 |
سیلیکون کربید وافر سایز سفارشی نیمه عایق سازی سی سی وافر تقریبا بی رنگ شفاف مقاومت به فشار بالا
جزئیات محصول:
| محل منبع: | چین |
| نام تجاری: | ZMSH |
| شماره مدل: | کاربید نیمه سیلیکون سفارشی |
پرداخت:
| قیمت: | by case |
|---|---|
| جزئیات بسته بندی: | بسته بندی ویفر یک نفره در اتاق نظافت 100 درجه |
| زمان تحویل: | 2-4 هفته |
| شرایط پرداخت: | T/T، Western Union، MoneyGram |
| قابلیت ارائه: | 50000 عدد در ماه |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| محصول: | ویفر نیمه سیلیکون کاربید سفارشی | اندازه: | سفارشی |
|---|---|---|---|
| رنگ: | تقریبا بی رنگ شفاف | درجه: | ساختگی / درجه تولید |
| سطح: | پولیش دو طرفه | درخواست: | تست پولیش سازنده دستگاه |
| برجسته کردن: | سلفی کربید سیلیکون مقاومت فشار بالا,سایز سفارشی سیلیکون کربید وفر,سیلیکون کاربید نیمه عایق کننده,Customized size Silicon Carbide Wafer,Semi-insulating Silicon Carbide Wafer |
||
توضیحات محصول
سیلیکون کاربید وافرهای سایز سفارشی نیمه عایق کننده سی سی وافرهای تقریبا بی رنگ شفاف مقاومت فشار بالا
2 اینچ / 3 اینچ / 4 اینچ / 6 اینچ 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N SIC انبوه/خالصی بالا 4H-N 4inch 6inch قطر 150mm سیلیکون کاربید واحد کریستال (sic) سبسترات وافرها، سیک کریستال انبوهسیک نیمه هادی،سیلیکون کاربید کریستال وافرهای/ سیلیکون وافرهای بر حسب نیاز
خلاصه وافرهای نیمه کربید سیلیکون
کربید سیلیکون (SiC) یک نوع مواد نیمه هادی ترکیبی با فاصله پهن باند کاربردی است. در سال های اخیر ، به دلیل عملکرد عالی آن ، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. کربید سیلیکون ،کاربید سیلیکون نیمه عایق دارای طیف گسترده ای از چشم انداز های کاربردی استکاربید سیلیکون دارای بسیاری از خواص خوب است، که باعث می شود موقعیت منحصر به فرد را حفظ کند.
رسانایی حرارتی کربید سیلیکون بیش از 3 برابر سیلیکون است، که می تواند به انتشار بهتر گرما در قدرت الکترونیکی و تجهیزات برسد.کربید سیلیکون دارای ولتاژ شکست بالاتر است و می تواند قبل از شکست به میدان الکتریکی بالاتر مقاومت کندکاربید سیلیکون دارای عملکرد عالی و دمای کاربری بالا است. می تواند عملکرد را در دمای بسیار بالاتر از سیلیکون حفظ کند.کار پایدار و قابل اعتماد، و حداکثر دمای عملیاتی می تواند به 600 ° C برسد. کربید سیلیکون دارای مقاومت پایین تر، ولتاژ شکست بالا و فاصله باند گسترده تر است که به آن امکان می دهد مقاومت در سوئیچ های قدرت را کاهش دهد.
کربید سیلیکون نیمه عایق (semi SiC) یک نوع خاص از مواد کربید سیلیکون است. با مقاومت بالا، ولتاژ تجزیه بالا، رسانایی حرارتی بالا،توانایی قوی ضد تابش و عملکرد برتر دیگراین یک ماده نیمه هادی کاربردی بسیار ارزشمند است، با خواص منحصر به فرد مقاومت الکتریکی، حرارتی و تشعشعات،کربید سیلیکون نیمه عایق چشم انداز کاربرد گسترده ای در قدرت بالا دارد، فرکانس بالا، دمای بالا و زمینه های دیگر.
نمايشگاه نيمه سيليکونيک کاربيد
پارامتر وافرهای کربید سیلیکون
کربید سیلیکون یک ترکیب نیمه هادی متشکل از سیلیکون و کربن است که متعلق به مواد گپ باند گسترده است. پیوندهای فیزیکی بسیار قوی هستند،که باعث می شود نیمه هادی های کربید سیلیکون دارای قابلیت مکانیکی بالا باشند.، ثبات شیمیایی و حرارتی. ویژگی های شکاف پهن باند و ثبات حرارتی بالا اجازه می دهد دستگاه های SIC در دمای اتصال بالاتر از سیلیکون استفاده شوند.می تواند برای پولیش نیمه عایق کربید سیلیکون نیمه هادی در هر دو طرف استفاده شودبه عنوان مثال پارامترهای فرایندهای سیلیکون کاربید نیمه هادی 4 اینچی به شرح زیر هستند:
پارامترهای وافرهای سیلیکون کاربید نیمه ایزوله شده
| 100mm 4H Semi SiC درجه C | 100mm 4H Semi SiC درجه B |
| نوع: نیمه عایق | نوع: نیمه عایق کننده |
| جهت گیری:<0001>+/-0.5° | جهت گیری: <0001>+/-0.5° |
| ضخامت: 350/500 ± 25um | ضخامت: 350/500 ± 25um |
| MPD: <50 سانتی متر-2 | MPD: <15 سانتی متر-2 |
| مقاومت الکتریکی: ≥1E5 Ω.cm | مقاومت الکتریکی: ≥1E7 Ω.cm |
| سطح: دو طرفه پولیش | سطح: دو طرفه پولیش |
| خشکی: <0.5nm | خشکی: <0.5nm |
پرسش و پاسخ
1از نیمه هادی کربید سیلیکون برای چی استفاده میشه؟
یک ماده بینگاف گسترده (WBG) می تواند انرژی الکتریکی را به طور کارآمدتر از نیمه هادی های بینگاف کوچکتر منتقل کند.الکترونیک قدرت مانند اینورترهای کششی در وسایل نقلیه الکتریکی و تبدیل کننده های DC/DC برای شارژرهای وسایل نقلیه الکتریکی و تهویه مطبوع.
2. تفاوت بین SI و SiC چیست؟
MOSFET های مبتنی بر کربید سیلیکون (SiC) در مقایسه با نسخه های مبتنی بر سیلیکون (Si) ، سطح کارایی بسیار بیشتری را فراهم می کنند، اگرچه همیشه تصمیم گیری در مورد این که این فناوری انتخاب بهتری است آسان نیست.
3چرا سی سی سی بهتر از سیلیکون است؟
رسانایی حرارتی SiC تقریباً 3.5 برابر بهتر از Si است، که به آن اجازه می دهد تا قدرت بیشتری (گرما) را در هر واحد مساحت از بین ببرددر حالی که بسته بندی می تواند یک عامل محدود کننده در هنگام کار مداوم باشد، حاشیه اضافی قابل توجهی که توسط SiC ارائه می شود، اعتماد بیشتری را در برنامه های کاربردی حساس به حوادث حرارتی گذرا به ارمغان می آورد.