جزئیات محصولات

صفحه اصلی محصولات

ویفر سیلیکون کاربید

پولیش شمش کاربید سیلیکون زیرلایه تراشه SiC نیمه هادی 8 اینچ 200 میلی متر

تمام دسته ها

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

با ما تماس بگیرید

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

اکنون تماس بگیرید

تمام دسته ها

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

پولیش شمش کاربید سیلیکون زیرلایه تراشه SiC نیمه هادی 8 اینچ 200 میلی متر

نام تجاری:	ZMKJ
شماره مدل:	ویفرهای 8 اینچی sic 4h-n
مقدار تولیدی:	1 عدد
قیمت:	by case
جزئیات بسته بندی:	بسته بندی ویفر یک نفره در اتاق نظافت 100 درجه
شرایط پرداخت:	T/T، Western Union، MoneyGram

اطلاعات دقیق

توضیحات محصول

اطلاعات دقیق

محل منبع:

چین

گواهی:

ROHS

مواد:

تک کریستال SiC

مقطع تحصیلی:

درجه ساختگی

ضخیم:

0.35mm 0.5mm

سطح:

دو طرف جلا داده شده

کاربرد:

تست پولیش سازنده دستگاه

قطر:

200±0.5 میلی متر

MOQ:

تاریخ تحویل:

1-5 قطعه نیاز به یک هفته مقدار بیشتر به 30 روز نیاز دارد

قابلیت ارائه:

1-50 عدد در ماه

برجسته کردن:

پرداخت زیرلایه شمش کاربید سیلیکون

200 میلی متر SiC تک کریستال

نیمه هادی ویفر کاربید سیلیکون

توضیحات محصول

بستر SiC / ویفر (150 میلی‌متر، 200 میلی‌متر) سیلیکون کاربید سرامیک خوردگی عالی تک‌کریستال ویفر سیلیکونی صیقل‌شده تک‌کریستال ویفر پولیش ویفر سیلیس تولیدکننده کاربید سیلیکون کاربید SiC Wafer4H-N شمش SIC/200 میلی‌متر ویفر SiC 200 میلی‌متر ویفر SiC

درباره کریستال سیلیکون کاربید (SiC)

کاربید سیلیکون (SiC) که با نام کربوراندوم نیز شناخته می شود، نیمه هادی حاوی سیلیکون و کربن با فرمول شیمیایی SiC است.SiC در دستگاه‌های الکترونیک نیمه‌رسانا که در دماهای بالا یا ولتاژ بالا یا هر دو کار می‌کنند استفاده می‌شود. SiC همچنین یکی از اجزای مهم LED است، این یک بستر محبوب برای رشد دستگاه‌های GaN است و همچنین به عنوان پخش‌کننده گرما در موارد بالا عمل می‌کند. LED های قدرت

ویژگی	4H-SiC، تک کریستال	6H-SiC، تک کریستال
پارامترهای شبکه	a=3.076 Å c=10.053 Å	a=3.073 Å c=15.117 Å
توالی انباشته شدن	ABCB	ABCACB
سختی Mohs	≈9.2	≈9.2
تراکم	3.21 گرم بر سانتی متر مکعب	3.21 گرم بر سانتی متر مکعب
حرارتضریب انبساط	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
ضریب شکست @750nm	نه = 2.61 ne = 2.66	نه = 2.60 ne = 2.65
ثابت دی الکتریک	c~9.66	c~9.66
رسانایی حرارتی (نوع N، 0.02 اهم. سانتی متر)	a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K
هدایت حرارتی (نیمه عایق)	a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K	a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K
باند شکاف	3.23 ولت	3.02 eV
خرابی میدان الکتریکی	3-5×106V/cm	3-5×106V/cm
سرعت رانش اشباع	2.0×105 متر بر ثانیه	2.0×105 متر بر ثانیه

مشکلات فعلی در تهیه کریستال های 200 میلی متری 4H-SiC عمدتاً شامل می شود.
1) تهیه کریستال های دانه 200 میلی متری 4H-SiC با کیفیت بالا؛
2) عدم یکنواختی و کنترل فرآیند هسته زایی میدان دمایی با اندازه بزرگ.
3) راندمان حمل و نقل و تکامل اجزای گازی در سیستم های رشد کریستال با اندازه بزرگ.
4) ترک خوردگی کریستال و تکثیر نقص ناشی از تنش حرارتی اندازه بزرگ افزایش می یابد.

برای غلبه بر این چالش ها و به دست آوردن ویفرهای 200 میلی متری SiC با کیفیت بالا، راه حل هایی پیشنهاد شده است:
از نظر آماده سازی کریستال بذر 200 میلی متر، میدان دمای مناسب، میدان جریان، و مجموعه در حال انبساط مورد مطالعه و طراحی قرار گرفت تا کیفیت کریستال و اندازه در حال گسترش را در نظر بگیرد.با یک کریستال SiCseed 150 میلی متری شروع کنید، تکرار کریستال دانه را انجام دهید تا به تدریج اندازه کریستال SiC را تا رسیدن به 200 میلی متر افزایش دهید؛ از طریق رشد و پردازش کریستال های متعدد، به تدریج کیفیت کریستال را در ناحیه انبساط کریستال بهینه کنید و کیفیت کریستال های دانه 200 میلی متری را بهبود بخشید.
n شرایط 200 میلی متر رسانای کروستال و آماده سازی بستر.تحقیقات طراحی میدان جریان فیلند دما را برای رشد کریستال‌های بزرگ، هدایت رشد کریستال SiC رسانای 200 میلی‌متری و کنترل یکنواختی دوپینگ بهینه‌سازی کرده است.پس از پردازش خشن و شکل دادن به کریستال، یک 4H-SiCingot رسانای الکتریکی 8 اینچی با قطر استاندارد به دست آمد.پس از برش، آسیاب، پرداخت، پردازش برای به دست آوردن ویفرهای SiC 200 میلی متر با ضخامت 525 میلی متر یا بیشتر.

پولیش شمش کاربید سیلیکون زیرلایه تراشه SiC نیمه هادی 8 اینچ 200 میلی متر 0

درباره شرکت ZMKJ

ZMKJ می تواند ویفر SiC تک کریستال (سیلیکون کاربید) با کیفیت بالا را برای صنایع الکترونیک و الکترونیک نوری فراهم کند.ویفر SiC یک ماده نیمه هادی نسل بعدی است، با خواص الکتریکی منحصر به فرد و خواص حرارتی عالی، در مقایسه با ویفر سیلیکونی و ویفر GaAs، ویفر SiC برای کاربرد دستگاه با دمای بالا و قدرت بالا مناسب تر است.ویفر SiC را می توان در قطر 2-6 اینچ، هر دو 4H و 6H SiC، نوع N، دوپ شده نیتروژن و نوع نیمه عایق موجود عرضه کرد.لطفا برای اطلاعات بیشتر محصول با ما تماس بگیرید.

سوالات متداول:

س: روش حمل و نقل و هزینه چیست؟

A: (1) ما DHL، Fedex، EMS و غیره را می پذیریم.

(2) خوب است اگر حساب اکسپرس خود را دارید، اگر نه، ما می توانیم به شما کمک کنیم آنها را ارسال کنید و

باربری I استn مطابق با تسویه حساب واقعی

س: چگونه پرداخت کنیم؟

A: T/T 100٪ سپرده قبل از تحویل.

س: MOQ شما چیست؟

A: (1) برای موجودی، MOQ 1 عدد است.اگر 2-5 عدد بهتر است.

(2) برای محصولات کامن سفارشی، MOQ 10 عدد است.

س: زمان تحویل چقدر است؟

A: (1) برای محصولات استاندارد

برای موجودی: تحویل 5 روز کاری پس از ثبت سفارش است.

برای محصولات سفارشی: تحویل 2 تا 4 هفته پس از تماس با سفارش است.

س: آیا محصولات استاندارد دارید؟

A: محصولات استاندارد ما در انبار.مانند بسترهای 4 اینچی 0.35 میلی متر.

برچسب‌ها:

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

جزئیات محصولات

پولیش شمش کاربید سیلیکون زیرلایه تراشه SiC نیمه هادی 8 اینچ 200 میلی متر

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

پولیش شمش کاربید سیلیکون زیرلایه تراشه SiC نیمه هادی 8 اینچ 200 میلی متر

پرداخت زیرلایه شمش کاربید سیلیکون

200 میلی متر SiC تک کریستال

نیمه هادی ویفر کاربید سیلیکون