 |
بسترهای گان ایستاده رایگان HVPE GaN Wafers Powder دستگاه GaN-On-Sapphire GaN-On-SiC
جزئیات محصول:
| محل منبع: | چین |
| نام تجاری: | zmkj |
| شماره مدل: | GaN-FS-C-U-C50-SSP |
پرداخت:
| مقدار حداقل تعداد سفارش: | 1 عدد |
|---|---|
| قیمت: | 1000~3000usd/pc |
| جزئیات بسته بندی: | یک مورد ویفر توسط بسته خلاء |
| زمان تحویل: | 1-5 هفته |
| شرایط پرداخت: | T/T |
| قابلیت ارائه: | 50 عدد در ماه |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| مواد: | کریستال تک گان | اندازه: | 2 اینچ 4 اینچ |
|---|---|---|---|
| ضخامت: | 0.4 میلی متر | نوع: | نوع N/غیر دوپد شده نوع نیمه دوپد شده |
| درخواست: | دستگاه نیمه هادی | درخواست: | دستگاه پودر |
| سطح: | SSP | بسته بندی: | جعبه ظرف ویفر تک |
| برجسته کردن: | بستر رایگان گالیم نیترید ایستاده,ویفر HVPE GaN Epi,دستگاه پودر ویفر گالیم آرسنید |
||
توضیحات محصول
الگوی زیربنای GaN 2 اینچی، گلفور GaN برای LED، گلفور گالیوم نیترید نیمه رسانا برای ld، الگوی GaN، گلفور GaN mocvd، گلفور GaN مستقل با اندازه سفارشی، گلفور GaN کوچک برای LED،mocvd گالیوم نیترید 10x10mm، 5x5mm، 10x5mm GaN wafer، غیر قطبی مستقل GaN Substrate ((یک صفحه و m صفحه)
4 اینچ 2 اینچ زیربناهای GaN مستقل HVPE Wafers GaN
ویژگی گافن وفر
- III-نیترید ((GaN,AlN,InN)
گالیوم نیترید یک نوع نیمه هادی ترکیبی با شکاف گسترده است. زیربنای گالیوم نیترید (GaN)
یک بستر تک کریستالی با کیفیت بالا. این با روش اصلی HVPE و تکنولوژی پردازش وافر ساخته شده است، که در اصل برای 10+ سال در چین توسعه یافته است.ویژگی ها بسیار بلوری هستند، یکنواخت خوب و کیفیت سطحی برتر است. زیربناهای GaN برای بسیاری از کاربردهای مختلف، برای LED سفید و LD (( بنفش، آبی و سبز) استفاده می شود.توسعه برای کاربردهای دستگاه های الکترونیکی قدرت و فرکانس بالا پیشرفت کرده است.
پهنای باند ممنوع (انبعاث و جذب نور) شامل ماوراء بنفش، نور مرئی و مادون قرمز است.
درخواست
GaN می تواند در بسیاری از زمینه ها مانند صفحه نمایش LED، تشخیص انرژی بالا و تصویربرداری استفاده شود.
نمایشگر پروژکتور لیزر، دستگاه برق و غیره
- نمایشگر پروژکتور لیزر، دستگاه برق و غیره ذخیره داده
- نوردهی انرژی کارآمد نمایشگر فلای تمام رنگی
- پروژکتورهای لیزری دستگاه های الکترونیکی با کارایی بالا
- دستگاه های مایکروویو فرکانس بالا انرژی بالا تشخیص و تصور
- انرژی های جدید یا تکنولوژی هیدروژن محیط زیست تشخیص و پزشکی بیولوژیکی
- نوار تاراهرتز منبع نور
مشخصات مخصوص وافل های مستقل GaN
| اندازه | 2 " | 4" | ||
| قطر | 50.8 میلی متر 士 0.3 میلی متر | 100.0 میلی متر 士 0.3 میلی متر | ||
| ضخامت | 400 ام 士 30 ام | ۴۵۰ ام 士 ۳۰ ام | ||
| جهت گیری | (0001) سطح c سطح Ga (استانداردی) ؛ (000-1) سطح N (اختیاری) | |||
| 002 XRD منحنی تکان دهنده FWHM | < 100 ثانیه قوس | |||
| 102 XRD منحنی تکان دهنده FWHM | < 100 ثانیه قوس | |||
| شعاع منحنی شبکه | > 10 متر (در 80٪ × قطر اندازه گیری شده) | |||
