جزئیات محصولات

صفحه اصلی محصولات

ویفر گالیم نیترویید

الگوی تراشه ایستاده رایگان HVPE گالیوم نیترید A-Axis 5x5 / 10x10 / 5x10 میلی متر

تمام دسته ها

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

با ما تماس بگیرید

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

اکنون تماس بگیرید

تمام دسته ها

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

الگوی تراشه ایستاده رایگان HVPE گالیوم نیترید A-Axis 5x5 / 10x10 / 5x10 میلی متر

نام تجاری:	zmkj
شماره مدل:	GaN-FS-M-N-S5*10-DSP
مقدار تولیدی:	10 عدد
قیمت:	1200~2500usd/pc
جزئیات بسته بندی:	یک مورد ویفر توسط بسته خلاء
شرایط پرداخت:	T/T

اطلاعات دقیق

توضیحات محصول

اطلاعات دقیق

محل منبع:

چین

مواد:

تک کریستال GaN

اندازه:

10x10/5x5/5x10 میلی متر

ضخامت:

0.35 میلی متر

تایپ کنید:

نوع N

کاربرد:

دستگاه نیمه هادی

قابلیت ارائه:

50 عدد در ماه

برجسته کردن:

ویفر نیترید گالیوم محور

ویفر نیترید گالیوم 5x5

ویفر تراشه ایستاده رایگان GaN

توضیحات محصول

قالب زیرلایه های GaN 2 اینچی، ویفر GaN برای LED، ویفر نیترید گالیم نیمه هادی برای ld، قالب GaN، ویفر mocvd GaN، بسترهای GaN ایستاده آزاد بر اساس اندازه سفارشی، ویفر GaN اندازه کوچک برای LED، ویفر گالیوم نیترید mocvd 150mm Gan، 15x5mm، 10x5x10mm ویفر، زیرلایه‌های GaN مستقل غیرقطبی (a-plane و m-plane)

ویژگی ویفر GaN

تولید - محصول

بسترهای نیترید گالیم (GaN).

توضیحات محصول:

الگوی Saphhire GaN به روش اپیتکسی فاز بخار هیدرید Epitxial (HVPE) ارائه شده است.در فرآیند HVPE،

اسید تولید شده توسط واکنش GaCl، که به نوبه خود با آمونیاک برای تولید مذاب نیترید گالیم واکنش نشان می دهد.الگوی همپای GaN یک روش مقرون به صرفه برای جایگزینی بستر تک کریستال نیترید گالیم است.

پارامترهای فنی:

اندازه	2 اینچ گرد؛ 50 میلی متر ± 2 میلی متر
موقعیت یابی محصول	محور C <0001> ± 1.0.
نوع رسانایی	نوع N ＆ نوع P
مقاومت	R <0.5 اهم سانتی متر
درمان سطحی (Ga face)	AS رشد کرده است
RMS	<1nm
سطح موجود	> 90%

مشخصات فنی:

فیلم اپیتاکسیال GaN (C Plane)، نوع N، 2 اینچ * 30 میکرون، یاقوت کبود.

فیلم همپای GaN (C Plane)، نوع N، 2 اینچ * 5 میکرون یاقوت کبود؛

فیلم همپای GaN (R Plane)، نوع N، 2 اینچ * 5 میکرون یاقوت کبود؛

فیلم اپیتاکسیال GaN (M Plane)، نوع N، یاقوت کبود 2 اینچ 5 میکرون.

فیلم AL2O3 + GaN (Si دوپ شده از نوع N)؛فیلم AL2O3 + GaN (Mg دوپ شده از نوع P)

توجه: با توجه به تقاضای مشتری جهت و اندازه پلاگین ویژه.

