بسته بندی هیدروفیلیک برای 4 6 8 12 اینچ SiC-Si SiC-SiC

تجهیزات بسته بندی وافره در دمای اتاق بسته بندی هیدروفیلی برای 4 6 8 12 اینچ SiC-Si SiC-SiC

تجهیزات بسته بندی وافره

این باندر وافر برای اتصال با دقت بالا از وافرهای کربید سیلیکون (SiC) طراحی شده است، پشتیبانی از هر دوپیوند در دمای اتاقوپیوند هیدروفیلیاین دستگاه قادر به پردازش وافرهایی از4 اينچ، 6 اينچ، 8 اينچ و 12 اينچاندازه های مختلف و برای کاربردهای پیوند SiC به Si و SiC به SiC بهینه شده است. با سیستم های هماهنگی پیشرفته و کنترل دقیق دمای و فشار،این تجهیزات تولید بالا و یکسانی عالی را برای تولید نیمه هادی قدرت و تحقیقات تضمین می کند..

ملکیت تجهیزات بسته بندی وافره

• انواع پیوند: اتصال دمای اتاق، اتصال هیدروفیلی

• اندازه های وافر پشتیبانی می شود: 4، 6، 8، 12

• مواد اتصال: SiC-Si، SiC-SiC

• دقت تراز: ≤ ± 1 μm

• فشار پیوند: 0 ≈ 5 MPa تنظیم می شود

• محدوده دما: دمای اتاق تا 400 درجه سانتیگراد (در صورت لزوم برای قبل و بعد از درمان)

• اتاق خلاء: محیط خلاء بالا برای اتصال بدون ذرات

• رابط کاربری: رابط صفحه لمسی با دستور العمل قابل برنامه ریزی

• اتوماسیون: اختیاری بارگیری و تخلیه خودکار وافره

• ویژگی های ایمنی: اتاق بسته، محافظت از گرم شدن بیش از حد، توقف اضطراری

تجهیزات اتصال وافر برای پشتیبانی از فرآیندهای اتصال با دقت بالا برای مواد نیمه هادی پیشرفته، به ویژه برای اتصال SiC به SiC و SiC به Si طراحی شده است.اندازه وافرهاي 12 اينچي رو در بر ميگيرهاین سیستم از دمای اتاق و اتصال هیدروفیلی پشتیبانی می کند و آن را برای کاربردهای حساس حرارتی ایده آل می کند.دارای یک سیستم صیقل نوری با دقت بالا با دقت زیر میکرواین دستگاه شامل یک رابط کنترل قابل برنامه ریزی با مدیریت دستور العمل است که به کاربران امکان می دهد فشار چسب، مدت زمان،و پروفایل های گرمایش اختیاریطراحی اتاق با خلاء بالا آلودگی ذرات را به حداقل می رساند و کیفیت اتصال را بهبود می بخشد، در حالی که ویژگی های ایمنی مانند حفاظت از بیش از حد درجه حرارت، قفل ها،و خاموش کردن اضطراری اطمینان از عملکرد پایدار و امنطراحی ماژولار آن همچنین امکان ادغام با سیستم های پردازش وافرهای خودکار را برای محیط های تولید با بهره وری بالا فراهم می کند.

عکس

مواد سازگار

پرونده واقعي--6 اينچ سي سي سي سي

(گام های فرآیند اصلی برای تولید پیوند Wafer SiC-to-SiC 6 اینچی)

(میکروسکوپی الکترونی انتقال قطعی با وضوح بالا (HRTEM) از منطقه کانال SiC MOSFET ساخته شده بر روی یک بستر مهندسی 6 اینچی با لایه epitaxial)

(نقشه های توزیع IGSS از دستگاه های ساخته شده بر روی یک وفر 6 اینچی (سبز نشان می دهد عبور؛ بهره وری 90٪ در شکل a و 70٪ در شکل b)

درخواست

• بسته بندی دستگاه قدرت SiC

• تحقیق و توسعه نیمه هادی های باند گپ گسترده

• مجموعه ماژول الکترونیکی با درجه حرارت بالا و فرکانس بالا

• بسته بندی MEMS و سطح سیگنال های حسگر

• یکپارچه سازی وافرهای هیبریدی که شامل زیربنای Si، سفیر یا الماس است

پرسش و پاسخ

سوال1: مزیت اصلی پیوند SiC در دمای اتاق چیست؟
الف:از استرس حرارتی و تغییر شکل مواد جلوگیری می کند، که برای زیربناهای شکننده یا عدم تطابق در گسترش حرارتی مانند SiC حیاتی است.

س2: آیا می توان از این تجهیزات برای پیوند موقت استفاده کرد؟
الف:در حالی که این واحد در پیوند دائمی تخصص دارد، یک نوع با قابلیت پیوند موقت بر اساس درخواست در دسترس است.

سوال 3: چگونه جهت گیری را برای وافرهای با دقت بالا تضمین می کنید؟
الف:اين سيستم از هم ترازي اپتيکي با وضوح کمتر از ميکرون و الگوریتم هاي اصلاح خودکار استفاده ميکنه.