زیرکره ی Sapphire

• سفیر وافر Al2O3 8 اینچ C پلین A پلین M پلین KY Double Slide Polished SSP
• گالیوم نیترید روی سیلیکون وافر GaN-on-Si 2 اینچ 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ برای تکنولوژی CMOS
• سفیر وفر 4 اینچ DSP SSP 0001 C هواپیما پذیرای محور سفارشی Al2O3 مونو کریستال
• سفیر وافر مونو کریستال Al2O3 DSP SSP 2 اینچ 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ 12 اینچ یک هواپیما C هواپیما

ویندوز ایکس پی

• 100×100 150×150 جعبه حمل و نگهداری جعبه حمل و نقل جعبه برای مربع نوع 25 اسلات مواد Abs
• تیتانیوم سفیر کریستال پنجره TI: سفیر کریستال شفافیت برجسته و وضوح نوری
• صفحه ساعت زپیر قابل تنظیم، شفافیت بالا، مقاوم در برابر خراش ها دوام بالا
• 25um-65um فیبر سفیر نرخ انتقال بالا سرعت بسیار سریع ثابت دی الکتریک پایین و از دست دادن

ویفر سیلیکون کاربید

• سی سی اپیتاکسیال وفر سیلیکون کارباید 4H 4 اینچ 6 اینچ صنعت نیمه هادی با مقاومت بالا
• SiC Substrate 4H/6H-P 3C-N 145.5 mm~150.0 mm Z درجه P درجه D درجه
• ویفر سیلیکون کاربید 2 اینچی جلا داده شده 2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ 0.35 میلی متر 4 ساعت نیمه SiC
• 2 اینچ 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ 3C-N سی سی وفر سیلیکون کربید اپتوالکتونیک قدرت بالا RF LEDS

لوله یاقوت کبود

• لوله های NMR سفیر قطر 5mm/10mm طول 100mm/طول سفارشی
• لوله ی سفیر 99.999% AL2O3 پولیش شده با سختی زیاد منبع یون سفارشی EFG KY
• لوله شفاف زعفران AL2O3 سختی بالا KY EFG پولیش شده
• روش KY لوله شفاف زعفر پولیش شده اندازه سفارشی سخت بودن بالا مقاومت در برابر فرسایش

بستر نیمه هادی

• گره های واحد کریستال منیزیم Mg Wafer / Substrate Orientatiion <0001> <11-20> <10-10> <1-102> DSP SSP
• سوبسترات مس سوبسترات مس مکعب Cu Wafer / Substrate 100 110 111 Orientaiton SSP DSP طهارت 99.99٪
• سوبسترات مس یک کریستال Cu 5x5x0.5/lmm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm a=3.607A
• ال واحد کریستال آلومینیوم سبسترات جهت گیری 111 100 111 5 × 5 × 0.5mm A=4.040Ã

سنگ مصنوعی

• توپ های کوچک قطر زعفرون و یاقوت برای آلوز، پمپ و ساعت ها
• طلا، زپیر مصنوعی، سنگ قیمتی خام، مقیاس سختی Mohs 9 کریستال برای جواهرات
• پولیش شده برای شفافیت و دقت کاربردهای صنعتی گلوله های زعفرانی سختی و مقاومت بالا
• LSO ((Ce) Lutecium Oxyorthosilicate ((Ce) کریستال Scintillator برای تصویربرداری پزشکی با کارایی بالا

تجهیزات آزمایشگاهی علمی

• کوره رشد سی سی بول PVT HTCVD و فناوری های LPE برای تولید سی سی بول تک کریستال
• ماشین برش سی سی اینگوت برای 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ 10 اینچ سرعت برش سی سی 0.3 میلی متر / دقیقه متوسط
• کوره رشد سی سی اینگوت PVT HTCVD LPE کوره رشد سی سی بول تک کریستالی برای 6 اینچ 8 اینچ سی سی وافر محصول
• روش مقاومت کوره رشد تک کریستالی کربید سیلیکون 6 8 12 اینچ کوره رشد سیلیکون