm) | 0.5±4.5;20±2؛ سفارشی | ||
| نوع هدایت | دوپ نشده | نوع N | نوع N با دوپ بالا |
| مقاومت (Ω·cm) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| یکنواختی ضخامت GaN |
≤±10٪ (4 اینچ) | ||
| چگالی دررفتگی (cm-2) |
≤5×108 | ||
| سطح قابل استفاده | ＞90% | ||
| بسته | بسته بندی شده در محیط اتاق تمیز کلاس 100. | ||
| ساختار کریستالی |
Wurtzite |
| ثابت شبکه (Å) | a=3.112، c=4.982 |
| نوع نوار رسانایی | فاصله باند مستقیم |
| چگالی (g/cm3) | 3.23 |
| ریزسختی سطح (تست Knoop) | 800 |
| نقطه ذوب (℃) | 2750 (10-100 بار در N2) |
| هدایت حرارتی (W/m·K) | 320 |
| انرژی شکاف باند (eV) | 6.28 |
| تحرک الکترون (V·s/cm2) | 1100 |
| میدان شکست الکتریکی (MV/cm) | 11.7 |