جزئیات محصولات

صفحه اصلی محصولات

ویفر سیلیکون کاربید

بستر ویفر کاربید سیلیکون تک کریستالی SiC با درجه ساختگی قطر 153 میلی متر 156 میلی متر 159 میلی متر

تمام دسته ها

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

با ما تماس بگیرید

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

اکنون تماس بگیرید

تمام دسته ها

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

بستر ویفر کاربید سیلیکون تک کریستالی SiC با درجه ساختگی قطر 153 میلی متر 156 میلی متر 159 میلی متر

نام تجاری:	ZMKJ
شماره مدل:	ساختگی زیرلایه SiC 6 اینچی
مقدار تولیدی:	1 عدد
قیمت:	by case
جزئیات بسته بندی:	بسته بندی ویفر یک نفره در اتاق نظافت 100 درجه
شرایط پرداخت:	T/T، Western Union، MoneyGram

اطلاعات دقیق

توضیحات محصول

اطلاعات دقیق

محل منبع:

چین

گواهی:

ROHS

مواد:

کاربید سیلیکون تک کریستالی

سختی:

9.4

کاربرد:

MOS و SBD

تحمل:

± 0.1 میلی متر

تایپ کنید:

4h-n 4h-semi 6h-semi

قطر:

150-160 میلی متر

ضخامت:

0.1-15 میلی متر

مقاومت:

0.015 ~ 0 028 O-cm

قابلیت ارائه:

1-50 عدد در ماه

برجسته کردن:

ویفر کاربید سیلیکون تک کریستالی SiC

ویفر کاربید سیلیکون با درجه ساختگی

ویفر SiC تک کریستالی

توضیحات محصول

6 اینچ قطر 153 میلی متر 156 میلی متر 159 میلی متر تک کریستالی SiC سیلیسیم کاربید سیلیکون بستر ساختگی درجه ساختگی

درباره کریستال سیلیکون کاربید (SiC)

بستر کاربید سیلیکون را می توان با توجه به مقاومت به نوع رسانا و نیمه عایق تقسیم کرد.دستگاه های کاربید سیلیکون رسانا عمدتاً در وسایل نقلیه الکتریکی، تولید برق فتوولتائیک، حمل و نقل ریلی، مراکز داده، شارژ و سایر زیرساخت ها استفاده می شود.صنعت خودروهای الکتریکی تقاضای زیادی برای بسترهای کاربید سیلیکون رسانا دارد و در حال حاضر، تسلا، BYD، NIO، Xiaopeng و دیگر شرکت‌های خودروهای انرژی‌های جدید برای استفاده از دستگاه‌ها یا ماژول‌های گسسته کاربید سیلیکون برنامه‌ریزی کرده‌اند.

دستگاه های کاربید سیلیکون نیمه عایق عمدتاً در ارتباطات 5G، ارتباطات وسیله نقلیه، برنامه های دفاع ملی، انتقال داده، هوا فضا و سایر زمینه ها استفاده می شود.با رشد لایه اپیتاکسیال نیترید گالیوم بر روی بستر نیمه عایق کاربید سیلیکون، ویفر همپای گالیوم نیترید مبتنی بر سیلیکون را می توان بیشتر به دستگاه های RF مایکروویو تبدیل کرد که عمدتاً در زمینه RF استفاده می شوند، مانند تقویت کننده های قدرت در ارتباطات 5G و آشکارسازهای رادیویی در دفاع ملی

تولید محصولات بستر کاربید سیلیکون شامل توسعه تجهیزات، سنتز مواد خام، رشد کریستال، برش کریستال، پردازش ویفر، تمیز کردن و آزمایش، و بسیاری از پیوندهای دیگر است.از نظر مواد خام، صنعت Songshan Boron مواد خام کاربید سیلیکون را برای بازار فراهم می کند و به فروش دسته ای کوچک دست یافته است.نسل سوم مواد نیمه هادی که توسط کاربید سیلیکون نشان داده می شود، نقش کلیدی در صنعت مدرن ایفا می کنند، با تسریع نفوذ وسایل نقلیه انرژی جدید و کاربردهای فتوولتائیک، تقاضا برای بستر کاربید سیلیکون در آستانه ایجاد یک نقطه عطف است.