| راه خارج به سمت خط m | 0.5° ± 0.15° به سمت [10-10] @ مرکز وافره | |||
| راه دور به سمت ارتگونال a-طرح | 0.0° ± 0.15° به سمت [1-210] @ مرکز وافره | |||
| مسیر خارج از مسیر در هواپیما | پروژکتور خط c به سمت OF بزرگ اشاره دارد | |||
| خط مسطح جهت گیری اصلی | (10-10) m-plane 2° (استانداردی) ؛ ±0.1° (اختیاری) | |||
| جهت گیری اصلی طول صاف | 16.0 mm ±1 mm | 32.0 mm ± 1 mm | ||
| جهت گیری کوچک جهت گیری صاف | Ga-face = بزرگ OF در پایین و کوچک OF در سمت چپ | |||
| جهت گیری کوچک طول صاف | 8.0 mm ± 1 mm | 18.0 mm ± 1 mm | ||
| لبه ی بیول | بغل شده | |||
| TTV (به استثنای لبه های 5 میلی متر) | < 15 um | < 30 ام | ||
| وارپ (به استثنای لبه 5 میلی متر) | < 20 um | < 80 ام | ||
| قوس (به استثنای لبه 5 میلی متر) | -10 ام تا +5 ام | -40 آم تا +20 آم | ||
| خشکی سمت جلو (Sa) | < 0.3 nm (AFM: 10 um x 10 um area) | |||
| < 1.5 nm (WLI: 239 um x 318 um area) | ||||
| سطح پشت | پولیش شده (استانداردی) ، حک شده (اختیاری) | |||
| خشکی پشت (Sa) | پولیش شده: < 3 nm (WLI: 239 um x 318 um area) | |||
| حک شده: 1 um ± 0.5 um (WLI: 239 um x 318 um area) | ||||
| علامت لیزر | پشتي در صفحه بزرگ | |||
| خواص الکتریکی | استفاده از دارو | مقاومت | ||
| نوع N (۵) | < 0.02 اوم-سم | |||
| UID | < 0.2 اوم-سم | |||
| نیمه عایق کننده (کربن) | > 1E8 اوم-سم | |||
| سیستم درجه بندی حفره | تراکم (خندق/cm2) | 2" (خندق ها) | 4" (گودال) | |
| تولید | < 0.5 | < 10 | < 40 | |
| تحقیق | < 15 | < 30 | < 120 | |
| احمق | < 25 | < 50 | < 200 | |
در مورد کارخانه OEM ما
چشم انداز شرکت فاکتروی ما
ما با کارخونه ی خود زیربنای GaN با کیفیت بالا و تکنولوژی کاربرد را برای صنعت فراهم می کنیم.
مواد GaN با کیفیت بالا عامل محدود کننده برای استفاده از نترید های III هستند، به عنوان مثال عمر طولانی
و LD های با ثبات بالا، دستگاه های مایکروویو با قدرت بالا و قابلیت اطمینان بالا، روشنایی بالا
و LEDهای با کارایی بالا و صرفه جویی در انرژی.
- سوالات عمومی
س: چه چیزی شما می توانید تامین لجستیک و هزینه؟
(1) ما DHL، Fedex، TNT، UPS، EMS، SF و غیره را قبول می کنیم.
2) اگه شماره خودتون رو داشته باشين، عاليه
اگر نه، ما می توانیم به شما در تحویل کمک کنیم. حمل و نقل = USD25.0 ((وزن اول) + USD12.0 / kg
سوال: زمان تحویل چقدر است؟
(1) برای محصولات استاندارد مانند 2 اینچ 0.33 میلی متر وافر.
برای موجودی: تحویل 5 روز کاری پس از سفارش است.
برای محصولات سفارشی: تحویل 2 یا 4 هفته کاری پس از سفارش است.
س: چطور پرداخت کنم؟
100درصد ت/ت، پپال، وست يونين، ميني گرام، پرداخت امن و تضمين تجارت
سوال: مقدار سفارشات چقدر است؟
(1) برای موجودی، MOQ 5pcs است.
(2) برای محصولات سفارشی، MOQ 5pcs-10pcs است.
بستگی به کمیت و تکنیک داره
س: گزارش بازرسی برای مواد دارید؟
ما می توانیم گزارش ROHS را ارائه دهیم و گزارش های محصولات خود را به دست آوریم.