 |
2 اینچ 4 اینچ مبتنی بر GaN آبی سبز LED رشد بر روی مسطح یا PPS سفیر MOCVD DSP SSP
جزئیات محصول:
| Place of Origin: | China |
| نام تجاری: | ZMSH |
| Model Number: | Blue GaN-based LED Wafer |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| پایین: | PSS یا یاقوت کبود مسطح | روش رشد: | MOCVD |
|---|---|---|---|
| MQW: | 0.5 میلی متر MQW | قطر: | 2 اینچ 4 اینچ |
| پولیش شده: | DSP SSP | جهت گیری بستر یاقوت کبود: | CM0.2°±0.1° |
| برجسته کردن: | ال ای دی آبی سبز ۴ اینچی با پایه GaN,LED آبی سبز مبتنی بر MOCVD GaN,ال ای دی آبی سبز 2 اینچ با پایه GaN,MOCVD GaN-based Blue Green LED,2inch GaN-based Blue Green LED |
||
توضیحات محصول
2 اینچ 4 اینچ GaN بر روی سفیر آبی / سبز LED Wafer تخت یا PPS سفیر MOCVD DSP SSP
توضیحات گافل LED آبی/سبز GaN-on-Sapphire
GaN روی سفیر (GaN/Sapphire) وافرهایی به یک ماده ی بستر متشکل از یک بستر سفیر با یک لایه از گالیوم نیترید (GaN) که در بالای آن رشد می کند اشاره دارد.GaN یک ماده نیمه هادی است که برای تولید دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا و فرکانس بالا استفاده می شود، مانند دیودهای تولید کننده نور (LED) ، دیود های لیزر و ترانزیستورهای با تحرک الکترونی بالا (HEMT). زپیر یک ماده سخت و با دوام است که در برابر استرس مکانیکی و حرارتی مقاوم است.که باعث می شود آن را یک بستر مناسب برای رشد GaNگان (GaN) در وافرهای سفیر به طور گسترده ای در ساخت دستگاه های اپتوالکترونیک، دستگاه های مایکروویو و امواج میلی متری و دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا استفاده می شود.
ساختار گافن روی سفیر بلو/گرین ال ای دی:
ساختار و ترکیب:
نترید گالیوم (GaN) لایه ایپتاکسیال:
فیلم نازک تک کریستالی: لایه GaN یک فیلم نازک تک کریستالی است که پاکیزه ی بالا و کیفیت کریستالی عالی را تضمین می کند. این ویژگی برای به حداقل رساندن نقص ها و انحرافات بسیار مهم است.در نتیجه عملکرد دستگاه های ساخته شده بر اساس این الگوها افزایش می یابد..
ویژگی های مواد: GaN به دلیل فاصله باند گسترده (3.4 eV) ، تحرک الکترون بالا و رسانایی حرارتی بالا مشهور است.این خواص آن را بسیار مناسب برای برنامه های کاربردی با قدرت بالا و فرکانس بالا، و همچنین دستگاه هایی که در محیط های خشن کار می کنند.
زیربنای سفیر:
قدرت مکانیکی: زپیر (Al2O3) یک ماده قوی با قدرت مکانیکی استثنایی است که یک پایه پایدار و پایدار برای لایه GaN فراهم می کند.
ثبات حرارتی: زعفر عملکرد حرارتی بسیار خوبی از جمله رسانایی حرارتی بالا و ثبات حرارتی دارد.کمک به از بین بردن گرما تولید شده در طول کار دستگاه و حفظ یکپارچگی دستگاه در دمای بالا.
شفافیت نوری: شفافیت سفیر در محدوده ماوراء بنفش تا مادون قرمز باعث می شود که برای کاربردهای اپتو الکترونیک مناسب باشد.که می تواند به عنوان یک بستر شفاف برای انتشار یا تشخیص نور عمل کند.
انواع الگوهای GaN در Sapphire:
نیترید گالیوم نوع n
نوع p
نوع نیمه عایق
شکل گافن بر روی سفیر بلو/گرین ال ای دی:
تصویر کاربرد گافن بر روی سفیر بلو/گرین ال ای دی:
سفارشی سازی:
مایکرو ال ای دی ها به عنوان یک فناوری کلیدی برای پلت فرم متاورس برای فعال کردن صفحه نمایش نسل بعدی برای واقعیت افزوده (AR) ، واقعیت مجازی (VR) ، تلفن های همراه و ساعت های هوشمند در نظر گرفته می شوند.
ما می توانیم ارائه GaN مبتنی بر قرمز، سبز، آبی، یا UV LED epitaxial Wafers و همچنین دیگران. زیربنای می تواند سفیر، SiC، سیلیکون و عمده GaN زیربنای. اندازه از 2 اینچ به 4 اینچ در دسترس است
بسته بندی و حمل:
سوالات متداول:
1س: چرا گان روی سفیر قرار گرفته؟
ج: استفاده از زیربناهای سفیر باعث می شود که گافورهای GaN نازک تر و ساختارهای epitaxy ساده تر، به دلیل رشد با کیفیت بالاتر، در مقایسه با مواد روی سیلیکون رشد کنند.زیربنای سفیر نیز از نظر الکتریکی از سیلیکون عایق بیشتری دارد، که باید قابلیت بلوک کردن کیلو ولت را فراهم کند.
2.س: مزایایی که از GaN LED دارد چیست؟
A: صرفه جویی قابل توجهی در هزینه های انرژی. سیستم های نورپردازی سنتی مانند لامپ های لامپ یا لامپ های فلورسنت اغلب گرسنه انرژی هستند و می توانند به افزایش هزینه های انرژی کمک کنند.روشنایی LED مبتنی بر GaN بسیار کارآمد است و در حالی که نوردهی برتر را ارائه می دهد، انرژی بسیار کمتری مصرف می کند.
توصیه محصول:
1. 8 اينچ GaN-on-Si Epitaxy Si Substrate RF