1. توضیحات

مورد	مشخصات فنی
چند تایپ	4H -SiC	6H- SiC
قطر	2 اینچ \|3 اینچ \|4 اینچ \|6 اینچ	2 اینچ \|3 اینچ \|4 اینچ \|6 اینچ
ضخامت	330 میکرومتر تا 350 میکرومتر	330 میکرومتر تا 350 میکرومتر
رسانایی	N – نوع / نیمه عایق	N – نوع / نیمه عایق N型导电片 / 半绝缘片
دوپانت	N2 (نیتروژن) V (وانادیوم)	N2 (نیتروژن) V (وانادیوم)
گرایش	در محور <0001> خارج از محور <0001> خاموش 4 درجه	در محور <0001> خارج از محور <0001> خاموش 4 درجه
مقاومت	0.015 ~ 0.03 اهم سانتی متر (4H-N)	0.02 ~ 0.1 اهم سانتی متر (6H-N)
تراکم میکرولوله (MPD)	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
تی تی وی	≤ 15 میکرومتر	≤ 15 میکرومتر
کمان / تار	≤25 میکرومتر	≤25 میکرومتر
سطح	DSP/SSP	DSP/SSP
مقطع تحصیلی	درجه تولید / تحقیق	درجه تولید / تحقیق
توالی چیدن کریستال	ABCB	ABCABC
پارامتر شبکه	a=3.076A، c=10.053A	a=3.073A، c=15.117A
Eg/eV (Band-gap)	3.27 ولت	3.02 eV
ε (ثابت دی الکتریک)	9.6	9.66
ضریب شکست	n0 = 2.719 ne = 2.777	n0 = 2.707، ne = 2.755

کاربرد SiC در صنعت برق

در مقایسه با دستگاه های سیلیکونی، دستگاه های قدرت کاربید سیلیکون (SiC) می توانند به طور موثری به راندمان بالا، کوچک سازی و وزن سبک سیستم های الکترونیکی قدرت دست یابند.اتلاف انرژی دستگاه های قدرت SiC تنها 50 درصد دستگاه های Si است و تولید گرما تنها 50 درصد دستگاه های سیلیکونی است، SiC نیز چگالی جریان بالاتری دارد.در همان سطح توان، حجم ماژول های قدرت SiC به طور قابل توجهی کمتر از ماژول های قدرت سیلیکونی است.با در نظر گرفتن ماژول هوشمند قدرت IPM به عنوان مثال، با استفاده از دستگاه های قدرت SiC، می توان حجم ماژول را به 1/3 تا 2/3 ماژول های قدرت سیلیکونی کاهش داد.

سه نوع دیود قدرت SiC وجود دارد: دیودهای شاتکی (SBD)، دیودهای پین و دیودهای شاتکی کنترل شده با مانع اتصال (JBS).به دلیل وجود مانع شاتکی، SBD دارای ارتفاع مانع اتصال کمتری است، بنابراین SBD دارای مزیت ولتاژ پایین پایین است.ظهور SiC SBD دامنه کاربرد SBD را از 250 ولت به 1200 ولت افزایش داده است.علاوه بر این، ویژگی های آن در دمای بالا خوب است، جریان نشتی معکوس از دمای اتاق تا 175 درجه سانتی گراد افزایش نمی یابد. در زمینه کاربرد یکسو کننده های بالای 3 کیلو ولت، دیودهای SiC PiN و SiC JBS به دلیل ولتاژ شکست بالاتر مورد توجه قرار گرفته اند. ، سرعت سوئیچینگ سریع تر، اندازه کوچکتر و وزن سبک تر از یکسو کننده های سیلیکونی.

دستگاه‌های ماسفت قدرت SiC دارای مقاومت گیت ایده‌آل، عملکرد سوئیچینگ با سرعت بالا، مقاومت در برابر روشن شدن کم و پایداری بالا هستند.این دستگاه ترجیح داده شده در زمینه دستگاه های برق زیر 300 ولت است.گزارش هایی وجود دارد که یک ماسفت کاربید سیلیکون با ولتاژ مسدود کننده 10 کیلو ولت با موفقیت ساخته شده است.محققان بر این باورند که ماسفت‌های SiC در زمینه ولتاژ 3 تا 5 کیلو ولت موقعیت مناسبی خواهند داشت.

