نام تجاری: | ZMSH |
شماره مدل: | گالیم نیترید گالیم نیترید |
شرایط پرداخت: | T/T |
GaN گالیوم نیترید Wafer High Electron Mobility RF Devices اپتوالکترونیک و LED
وافرهای گالیوم نیترید (GaN) به دلیل خواص منحصر به فرد مواد، به عنوان یک فناوری محوری در صنایع مختلف ظهور کرده اند.و ثبات حرارتی استثنایی، وافرهای GaN کاربردهایی در الکترونیک قدرت، دستگاه های RF، اپتو الکترونیک و موارد دیگر پیدا می کنند. این خلاصه کاربردهای متنوع وافرهای GaN را بررسی می کند.از تغذیه ارتباطات 5G تا روشن کردن LED ها و پیشرفت سیستم های انرژی خورشیدیویژگی های عملکرد بالا GaN آن را به سنگ بنای توسعه دستگاه های الکترونیکی فشرده و کارآمد تبدیل می کند و بر بخش هایی مانند الکترونیک خودرو، هوافضا،و انرژی های تجدید پذیربه عنوان یک نیروی محرک در نوآوری های تکنولوژیکی، وافرهای GaN همچنان به تعریف مجدد امکانات در صنایع مختلف ادامه می دهند و چشم انداز سیستم های الکترونیکی و ارتباطی مدرن را شکل می دهند.
وافرهای گالیوم نیترید (GaN) طیف وسیعی از کاربردهای مختلف را در صنایع مختلف پیدا می کنند.استفاده از خواص منحصر به فرد مواد برای افزایش عملکرد در دستگاه های الکترونیکی و اپتو الکترونیکدر اینجا برخی از کاربردهای کلیدی وافرهای GaN وجود دارد:
برق الکترونیک:
دستگاه های RF (فریکونسی رادیویی):
اپتو الکترونیک و ال ای دی:
دستگاه های اپتو الکترونیک UV (Ultraviolet):
ترانزیستورهای با تحرک الکترونی بالا (HEMT):
ارتباطات بی سیم (5G):
منابع برق و کنورترها:
الکترونیک خودرو:
اینورترهای انرژی خورشیدی:
سیستم های رادار پیشرفته:
کاربرد های متنوع وافرهای GaN اهمیت آنها را در پیشرفت فناوری در بخش های مختلف برجسته می کند. ترکیب منحصر به فرد این ماده از تحرک الکترون بالا، فاصله باند گسترده،و دیگر خواص مفید، GaN را به عنوان یک عامل کلیدی برای توسعه دستگاه های پیشرفته الکترونیکی و اپتو الکترونیک قرار می دهد..