بسته بندی استاندارد:

1000 اتاق تمیز، 100 کیسه تمیز یا بسته بندی تک جعبه

الگوی تراشه ایستاده رایگان HVPE گالیوم نیترید A-Axis 5x5 / 10x10 / 5x10 میلی متر 0

کاربرد

GaN را می توان در بسیاری از زمینه ها مانند صفحه نمایش LED، تشخیص انرژی بالا و تصویربرداری استفاده کرد.
نمایشگر پروجکشن لیزری، دستگاه برق و غیره

نمایشگر پروجکشن لیزری، دستگاه برق و غیره
ذخیره خرما
روشنایی کم مصرف
صفحه نمایش تمام رنگی flat
پروجکشن های لیزری
دستگاه های الکترونیکی با راندمان بالا
دستگاه های مایکروویو فرکانس بالا
تشخیص و تصور با انرژی بالا
فناوری جدید هیدروژن سولور انرژی
تشخیص محیط و پزشکی بیولوژیکی
باند تراهرتز منبع نور

الگوی تراشه ایستاده رایگان HVPE گالیوم نیترید A-Axis 5x5 / 10x10 / 5x10 میلی متر 1

مشخصات فنی:

	زیرلایه های GaN مستقل غیر قطبی (صفحه a و m-صفحه)
مورد	GaN-FS-a	GaN-FS-m
ابعاد	5.0mm×5.5mm
	5.0mm×10.0mm
	5.0mm×20.0mm
	اندازه سفارشی
ضخامت	25 ± 350 میکرومتر
گرایش	a-plate ± 1°	صفحه m ± 1 درجه
تی تی وی	≤15 میکرومتر
تعظیم	≤20 میکرومتر
نوع هدایت	نوع N
مقاومت (300K)	<0.5 Ω·cm
تراکم دررفتگی	کمتر از 5x10⁶سانتی متر^-2
سطح قابل استفاده	> 90%
جلا دادن	سطح جلو: Ra <0.2nm.Epi-ready جلا داده شده است
	سطح پشتی: زمین خوب
بسته	بسته بندی شده در محیط اتاق تمیز کلاس 100، در ظروف ویفر تکی، در فضای نیتروژن.

الگوی تراشه ایستاده رایگان HVPE گالیوم نیترید A-Axis 5x5 / 10x10 / 5x10 میلی متر 2

الگوی تراشه ایستاده رایگان HVPE گالیوم نیترید A-Axis 5x5 / 10x10 / 5x10 میلی متر 3

سوالات متداول

س: حداقل نیاز سفارش شما چیست؟
A: MOQ: 10 قطعه

س: اجرای سفارش و تحویل آن چقدر طول می کشد؟
A: تایید سفارش 1 روز پس از تایید پرداخت و تحویل در 5 روز در صورت موجودی.

س: آیا می توانید محصولات خود را ضمانت کنید؟
A: ما کیفیت را قول می دهیم، اگر کیفیت مشکلی داشته باشد، محصولات جدید تولید می کنیم یا پول شما را برمی گردانیم.

س: چگونه پرداخت کنیم؟
A: T/T، Paypal، West Union، انتقال بانکی.

س: در مورد حمل و نقل چطور؟
پاسخ: اگر حساب ندارید می توانیم به شما کمک کنیم هزینه را بپردازید،

اگر سفارش بیش از 10000 دلار باشد، می توانیم توسط CIF تحویل دهیم.

برچسب‌ها:

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

جزئیات محصولات

الگوی تراشه ایستاده رایگان HVPE گالیوم نیترید A-Axis 5x5 / 10x10 / 5x10 میلی متر

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

زیرکره ی Sapphire

ویندوز ایکس پی

ویفر سیلیکون کاربید

لوله یاقوت کبود

ویفر گالیم نیترویید

بستر نیمه هادی

سنگ مصنوعی

قطعات سرامیکی

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

سفارشی کریستال دیده بان مورد

جعبه حامل ویفر

سوپر ترانسفورماتور Substrate Monocrystalline نازک

الگوی تراشه ایستاده رایگان HVPE گالیوم نیترید A-Axis 5x5 / 10x10 / 5x10 میلی متر

ویفر نیترید گالیوم محور

ویفر نیترید گالیوم 5x5

ویفر تراشه ایستاده رایگان GaN