ترانزیستورهای دوقطبی گیت عایق SiC (SiC BJT، SiC IGBT) و SiC Thyristor (SiC Thyristor)، دستگاه‌های IGBT از نوع SiC P با ولتاژ مسدود کننده 12 کیلو ولت دارای قابلیت جریان رو به جلوی خوبی هستند.در مقایسه با ترانزیستورهای دوقطبی Si، ترانزیستورهای دوقطبی SiC 20 تا 50 برابر تلفات سوئیچینگ کمتر و افت ولتاژ روشن شدن کمتری دارند.SiC BJT به طور عمده به امیتر اپیتاکسیال BJT و امیتر کاشت یون BJT تقسیم می شود، افزایش جریان معمولی بین 10-50 است.

درباره شرکت ZMKJ

ZMKJ می تواند ویفر SiC تک کریستال (سیلیکون کاربید) با کیفیت بالا را برای صنایع الکترونیک و الکترونیک نوری فراهم کند.ویفر SiC یک ماده نیمه هادی نسل بعدی است، با خواص الکتریکی منحصر به فرد و خواص حرارتی عالی، در مقایسه با ویفر سیلیکونی و ویفر GaAs، ویفر SiC برای کاربرد دستگاه با دمای بالا و قدرت بالا مناسب تر است.ویفر SiC را می توان در قطر 2-6 اینچ، هر دو 4H و 6H SiC، نوع N، دوپ شده نیتروژن و نوع نیمه عایق موجود عرضه کرد.لطفا برای اطلاعات بیشتر محصول با ما تماس بگیرید.

1--ویفرهای SiC چه اندازه ای هستند؟ما در حال حاضر 2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ در انبار داریم.
2--هزینه ویفر SiC چقدر است؟این به خواسته های شما بستگی دارد
3- ضخامت ویفرهای کاربید سیلیکون چقدر است؟به طور کلی، ضخامت ویفر SiC 0.35 و 0.5 میلی متر است.ما همچنین سفارشی را می پذیریم.
4- کاربرد ویفر SiC چیست؟SBD، MOS، و دیگران

سوالات متداول:

س: روش حمل و نقل و هزینه چیست؟

A: (1) ما DHL، Fedex، EMS و غیره را می پذیریم.

(2) خوب است اگر حساب اکسپرس خود را دارید، اگر نه، ما می توانیم به شما کمک کنیم آنها را ارسال کنید و

باربری I استn مطابق با تسویه حساب واقعی

س: چگونه پرداخت کنیم؟

A: T/T 100٪ سپرده قبل از تحویل.

س: MOQ شما چیست؟

A: (1) برای موجودی، MOQ 1 عدد است.اگر 2-5 عدد بهتر است.

(2) برای محصولات کامن سفارشی، MOQ 10 عدد است.

س: زمان تحویل چقدر است؟

A: (1) برای محصولات استاندارد

برای موجودی: تحویل 5 روز کاری پس از ثبت سفارش است.

برای محصولات سفارشی: تحویل 2 تا 4 هفته پس از تماس با سفارش است.

س: آیا محصولات استاندارد دارید؟

A: محصولات استاندارد ما در انبار.مانند بسترهای 4 اینچی 0.35 میلی متر.

برچسب‌ها:

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

جزئیات محصولات

بستر ویفر کاربید سیلیکون تک کریستالی SiC با درجه ساختگی قطر 153 میلی متر 156 میلی متر 159 میلی متر

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

بستر ویفر کاربید سیلیکون تک کریستالی SiC با درجه ساختگی قطر 153 میلی متر 156 میلی متر 159 میلی متر

ویفر کاربید سیلیکون تک کریستالی SiC

ویفر کاربید سیلیکون با درجه ساختگی

ویفر SiC تک کریستالی

درباره کریستال سیلیکون کاربید (SiC)

1. توضیحات

کاربرد SiC در صنعت برق

درباره شرکت ZMKJ

سوالات متداول: